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하전입자의가속을이용한고평탄박막성장방법

  • 기술번호 : KST2015074491
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 전자빔 용융시 생성되는 하전입자들의 가속을 이용한 고평탄도의 박막성장방법에 관한 것으로서, 전자빔 용융법을 사용하는 Si 및 Ge 고상재료 분자선 에피택시장비에서 고Ge 분율(x)의 Si1-xGex 박막 성장시 부수적으로 생성되는 하전입자들, 즉 Si 및 Ge 이온들 또는 반사산란된 전자들을 소정의 전압을 가하여 기판(1)을 향하여 가속시키고 동시에 도판트들을 인 사이츄(in-situ)도핑하여 고농도의 p-형 및 n-형 불순물을 포함한 고평탄도의 SiGe 및 Ge 박막을 성장하므로써, 수광 다이오드 등의 광전소자 제작시 표면 거침도를 향상시킬 수 있고, 고농도의 도판트 도핑이 가능하므로 전극용 SiGe 및 Ge 박막을 성장할 수 있다.
Int. CL H01L 21/20 (2006.01)
CPC H01L 21/02381(2013.01) H01L 21/02381(2013.01) H01L 21/02381(2013.01)
출원번호/일자 1019940010561 (1994.05.14)
출원인 한국전자통신연구원, 주식회사 케이티
등록번호/일자
공개번호/일자 10-1995-0034412 (1995.12.28) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1994.05.14)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 윤선진 대한민국 대전직할시유성구
2 이승창 대한민국 대전직할시서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 원혜중 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **, 서울빌딩 *층 (역삼동)
3 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
4 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원심사청구서
Request for Examination		 1994.05.14 수리 (Accepted) 1-1-1994-0048812-31
2 특허출원서
Patent Application		 1994.05.14 수리 (Accepted) 1-1-1994-0048810-40
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1994.05.14 수리 (Accepted) 1-1-1994-0048811-96
4 출원인명의변경신고서
Applicant change Notification		 1994.10.12 수리 (Accepted) 1-1-1994-0048813-87
5 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1997.04.03 수리 (Accepted) 1-1-1994-0048814-22
6 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.08.19 수리 (Accepted) 1-1-1994-0048815-78
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1997.11.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1994-0027475-04
8 거절사정서
Decision to Refuse a Patent		 1998.02.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1994-0027476-49
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.20 수리 (Accepted) 4-1-1999-0010652-29
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2000-0005008-66
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.04.09 수리 (Accepted) 4-1-2002-0032774-13
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.03.13 수리 (Accepted) 4-1-2009-5047686-24
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2010-5068437-23
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2012-5005621-98
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.03.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5058926-38
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.08 수리 (Accepted) 4-1-2012-5122434-12
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2013-5106568-91
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018159-78
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

소정의 용융법을 사용하는 전자빔 용융장치(3)에서 고Ge 분율의 Si1-xGex 박막 또는 Ge 박막 성장시 고상재료(Si 및 Ge)에 전자빔을 가하여 하전입자들인 Si 및 Ge이온과 반사 산란된 일차전자 또는 이차전자들(e(-)을 생성하는 공정(A)과, 상기 Si 및 Ge 이온 및 반사 산란된 일차전자 또는 이차전자들 (e(-),을 각각 실리콘 기판(1)에 소정의전압에 의해서 가속시켜(B 및 C 공정) 상기 실리콘 기판(1)위에 고평탄도의 고Ge분율의 Si1-xGex 또는 Ge박막(2)을 형성하는 공정(D)을 포함하는 하전입자의 가속을 이용한 고평탄도의 박막 성장방법

2 2

제1항에 있어서, 상기 실리콘 기판(1) 또는 2차원적 성장이 어려운 기판 재료를 사용하는 것을 특징으로 하는 하전입자의 가속을 이용한 고평탄도의 박막 성장방법

3 3

제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 실리콘 기판(1) 위에 상기 하전된 입자들을 소정의 (-)전압에 의해 가속시키면서 도판트 원자 또는 분자(7)들을 인 사이츄(in-situ) 도핑하여 도핑된 고Ge 몰농도인 SiGe 박막(6)을 성장하는 공정이 부가된 것을 특징으로 하는 하전입자의 가속을 이용한 고평탄도의 박막 성장방법

4 4

제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 소정의 전압은 상기 (B)공정에서는 (-)전압으로, 상기 (C)공정에서는 (+)전압으로 가하는 것을 특징으로 하는 하전입자의 가속을 이용한 고평탄도의 박막성장 방법

5
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