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플립칩본딩을위한솔더범프형성방법

  • 기술번호 : KST2015074650
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체 패키지 방법에 관한 것으로, 특히 3층 포토레지스트(Photoresist)를 이용하여 플립칩 본딩(Filp-Chip Bonding)용 솔더범프(Solder Bump)를 형성하는 방법에 관한 것이다.본 발명 상기의 목적을 달성하기 위해, 기판절연용 실리콘 질화막과 댑핑용 실리콘 질화막이 형성된 실리콘 기판에 칩이 본딩될 부분의 솔더범프 형성을 위한 공정으로서 증착될 금속의 크기를 조절하기 위한 1차 네가티브(Negative) 포토레지스트와 리프트 오프(Lift off)를 위한 전면 노광된 2차 포지티브(Positive) 포토레지스트와, 그리고 또한 증착면의 크기를 조절하기 위한 3차 포지티브(Positive) 포토레지스트로 구성되어며, 솔더범프 형성시 용이한 리프트 오프(Lift off)를 위한 3층으로 형된 30㎛ 이상의 두께운 후막 공정으로 솔더범프를 형성하는 것을 특징으로 한다.
Int. CL H01L 21/60 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1019940028808 (1994.11.03)
출원인 한국전자통신연구원, 주식회사 케이티
등록번호/일자 10-0138844-0000 (1998.02.23)
공개번호/일자 10-1996-0019623 (1996.06.17) 문서열기
공고번호/일자 (19980601) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1994.11.03)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 한학수 대한민국 대전직할시유성구
2 김동구 대한민국 대전직할시유성구
3 박성수 대한민국 대전직할시유성구
4 주관종 대한민국 대전직할시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 원혜중 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **, 서울빌딩 *층 (역삼동)
3 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
4 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1994.11.03 수리 (Accepted) 1-1-1994-0130275-70
2 특허출원서
Patent Application		 1994.11.03 수리 (Accepted) 1-1-1994-0130274-24
3 출원심사청구서
Request for Examination		 1994.11.03 수리 (Accepted) 1-1-1994-0130276-15
4 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1997.04.04 수리 (Accepted) 1-1-1994-0130277-61
5 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.08.20 수리 (Accepted) 1-1-1994-0130278-17
6 등록사정서
Decision to grant		 1998.01.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1994-0072913-45
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.20 수리 (Accepted) 4-1-1999-0010652-29
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2000-0005008-66
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.04.09 수리 (Accepted) 4-1-2002-0032774-13
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.03.13 수리 (Accepted) 4-1-2009-5047686-24
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2010-5068437-23
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2012-5005621-98
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.03.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5058926-38
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.08 수리 (Accepted) 4-1-2012-5122434-12
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2013-5106568-91
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018159-78
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

소정 기판(10) 위에 기판절연을 위한 절연막(9)을 전면 증착하고, 상기 기판절연용 절연막(9) 상부에 증착될 솔더범프용 금속과의 결합을 위한 적어도 한층 이상의 UBM(Under Bump Metallurgy) 금속층(11)과 솔더범프용 금속의 댐역할과 절연을 위한 댐핑용 절연막(8)을 형성하는 공정:

상기 댐핑용 절연막(8) 상부에 솔더범프용 금속의 패턴 크기를 조절하기 위한 1차 네가티브(negative) 레지스트 패턴(PR1)의 형성공정;

상기 1차 레지스트 패턴(PR1)과 UBM 금속층(11)의 전면에 리프트-오프(Lif-off)를 위해 전면 노광된 2차 포지티브(positive) 레지스트(pr2)를 형성하는 공정;

3차 포지티브 레지스트(PR3)를 도포한 후 패터닝 하는 공정;

상기 3차 레지스트 패턴을 이용하여 상기 UBM 금속층(11)이 노출될 때까지 전면 노광된 2차 레지스트(PR2)의 현상공정;

솔더범프용 금속을 전면 증착한 후, 상기 3층의 레지스트 패턴과 함께 그 상부의 불필요 금속(7′)을 리프트-오프 시키는 공정; 및

상기 솔더범프용 증착금속(7)을 리플로우(reflow)시켜 솔더범프(17)를 형성하는 공정으로 이루어진 플립칩 본딩(Filp Chip Bonding)을 위한 솔더범프 형성방법

2 2

제 1항에 있어서,

상기 솔더범프용 금속(7)은 열증착(thermal evaporation) 또는 전기도금법을 이용하여 Pb/Sn, Pb/In, In, Sn, Au 및 Pb 중의 적어도 어느 하나의 금속으로 증착됨을 특징으로 하는 솔더범프 형성방법

3 3

제 1항에 있어서,

상기 기판(10)은 Si, GaAs, 세라믹(ceramics) 및 플라스틱 가운데 적어도 어느 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 솔더범프 형성방법

4 4

제 1항에 있어서,

상기 1차 네가티브 레지스트(PR1) 대신에 2차 포지티브 레지스트(PR2)의 전면 노광공정에 따른 노광의 영향을 없앨 수 있는 이미지 리버셜(image revasal) 레지스트 또는 포토센서티브 플리이미드(photosensitive polyimide)를 사용하는 것을 특징으로 하는 솔더범프 형성방법

5 5

제 1항에 있어서,

상기 UBM 금속층(11)은 부착력 강화를 위한 Ti(약 1500Å)과, 솔더러블(solderable)을 위한 Ni(약 3000Å)과, 산화방지를 위한 Au(약 500Å)로 이루어진 3층의 금속으로 이루어진 것을 특징으로 하는 솔더범프 형성방법

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패밀리정보가 없습니다
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