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금속반도체 전계효과 트랜지스터(MESFET)를 제조하는 방법에 있어서; 반절연 갈륨비소 기판(101) 위에, 감광막(102)으로 N 채널을 패터닝한 후 규소를 이온주입하여 채널(103)을 형성하는 단계와; 상기 감광막(102)을 제거하고, 플라스마 촉진 화학 증착법(PECVD)으로, 상기 채널(103)이 형성된 상기 기판(101)의 상부표면 전체 위에, 제1의 소정의 온도(T1)에서 그리고 상기 제1의 소정의 온도보다 상대적으로 낮은 제2의 소정의 온도(T2)에서, 각각 제1절연막(104)과 제2절연막(105)을 순차로 증착하는 단계와; 감광막(106)을 도포하여 게이트 패턴을 형성한 후, 이 패턴을 사용하여 반응성 이온 식각(RIE) 방법으로 상기 제2 및 제1절연막(105,104)을 순차로 건식식각하는 단계와; 감광막(106)을 제거하고, 식각된 상기 제2및 제1절연막의 상부 전면에 스퍼터링 방법으로 내열성 금속(107a)을 증착하는 단계와; 상기 내열성 금속(107a)의 게이트 부위로 연결된 부분을 단절시킬 정도로 조절된 RIE를 실시하는 단계와; 기판을 불산(HF)에 담궈 상기 제1 및 제2절연막(104,105)이 선택적으로 식각되게 함으로써 상기 제1 및 제2절연막 상부의 내열성 금속이 리프트-오프되게 하여 T자 형의 게이트 금속(107)만을 잔류시키는 단계와; 감광막(108)을 도포하여 채널 패턴을 형성한 후, 이 패턴과 게이트 부위의 상기 T-게이트 금속(107)를 마스크로서 사용하여 기판에 규소이온을 주입하여 자기 정렬형 오옴전극용 고농도의 이온주입 영역(109)을 형성하고 상기 감광막(108)을 제거하는 단계와; 주입된 규소 이온을 전기적으로 활성화시키기 위한 열처리시, 기판으로부터 비소가 증발되는 것을 방지하기 위하여, 기판의 모든 표면에 제3절연막(110)을 증착한 후 급속 열처리하는 단계와; 활성화를 위한 급속 열처리가 완료된 후에는, 상기 제3절연막(110)을 제거하고, 감광막(111)으로 오옴전극 패턴을 형성하는 단계와; 오옴전극 패턴 위에, 열증착 장비를 사용하여, 오옴전극용 금속(112)을 증착하고, 기판을 아세톤에 담궈 상기 감광막(111)이 제거되도록 하는 것에 의해 감광막 상부의 금속이 리프트-오프되게 하여 오옴전극을 형성하는 단계를; 포함하는 것을 특징으로 하는 자기 정렬형 티-게이트 갈륨비소 금속반도체 전계효과 트랜지스터의 제조방법
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