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고상재료분자선증착에서의다결정박막저온성장방법

  • 기술번호 : KST2015074492
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 고상재료 분자선증착에서 전자빔 용융시 생성되는 하전입자들의 가속을 이용한 Si 및 Si-xGex(x=몰분율) 다결정 박막 저온성장방법에 관한 것으로서, 전자빔 용융법을 사용하는 Si 및 Ge 고상재료 분자선증착장비에서 생성되는 수% 정도의 Si 및 Ge 이온 또는 전자들을 기판에 소정의 전압을 가함으로써 가속하여 계면특성이 우수한 고품위의 다결정 Si 및 Si1-xGex(x=몰분율) 박막을 400℃ 이하의 저온에서 증착하고, 또는 상기 Si 및 Ge 이온들을 기판전극에 (-)전압을 가하여 기판을 향해 가속시킴과 동시에 도판트들을 인 사이츄(in situ) 도핑하여 고농도의 p-형 및 n- 형 불순물을 포함한 다결정 Si 및 Si1-xGex저온증착기술을 제공하므로써 종래의 분자선증착법 또는 화학증착법과는 달리 운동에너지 및 하전입자에 의한 표면에너지 변화 효과등을 이용할 수 있어 적합한 박막 특성을 얻을 수 있고, 저온에서 다결정 Si 및 SiGe을 성장하는 기술로 박막 트랜지스터에 응용할 수 있다.
Int. CL H01L 21/20 (2006.01)
CPC H01L 21/02532(2013.01) H01L 21/02532(2013.01) H01L 21/02532(2013.01)
출원번호/일자 1019940010562 (1994.05.14)
출원인 한국전자통신연구원, 주식회사 케이티
등록번호/일자 10-0133470-0000 (1997.12.22)
공개번호/일자 10-1995-0034444 (1995.12.28) 문서열기
공고번호/일자 (19980423) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1994.05.14)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 윤선진 대한민국 대전직할시유성구
2 이승창 대한민국 대전직할시서구
3 이재진 대한민국 대전직할시서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 원혜중 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **, 서울빌딩 *층 (역삼동)
3 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
4 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1994.05.14 수리 (Accepted) 1-1-1994-0048817-69
2 출원심사청구서
Request for Examination		 1994.05.14 수리 (Accepted) 1-1-1994-0048818-15
3 특허출원서
Patent Application		 1994.05.14 수리 (Accepted) 1-1-1994-0048816-13
4 출원인명의변경신고서
Applicant change Notification		 1994.10.12 수리 (Accepted) 1-1-1994-0048819-50
5 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1997.04.03 수리 (Accepted) 1-1-1994-0048820-07
6 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.08.19 수리 (Accepted) 1-1-1994-0048821-42
7 등록사정서
Decision to grant		 1997.11.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1994-0027480-22
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.20 수리 (Accepted) 4-1-1999-0010652-29
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2000-0005008-66
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.04.09 수리 (Accepted) 4-1-2002-0032774-13
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.03.13 수리 (Accepted) 4-1-2009-5047686-24
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2010-5068437-23
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2012-5005621-98
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.03.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5058926-38
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.08 수리 (Accepted) 4-1-2012-5122434-12
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2013-5106568-91
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018159-78
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

실리콘 웨이퍼 위에 산화막이 증착된 기판(1) 또는 TFT용 글래스 기판(2) 위에 전자빔 용융장치를 사용하여 고상재료 Si 및 Ge을 용융시켜 Si 및 Ge 이온들 또는 반사 산란된 전자들인 하전입자들을 생성하는 공정과, 상기 하전입자들을 전압을 가하여 상기 기판(1 또는 2)을 향해 가속시키는 공정과, 상기 하전입자들을 전압을 가하여 후속하여 400℃ 이하의 저온에서 상기 기판(1 또는 2) 위에 입사시키면서 다결정 Si 또는 SiGe(6)을 증착하는 공정과, 상기 하전된 Si 및 Ge 이온들을 상기 기판(1 또는 2)을 향해 가속하여 도판트 원자 또는 분자(7)들을 밀어넣으면서, 인 사이츄 도핑하여 고농도의 도판트를 포함한 다결정 Si 및 Si1-xGex 박막(8)을 증착하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 고상재료 분자선증착에서 다결정 박막 저온성장방법

2 2

제1항에 있어서, 상기 기판(1 또는 2) 위에 (-)전압을 가하는 것을 특징으로 하는 고상재료 분자선증착에서 다결정 박막 저온성장방법

3 3

제1항에 있어서, 상기 기판(1 또는 2) 위에 (+)전압을 가하는 것을 특징으로 하는 고상재료 분자선증착에서 다결정 박막 저온성장방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.