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초고속레이저다이오드전송모듈의구조및제조방법

  • 기술번호 : KST2015074630
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 초고속 레이저다이오드를 조립하여 전송 모듈을 제조함에 있어서 임피던스 정합을 고려한 전송선을 사용하고, 와이어 본딩 개소를 감소시킴으로써 고주파 특성을 향상시키며, 다이아몬드 기판을 사용하여 열 특성의 향상을 도모하고, 와이어 본딩 개소를 감소시킴으로써 조립공정의 단순화로 인하여 제작을 용이하여 결과적으로 신뢰성있는 초고속 레이저다이오드 전송 모듈의 구조 및 제조 방법에 관한 것으로서, 평면 산화알루미늄 등의 기판에 순금 박막도선을 제작하여 전송선이 되도록 형성하며, 상기 전송선의 끝부분에 박막저항을 형성하여 임피던스 정합을 도모하고, 상기 전송선의 최종단부에 6면이 전부 금속화처리된 다이아몬드 기판을 부착하여 효과적인 열전달을 달성하며, 상기 전송선우에 접합된 레이저다이오드의 n측과 전기적으로 연결되도록 하며, 또한 접지 금속판의 넓은 면적에 상기 레이저다이오드의 p측을 와이어 본딩에 의하여 접지면으로 연결되게 함으로써 전기적으로 폐회로를 형성하게 한다.이상과 같이 본 발명에 따른 초고속 전송용 레이저자디오드 모듈의 구조 및 제조 방법에 의하여 임피던스 정합을 고려한 전송선을 사용하고, 열 특성 향상을 위하여 다이아몬드 기판을 사용하고 전송선위에 직접 레이저다이오드를 부착함으로써 종래의 초고속 레이저다이오드 모듈과 비교하여 간단한 구조로 형성되어 있으므로 제조가 용이하고, 초고주파 신호에도 적응력이 우수하게 되므로 10Gbps 이상의 초고속 레이저다이오드 모듈의 제조에 적용하여 생산성을 향상시키고, 고성능의 효과를 볼 수 있다.
Int. CL H01S 5/026 (2006.01)
CPC H01S 5/02248(2013.01) H01S 5/02248(2013.01)
출원번호/일자 1019940034651 (1994.12.16)
출원인 한국전자통신연구원, 주식회사 케이티
등록번호/일자 10-0138846-0000 (1998.02.23)
공개번호/일자 10-1996-0027097 (1996.07.22) 문서열기
공고번호/일자 (19980601) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1994.12.16)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박성수 대한민국 대전직할시유성구
2 송민규 대한민국 대전직할시유성구
3 한학수 대한민국 대전직할시유성구
4 김동구 대한민국 대전직할시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 원혜중 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **, 서울빌딩 *층 (역삼동)
3 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
4 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
1994.12.16 수리 (Accepted) 1-1-1994-0155995-54
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent
1994.12.16 수리 (Accepted) 1-1-1994-0155996-00
3 출원심사청구서
Request for Examination
1994.12.16 수리 (Accepted) 1-1-1994-0155997-45
4 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information
1997.04.09 수리 (Accepted) 1-1-1994-0155998-91
5 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent
1997.08.20 수리 (Accepted) 1-1-1994-0155999-36
6 등록사정서
Decision to grant
1998.01.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1994-0086977-28
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
1999.01.20 수리 (Accepted) 4-1-1999-0010652-29
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2000.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2000-0005008-66
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2002.04.09 수리 (Accepted) 4-1-2002-0032774-13
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.03.13 수리 (Accepted) 4-1-2009-5047686-24
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2010-5068437-23
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2012-5005621-98
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.03.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5058926-38
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.06.08 수리 (Accepted) 4-1-2012-5122434-12
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2013-5106568-91
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018159-78
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

임피던스 정합 및 특성 향상을 개선하기 위한 초고속 전송용 레이저다이오드 모듈에 있어서,

넓은 접지 금속판(23)과:

상기 접지 금속판(23)에 부착시킨 더미스트 마운트(18)와;

상기 더미스터 마운트(18)에 장착된 더미스터(21)와;

상기 접지 금속판(23)상에 부착시킨 박막저항(10)이 형성된 전송선(9)과;

상기 전송선(9)상에 부착시킨 다이아몬드 기판(5)과;

상기 다이아몬드 기판(5)에 장착된 p-측 상위 레이저다이오드(2)와;

상기 전송선(9)상에 부착시킨 모니터 포토다이오드 마운트(13)와;

상기 모니터 포토다이오드 마운트(13)에 장착된 모니터용 포터다이오드(16); 및

상기 레이저다이오드(2)의 p-측 전극을 상기 접지 금속판(23)에 와이어 본딩시켜서 상기 레이저다이오드(2)를 전기적으로 폐회로가 형성되게 하는 포스트(24)로 구성됨을 특징으로 하는 초고속 전송용 레이저다이오드 모듈 구조

2 2

제 1항에 있어서,

상기 모니터용 포토다이오드(16)를 장착하여 상기 전송선(9)위를 통과할 수 있는 상기 모니터 포토다이오드 마운트(13)가 ㄷ형태인 것을 특징으로 하는 초고속 레이저 전송 모듈의 구조

3 3

제 1항에 있어서,

본딩 돠이어에 의한 유도저항을 감소시키기 위하여 상기 전송선(9)상에 상기 레이저다이오드(2)가 장착된 상기 다이아몬드 기판(5)이 직접 접합되어 본딩 와이어의 개소가 감소되는 것을 특징으로 하는 초고속 전송용 레이저다이오드 모듈 구조

4 4

임피던스 정합 및 열 특성 향상을 개선하기 위한 초고속 전송용 레이저다이오드 모듈을 제조하는데 있어서,

p-측 상위 레이저다이오드(2)를 다이아몬드 기판(5)에 장착한 후에 상기 다이아몬드 기판(5)을 전송선(9)상에 부착시키는 공정과;

모니터용 포토다이오드(16)를 모니터 포토다이오드 마운트(13)에 장착한 후에 상기 전송선(9)상에 부착시키는 공정과;

상기 레이저다이오드(2)의 온도상승을 검출하기 위한 더미스터(21)를 더미스터 마운트(18)에 장착시키는 공정; 및

조립이 완성된 상기 전송선(9) 및 상기 더미스트 마운트(18)를 넓은 접지 금속판(23)에 부착시키는 공정으로 구성됨을 특징으로 하는 초고속 전송용 레이저다이오드 모듈의 제조 방법

5 5

제 4도에 있어서,

본딩 와이어에 의한 유도저항을 감소시키기 위하여 상기 전송선(9)상에 상기 레이저다이오드(2)가 장착된 상기 다이아몬드 기판(5)을 직접 접합시켜 본딩 와이어의 개소를 감소시키는 것을 특징으로 하는 초고속 전송용 레이저다이오드 모듈의 제조방법

6 6

제 4항에 있어서,

상기 레이저다이오드(2)의 폐회로를 구성하기 위하여 상기 레이저다이오드(2)의 p-측 전극을 상기 접지 금속판(23)의 포스트(24)에 와이어 본딩하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 초고속 전송용 레이저다이오드 모듈의 제조 방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.