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성장정지법을이용한화합물반도체박막의저온선택에피택시성장방법

  • 기술번호 : KST2015075159
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 성장정지법을 이용한 화합물 반도체 박막의 저온선택 에피택시성장 방법에 관한 것으로서, 화합물 반도체 기판상의 소정부분에 유전체 마스크를 형성하는 공정과, 상기 유전체 박막이 형성되지 않은 반도체 기판상에 III족 원료 물질과 V족 원료 물질을 교대로 공급하고, 그 공급기간 사이에 소정의 성장정지기간을 가지면서 에피택셜층을 형성하는 공정을 구비한다. 따라서, 에피택셜층의 성장온도가 매우 낮으므로 이종접합구조의 계면에서의 박막 구성물질과 불순물들의 확산 과정을 억제하여 우수한 계면특성을 갖는다.
Int. CL H01L 21/20 (2006.01)
CPC H01L 21/0262(2013.01) H01L 21/0262(2013.01) H01L 21/0262(2013.01) H01L 21/0262(2013.01) H01L 21/0262(2013.01)
출원번호/일자 1019950047067 (1995.12.06)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-1997-0051973 (1997.07.29) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1995.12.06)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 노정래 대한민국 대전광역시유성구
2 김성복 대한민국 대전광역시서구
3 이일항 대한민국 대전광역시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 원혜중 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **, 서울빌딩 *층 (역삼동)
3 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
4 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1995.12.06 수리 (Accepted) 1-1-1995-0184044-74
2 출원심사청구서
Request for Examination		 1995.12.06 수리 (Accepted) 1-1-1995-0184045-19
3 특허출원서
Patent Application		 1995.12.06 수리 (Accepted) 1-1-1995-0184043-28
4 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1997.04.25 수리 (Accepted) 1-1-1995-0184046-65
5 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.08.22 수리 (Accepted) 1-1-1995-0184047-11
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1998.09.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1995-0097283-43
7 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 1998.11.30 수리 (Accepted) 1-1-1995-0756813-84
8 의견서
Written Opinion		 1998.12.30 수리 (Accepted) 1-1-1995-0760340-39
9 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent		 1998.12.30 수리 (Accepted) 1-1-1995-0760339-93
10 거절사정서
Decision to Refuse a Patent		 1999.02.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0054505-45
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

화합물 반도체 기판상의 소정부분에 유전체 마스크를 형성하는 공정과, 상기 유전체 박막이 형성되지 않은 반도체 기판상에 Ⅲ족 원료 물질과 V족 원료 물질을 교대로 공급하고, 그 공급기간 사이에 소정의 성장정지기간을 가지면서 에피택셜층을 형성하는 공정을 구비하는 성장정지법을 이용한 화합물 반도체 박막의 저온선택 에피택시 성장방법

2 2

제1항에 있어서, 상기 유전체 마스크를 실리콘 산화물 또는 실리콘 질화물로 형성하는 성장정지법을 이용한 화합물 반도체 박막의 저온 선택 에피택시 성장방법

3 3

제1항에 있어서, 상기 에피택셜층을 MBE, MOCVD 또는 CBE로 형성하는 성장정지법을 이용한 화합물 반도체 박막의 저온 선택 에피택시 성장방법

4
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.