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반도체 장치의 배선층간절연막 형성 방법

  • 기술번호 : KST2015075413
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야반도체 장치 제조 분야.2. 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제 저유전체 박막의 흡습성을 개선하는 동시에 공정시간의 단축을 도모하고자 함.3. 발명의 해결 방법의 요지플라즈마화된 반응가스로 저유전체 불소화실리콘산화막(SiOxFy, SiOF)을 증착한 다음, 동일 반응실에서 상기 불소화실리콘산화막 표면을 질소 플라즈마 분위기로 질화 처리한다.4. 발명의 중요한 용도반도체 장치의 배선층간절연막 형성.
Int. CL H01L 21/20 (2006.01)
CPC H01L 21/02274(2013.01) H01L 21/02274(2013.01)
출원번호/일자 1019960047753 (1996.10.23)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0228399-0000 (1999.08.10)
공개번호/일자 10-1998-0028625 (1998.07.15) 문서열기
공고번호/일자 (19991101) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1996.10.23)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 장원익 대한민국 대전광역시 유성구
2 강승열 대한민국 서울특별시 은평구
3 백종태 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신성특허법인(유한) 대한민국 서울특별시 송파구 중대로 ***, ID타워 ***호 (가락동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원심사청구서
Request for Examination		 1996.10.23 수리 (Accepted) 1-1-1996-0164808-15
2 특허출원서
Patent Application		 1996.10.23 수리 (Accepted) 1-1-1996-0164806-24
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1996.10.23 수리 (Accepted) 1-1-1996-0164807-70
4 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1997.04.09 수리 (Accepted) 1-1-1996-0164809-61
5 등록사정서
Decision to grant		 1999.05.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0171362-79
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

반도체 장치의 금속배선층간의 절연을 위한 배선층간절연막 형성 방법에 있어서,

적어도 불소(F)와 산소(O)를 포함하는 제1 반응가스를 제1 플라즈마화하여 상기 제1 플라즈마에 의해 불소화산화실리콘막을 웨이퍼 상에 형성하는 단계; 및

상기 불소화산화실리콘막을 형성한 반응실과 동일 반응실에서 적어도 질소(N)를 포함하는 제2 반응가스를 제2 플라즈마화하여 상기 제2 플라즈마로 상기 불소화산화실리콘막 표면을 처리하는 단계를 포함하여 이루어진 반도체 장치의 배선층간절연막 형성 방법

2 2

제 1 항에 있어서,

상기 제1 플라즈마 및 제2 플라즈마는 전자 사이크로트론 공명에 의해 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 배선층간절연막 형성 방법

3 3

제 1 항에 있어서,

상기 제1 반응가스는 캐리어 가스;

SiF4/O2, SF6/O2, CF4/O2, 및 C2F6/O2 중 어느 하나를 각각 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 배선층간절연막 형성 방법

4 4

제 1 항에 있어서,

상기 제2 반응가스는 캐리어 가스;

N2, NH3, 및 N2O 중 어느 하나를 각각 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 배선층간절연막 형성 방법

5 5

제 3 항 또는 제 4 항에 있어서,

상기 캐리어 가스는 Ar 또는 He을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 배선층간절연막 형성 방법

6 6

제 1 항에 있어서,

상기 불소화산화실리콘막을 ICP(inductive coupled plasma), TCP(transfomer coupled plasma), 헬리콘(helicon) 및 MORI(MO reactive ion) 방법중 어느한 방법으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 배선층간절연막 형성 방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.