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전력소자 기판구조

  • 기술번호 : KST2015075197
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 선형성이 향상된 전력소자 기판구조에 관한 것으로서, 종래에 초격자 완충층에 바로 고농도층을 성장시키면 AlGaAs의 Al 확산계수가 작아 계면의 거칠기와 불순물의 확산으로 인하여 동작점 근처의 바이어스에서 완충층에 의한 전류로 트랜스 컨덕턴스의 기울기가 급준하지 못하여 비선형성을 보이게 되는 문제점을 해결하기 위하여, 본 발명은 초격자 완충층과 고농도 도핑층 사시에 도핑하지 않은 갈륨비소층을 제공함으로써 계면 거칠기와 불순물의 확산을 막아 선형적인 트랜스 컨덕턴스를 얻을 수 있다.
Int. CL H01L 21/20 (2006.01)
CPC H01L 21/02395(2013.01) H01L 21/02395(2013.01) H01L 21/02395(2013.01)
출원번호/일자 1019950053653 (1995.12.21)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0171375-0000 (1998.10.19)
공개번호/일자 10-1997-0051989 (1997.07.29) 문서열기
공고번호/일자 (19990330) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1995.12.21)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 맹성재 대한민국 대전광역시 유성구
2 이종람 대한민국 대전광역시 유성구
3 김해천 대한민국 대전광역시 유성구
4 이창석 대한민국 대전광역시 서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 원혜중 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **, 서울빌딩 *층 (역삼동)
3 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
4 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대구광역시 유성구
2 에스케이 텔레콤주식회사 대한민국 서울특별시 중구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원심사청구서
Request for Examination		 1995.12.21 수리 (Accepted) 1-1-1995-0207351-60
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1995.12.21 수리 (Accepted) 1-1-1995-0207350-14
3 특허출원서
Patent Application		 1995.12.21 수리 (Accepted) 1-1-1995-0207349-78
4 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1997.05.07 수리 (Accepted) 1-1-1995-0207352-16
5 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.08.25 수리 (Accepted) 1-1-1995-0207353-51
6 등록사정서
Decision to grant		 1998.09.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1995-0109501-39
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

반절연성 갈륨비소 기판위에 갈륨비소 완충층, 초격자 완충층, 캐리어를 공급하는 고농도 도핑층, 저농도 도핑층, 그리고 표면을 보호하기 위한 캡층으로 구성된 전력소자 기판 구조에 있어서, 도핑하지 않은 갈륨비소층이 상기 초격자층과 고농도 도핑층 사이에 삽입하여 형성됨으로써 계면 거칠기와 불순물의 확산을 막아 선형적인 트랜스 컨덕턴스를 얻을 수 있는 것을 특징으로 하는 전력소자 기판구조

2 2

제1항에 있어서, 상기 도핑하지 않은 갈륨비소층은 100~250Å로 삽입한 것을 특징으로 하는 전력소자 기판구조

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.