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분자선 에피택시장치 및 전자선 증착장치용 하전입자제거장치가구비된전자선용융장치모듈과기판장치모듈및하전입자제거방법

  • 기술번호 : KST2015075185
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 분자선 에피택시장치 및 전자선 증착장치용 하전입자 제거장치가 구비된 전자선 용융장치 모듈과 기판장치 모듈 및 하전입자 제거방법에 관한 것이다. 본 발명의 하전입자 제거장치가 구비된 전자선 용융장치 모듈과 기판장치 모듈은 전자선 용융장치의 소스입자 방출경로 또는 기판장치의 소스입자 입사경로에 설치되어 하전입자를 포집하기 위한 그리드(11)와, 상기한 그리드(11)와 전자선 용융장치 또는 기판장치를 연결하며, 초고진공 또는 고진공 성장 챔버 내에 설치하기 위한 플랜지(13)와, 상기한 플랜지(13)에 부설되고 접지 또는 DC전압과 연결되어, 상기한 그리드(11)를 접지시키거나 그리드(11)에 특정극성의 전압을 가해 (+) 또는 (-)중 특정전하를 가진 입자를 선택적으로 제거하기 위한 전기 연결부(eletrical feedthrough)(13a)로 구성된다. 또한, 본 발명의 하전입자 제거방법은 전자선 용융장치의 소스입자 방출경로 또는 기판장치의 소스입자 입사경로에 설치되어 하전입자를 포집하기 위한 그리드를 설치하고, 상기한 그리드와 전자선 용융장치 또는 기판장치 모듈을 접지시키거나, 그리드에 특정극성을 전압을 가해 (+) 또는 (-)중 특정전하를 가진 입자를 제거하는 것을 특징으로 한다.
Int. CL H01L 21/20 (2006.01)
CPC H01L 33/0083(2013.01) H01L 33/0083(2013.01)
출원번호/일자 1019950053648 (1995.12.21)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-1997-0051988 (1997.07.29) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1995.12.21)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 윤선진 대한민국 대전광역시 유성구
2 이승창 대한민국 대전광역시 유성구
3 이재진 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 원혜중 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **, 서울빌딩 *층 (역삼동)
3 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
4 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1995.12.21 수리 (Accepted) 1-1-1995-0207320-55
2 출원심사청구서
Request for Examination		 1995.12.21 수리 (Accepted) 1-1-1995-0207321-01
3 특허출원서
Patent Application		 1995.12.21 수리 (Accepted) 1-1-1995-0207319-19
4 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1997.05.07 수리 (Accepted) 1-1-1995-0207322-46
5 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.08.25 수리 (Accepted) 1-1-1995-0207323-92
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1998.09.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1995-0109489-78
7 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 1998.11.30 수리 (Accepted) 1-1-1995-0756812-38
8 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1998.12.29 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-1995-0760414-19
9 의견서
Written Opinion		 1998.12.29 수리 (Accepted) 1-1-1995-0760412-28
10 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent		 1998.12.29 수리 (Accepted) 1-1-1995-0760413-74
11 거절사정서
Decision to Refuse a Patent		 1999.01.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0030140-22
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

분자선 에피택시장치 또는 전자선 증착장치의 전자선 용융장치에서 발생된 전자선에 의해 생성된 소스이온 및 산란전자를 제거하기 위한 하전입자 제거장치가 구비된 전자선 용융장치 모듈에 있어서, 전자선 용융장치와, 상기한 전자선 용융장치의 소스입자 방출경로에 설치되어 하전입자를 포집하기 위한 그리드와, 상기한 그리드와 전자선 용융장치를 연결하며, 성장챔버에 설치하기 위한 플랜지와, 상기한 플랜지에 부설되고 접지 또는 DC전압과 연결되어, 상기한 그리드를 접지시키거나 그리드에 특정극성의 전압을 가해 (+) 또는 (-)중 특정전하를 가진 입자를 선택적으로 제거하기 위한 전기 연결부(eletrical feedthrough)로 구성된 것을 특징으로 하는 하전입자 제거장치가 구비된 전자선 용융장치 모듈

2 2

분자선 에피택시장치 또는 전자선 증착장치의 전자선 용융장치에서 발생된 전자선에 의해 생성된 소스이온 및 산란전자를 제거하기 위한 하전입자 제거장치가 구비된 기판장치 모듈에 있어서, 상기한 기판장치의 소스입자 입사경로에 설치되어 하전입자를 포집하기 위한 그리드와, 상기한 그리드와 기판장치를 연결하며, 성장챔버에 설치하기 위한 플랜지와, 상기한 플랜지에 부설되고 접지 또는 DC전압과 연결되어, 상기한 그리드를 접지시키거나 그리드에 특성극성의 전압을 가해 (+) 또는 (-)중 특정전하를 가진 입자를 선택적으로 제거하기 위한 전기 연결부(eletrical feedthrough)로 구성된 것을 특징으로 하는 하전입자 제거장치가 구비된 전자선 용융장치 모듈

3 3

분자선 에피택시장치 또는 전자선 증착장치의 전자선 용융장치에서 발생된 전자선에 의해 생성된 소스이온 및 산란전자를 제거하기 위한 하전입자 제거방법에 있어서, 전자선 용융장치의 소스입자 방출경로 또는 기판장치의 소스입자 입사경로에 설치되어 하전입자를 포집하기 위한 그리드를 설치하고, 상기한 그리드와 전자선 용융장치 또는 기판장치를 접지시키거나, 그리드에 특정극성을 전압을 가해 (+) 또는 (-)중 특정전하를 가진 입자를 제거하는 것을 특징으로 하는 하전입자 제거방법

4
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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