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반도체 제조공정 중 오존가스를 이용한 절연 초박막형성방법

  • 기술번호 : KST2015075181
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체 제조공정 중 오존가스를 이용한 절연 초박막 형성방법에 관한 것이다.좀 더 구체적으로, 본 발명은 반도체 제조공정 중 오존가스를 이용하여 웨이퍼 표면을 산화시켜 웨이퍼 표면의 재오염을 방지하고 특성이 보다 우수한 절연 초박막을 형성하는 방법에 관한 것이다.본 발명의 절연 초박막 형성방법은, 실리콘 웨이퍼 상의 자연산화막을 HF 세정챔버(HF cleaning chamber)에서 HF 가스를 사용하여 제거하는 단계; 오존가스를 상기한 HF 세정챔버 내에 투입하여 웨이퍼 표면을 산화시켜 25 내지 50℃의 저온에서 웨이퍼 표면에 화학적 산화막을 형성하는 단계; 및, 상기한 웨이퍼를 반응로로 이송하여 질소 또는 산소분위기에서 열처리를 통해 화학적 산화막을 조밀화(densification)시키는 단계를 포함한다.본 발명의 절연 초박막 형성방법은 고온 열산화막 형성공정에서의 재오염 및 산화막 두께의 불균일에 따른 종래기술의 문제점을 해결할 수 있으며, 특성이 보다 우수한 절연 초박막을 형성할 수 있다는 것이 확인되었다.
Int. CL H01L 21/20 (2006.01)
CPC H01L 21/02255(2013.01) H01L 21/02255(2013.01)
출원번호/일자 1019950053639 (1995.12.21)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-1997-0051987 (1997.07.29) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1995.12.21)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이춘수 대한민국 대전광역시 유성구
2 백종태 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 원혜중 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **, 서울빌딩 *층 (역삼동)
3 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
4 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1995.12.21 수리 (Accepted) 1-1-1995-0207276-33
2 출원심사청구서
Request for Examination		 1995.12.21 수리 (Accepted) 1-1-1995-0207277-89
3 특허출원서
Patent Application		 1995.12.21 수리 (Accepted) 1-1-1995-0207275-98
4 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1997.01.14 수리 (Accepted) 1-1-1995-0207278-24
5 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1997.05.07 수리 (Accepted) 1-1-1995-0207279-70
6 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.08.25 수리 (Accepted) 1-1-1995-0207280-16
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1998.09.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1995-0109470-12
8 거절사정서
Decision to Refuse a Patent		 1998.12.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1995-0479462-79
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

실리콘 웨이퍼 상의 자연산화막을 HF 세정챔버에서 HF 가스를 사용하여 제거하는 단계; 오존가스를 상기한 HF 세정챔버 내에 투입하여 웨이퍼 표면을 산화시켜 25 내지 50℃의 저온에서 웨이퍼 표면에 화학적 산화막을 형성하는 단계; 및 상기한 웨이퍼를 반응로로 이송하여 질소 또는 산소분위기에서 열처리를 통해 화학적 산화막을 조밀화시키는 단계를 포함하는 절연 초박막의 형성방법

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지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.