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전계 흡수형 변조기가 집적된 레이저 장치 및 그 제조방법
- 기술번호 : KST2015081799
- 담당센터 : 대전기술혁신센터
- 전화번호 : 042-610-2279
| 요약 | 광변조기의 단면으로부터 재입사되는 광에 의해 레이저 다이오드의 동작 특성의 변형을 방지할 수 있는 광변조기가 집적된 레이저 장치 및 그 제조방법을 개시한다. 개시된 본 발명은 화합물 반도체 기판, 상기 화합물 기판의 제 1 영역에 형성되는 광 변조기, 상기 제 1 영역과 인접하는 화합물 기판의 제 2 영역에 형성되는 분포 궤환형 레이저 다이오드, 및 상기 화합물 기판의 제 3 영역에 형성되며, 상기 분포 궤환형 레이저 다이오드로 재입사되는 광의 위상을 조절하는 위상 조절부를 포함하며, 상기 위상 조절부에 소정의 전류를 인가하여 광변조기의 측단면으로 부터 재입사되는 광의 위상을 조절한다.EML, 재입사, 위상 |
|---|---|
| Int. CL | H01S 5/026 (2006.01) H01S 5/12 (2006.01) |
| CPC | H01S 5/1228(2013.01) H01S 5/1228(2013.01) H01S 5/1228(2013.01) |
| 출원번호/일자 | 1020060058093 (2006.06.27) |
| 출원인 | 한국전자통신연구원 |
| 등록번호/일자 | 10-0809412-0000 (2008.02.26) |
| 공개번호/일자 | 10-2007-0059878 (2007.06.12) 문서열기 |
| 공고번호/일자 | (20080305) 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 |
대한민국 | 1020050119066 | 2005.12.07
|
| 법적상태 | 등록 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | 신규 |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (2006.06.27) |
| 심사청구항수 | 18 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 한국전자통신연구원 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 최중선 | 대한민국 | 대전 서구 |
| 2 | 권용환 | 대한민국 | 대전 유성구 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 리앤목특허법인 | 대한민국 | 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 대한민국(산업통상자원부장관) | 세종특별자치시 한누리대 |
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 특허출원서 Patent Application |
2006.06.27 | 수리 (Accepted) | 1-1-2006-0458147-76 |
| 2 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2007.05.07 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 3 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2007.06.12 | 수리 (Accepted) | 9-1-2007-0032295-33 |
| 4 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2007.08.06 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2007-0430400-60 |
| 5 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2007.10.04 | 수리 (Accepted) | 1-1-2007-0713447-63 |
| 6 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2007.10.04 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2007-0713448-19 |
| 7 | 등록결정서 Decision to grant |
2008.01.04 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2008-0003727-14 |
| 8 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2009.08.04 | 수리 (Accepted) | 4-1-2009-5150899-36 |
| 9 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2015.02.02 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-0006137-44 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 화합물 반도체 기판;상기 화합물 기판의 제 1 영역에 형성되는 광 변조기; 상기 제 1 영역과 대향하는 화합물 기판의 제 2 영역에 형성되는 분포 궤환형 레이저 다이오드; 및상기 제 1 영역과 상기 제 2 영역 사이에 위치하는 상기 화합물 기판의 제 3 영역에 형성되고, 상기 광 변조기의 측단면으로부터 반사되어 상기 분포 궤환형 레이저 다이오드로 재입사되는 광의 위상을 조절하는 위상 조절부를 포함하며,상기 위상 조절부에 소정의 전류를 인가하여 상기 광 변조기의 측단면으로부터 재입사되는 광을 조절하는 EML 소자 |
| 2 |
2 제 1 항에 있어서, 상기 광변조기는,상기 화합물 반도체 기판상에 형성되는 n 클래드층;상기 n 클래드층 상부에 형성되는 활성층; 상기 활성층 상부에 형성되는 p 클래드층;상기 p형 클래드층 상부에 형성되는 p형 오믹 전극; 및상기 화합물 반도체 기판의 배면에 형성되는 n형 오믹 전극을 포함하는 EML 소자 |
| 3 |
3 제 2 항에 있어서, 상기 분포 궤환형 레이저 다이오드는,상기 화합물 반도체 기판상에 형성되는 n 클래드층;상기 n 클래드층 상부에 형성되는 그레이팅; 상기 그레이팅 상부에 형성되는 활성층; 상기 활성층 상부에 형성되는 p 클래드층;상기 p형 클래드층 상부에 형성되는 p형 오믹 전극; 및상기 화합물 반도체 기판의 배면에 형성되는 n형 오믹 전극을 포함하는 EML 소자 |
| 4 |
4 삭제 |
| 5 |
5 제 1 항에 있어서, 상기 위상 조절부는,상기 화합물 반도체 기판상에 형성되는 n클래드층;상기 n클래드층 상부에 형성되는 활성층; 상기 활성층 상부에 형성되며 상기 광변조기의 p 클래드층 및 상기 분포 궤환형 레이저 다이오드의 p클래드층과 전기적으로 분리된 p 클래드층; 및 상기 p클래드층 상부에 형성되는 위상 조절 전극을 포함하는 EML 소자 |
| 6 |
6 제 5 항에 있어서, 상기 위상 조절부의 n 클래드층은 상기 광변조기의 n 클래드층 및 상기 분포 궤환형 레이저 다이오드의 n 클래드층과 공통인 것을 특징으로 하는 EML 소자 |
| 7 |
7 제 5 항에 있어서, 상기 광변조기의 활성층, 상기 분포 궤환형 레이저 다이오드의 활성층 및 상기 위상 조절부의 활성층은 각각 경계를 가지고 마주하는 것을 특징으로 하는 EML 소자 |
| 8 |
8 제 7 항에 있어서, 상기 위상 조절부의 활성층의 물질은,상기 광변조기의 활성층 또는 상기 분포 궤환형 레이저 다이오드의 활성층의 물질층과 동일한 물질인 것을 특징으로 하는 EML 소자 |
| 9 |
9 제 7 항에 있어서, 상기 위상 조절부의 활성층은 상기 광변조기의 활성층의 밴드갭과 상기 분포 궤환형 레이저 다이오드의 활성층의 밴드갭 사이의 밴드갭을 갖는 물질인 것을 특징으로 하는 EML 소자 |
| 10 |
10 제 5 항에 있어서, 상기 광변조기의 활성층, 상기 분포 궤환형 레이저 다이오드의 활성층, 및 상기 위상 조절부의 활성층은 경계없이 동일한 물질인 EML 소자 |
| 11 |
11 제 10 항에 있어서, 상기 활성층은 InGaAsP 물질을 포함하는 EML 소자 |
| 12 |
12 제 5 항에 있어서, 상기 광변조기의 p 클래드층, 상기 위상 조절부의 p클래드층 및 상기 분포 궤환형 레이저 다이오드의 p 클래드층은 각각 소정 거리 이격되도록 배치되는 EML 소자 |
| 13 |
13 제 12 항에 있어서, 상기 광변조기의 p 클래드층, 상기 위상 조절부의 p클래드층 및 상기 분포 궤환형 레이저 다이오드의 p 클래드층은 5 내지 20㎛ 정도 이격되는 EML 소자 |
| 14 |
14 제 5 항에 있어서, 상기 광변조기의 p 클래드층과 상기 위상 조절부의 p클래드층 사이, 및 상기 위상 조절부의 p클래드층과 상기 분포 궤환형 레이저 다이오드의 p 클래드층 사이에, 상기 상기 광변조기의 p 클래드층, 상기 위상 조절부의 p클래드층 및 상기 분포 궤환형 레이저 다이오드의 p 클래드층을 전기적으로 분리시키기 위한 불순물 영역이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 EML 소자 |
| 15 |
15 제 1 항에 있어서, 상기 광변조기의 측단면에 무반사막이 형성되어 있는 EML 소자 |
| 16 |
16 제 15 항에 있어서, 상기 무반사막과 상기 광변조기 사이에 화합물 윈도우가 더 형성되는 EML 소자 |
| 17 |
17 광변조기 영역, 분포 궤환형 레이저 다이오드 영역 및 상기 광변조기 영역과 분포 궤환형 레이저 다이오드 영역 사이의 위상 조절부 영역이 한정되어 있는 InP 화합물 반도체 기판을 제공하는 단계;상기 화합물 반도체 기판상에 n 클래드층을 형성하는 단계;상기 분포 궤환형 레이저 다이오드 영역의 n 클래드층 상부에 그레이팅을 형성하는 단계;상기 n 클래드층 상부에 활성층을 형성하는 단계;상기 활성층 상부에 p 클래드층을 형성하는 단계;상기 광변조기 영역, 분포 궤환형 레이저 다이오드 영역 및 상기 위상 조절 영역별로 상기 p 클래드층을 전기적으로 분리하는 단계;상기 화합물 반도체 기판 뒷면에 n형 오믹 전극을 형성하는 단계; 및 상기 광변조기 영역, 분포 궤환형 레이저 다이오드 영역 및 위상 조절 영역 각각의 p 클래드층 상부에, 광변조기의 p형 오믹 전극, 분포 궤환형 레이저 다이오드 영역의 p형 오믹 전극 및 위상 조절 영역의 위상 조절 전극을 형성하는 단계를 포함하는 EML 소자의 제조방법 |
| 18 |
18 제 17 항에 있어서, 상기 활성층은 상기 n 클래드층을 선택적으로 성장시켜 얻어지는 EML 소자의 제조방법 |
| 19 |
19 제 17 항에 있어서, 상기 활성층은 상기 광변조기 영역, 분포 궤환형 레이저 다이오드 영역 및 상기 위상 조절 영역별로 각각 성장시키는 EML 소자의 제조방법 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 패밀리정보가 없습니다 |
|---|
| 국가 R&D 정보가 없습니다. |
|---|
- 본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
- 데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
- 법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.
| 특허 등록번호 | 10-0809412-0000 |
|---|
권리란
| 표시번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
출원 연월일 : 20060627 출원 번호 : 1020060058093 공고 연월일 : 20080305 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20080104 청구범위의 항수 : 18 유별 : H01S 5/12 발명의 명칭 : 전계 흡수형 변조기가 집적된 레이저 장치 및 그 제조방법 존속기간(예정)만료일 : |
특허권자란
| 순위번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
(권리자) 한국전자통신연구원 대전 유성구... |
| 2 |
(의무자) 한국전자통신연구원 대전광역시 유성구... |
| 2 |
(권리자) 대한민국(산업통상자원부장관) 세종특별자치시 한누리대... |
등록료란
| 제 1 - 3 년분 | 금 액 | 438,000 원 | 2008년 02월 27일 | 납입 |
| 제 4 년분 | 금 액 | 436,000 원 | 2011년 01월 31일 | 납입 |
| 제 5 - 20 년분 | 금 액 | 0 원 | 2011년 12월 08일 | 납입 |
- 본 '원본보기 서비스'는 참고용이므로, 일부 오류 및 누락이 발생할 수 있습니다.
- 정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
- 해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 특허출원서 | 2006.06.27 | 수리 (Accepted) | 1-1-2006-0458147-76 |
| 2 | 선행기술조사의뢰서 | 2007.05.07 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 3 | 선행기술조사보고서 | 2007.06.12 | 수리 (Accepted) | 9-1-2007-0032295-33 |
| 4 | 의견제출통지서 | 2007.08.06 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2007-0430400-60 |
| 5 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2007.10.04 | 수리 (Accepted) | 1-1-2007-0713447-63 |
| 6 | [명세서등 보정]보정서 | 2007.10.04 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2007-0713448-19 |
| 7 | 등록결정서 | 2008.01.04 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2008-0003727-14 |
| 8 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2009.08.04 | 수리 (Accepted) | 4-1-2009-5150899-36 |
| 9 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2015.02.02 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-0006137-44 |
| 기술정보가 없습니다 |
|---|
| 과제고유번호 | 1440001068 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 2005-S-101 |
| 연구과제명 | 멀티미디어QoS라우팅기술개발 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 지식경제부 |
| 연구관리전문기관명 | 정보통신연구진흥원 |
| 연구주관기관명 | 한국전자통신연구원 |
| 성과제출연도 | 2005 |
| 연구기간 | 200503~200712 |
| 기여율 | 1 |
| 연구개발단계명 | 개발연구 |
| 6T분류명 | IT(정보기술) |
| 과제고유번호 | 1440000716 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 2004-S-098 |
| 연구과제명 | 40G모듈 |
| 성과구분 | 등록 |
| 부처명 | 지식경제부 |
| 연구관리전문기관명 | 정보통신연구진흥원 |
| 연구주관기관명 | 한국전자통신연구원 |
| 성과제출연도 | 2005 |
| 연구기간 | 200302~200701 |
| 기여율 | 1 |
| 연구개발단계명 | 응용연구 |
| 6T분류명 | IT(정보기술) |
특허성과
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