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장파장 표면방출 레이저 칩 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015075467
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 장파장 표면방출 레이저 칩 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 광 펌핑으로 동작되는 장파장 레이저 칩을 전기적으로 동작되는 단파장 표면방출 레이저 칩으로 광 펌핑하여 장파장 레이저 빔을 방출함으러써, 레이저 칩의 성장이 간단해지고, 광 펌핑 후 잔류된 단파장 레이저 빔을 InP 기판에서 흡수하므로 자동적으로 여과될 수 있도록 한 장파장 표면방출 레이저 칩 및 그 제조 방법이 개시된다.
Int. CL H01S 5/18 (2006.01)
CPC H01S 5/18369(2013.01) H01S 5/18369(2013.01) H01S 5/18369(2013.01)
출원번호/일자 1019960038192 (1996.09.04)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0212460-0000 (1999.05.10)
공개번호/일자 10-1998-0019928 (1998.06.25) 문서열기
공고번호/일자 (19990802) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1996.09.04)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박효훈 대한민국 대전광역시 유성구
2 유병수 대한민국 대전광역시 서구
3 추혜용 대한민국 대전광역시 유성구
4 이번 대한민국 대전광역시 유성구
5 백종협 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신영무 대한민국 서울특별시 강남구 영동대로 ***(대치동) KT&G타워 *층(에스앤엘파트너스)
2 최승민 대한민국 서울특별시 중구 통일로 **, 에이스타워 *층 (순화동)(법무법인 세종)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원심사청구서
Request for Examination		 1996.09.04 수리 (Accepted) 1-1-1996-0134027-26
2 특허출원서
Patent Application		 1996.09.04 수리 (Accepted) 1-1-1996-0134025-35
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1996.09.04 수리 (Accepted) 1-1-1996-0134026-81
4 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1997.03.12 수리 (Accepted) 1-1-1996-0134028-72
5 등록사정서
Decision to grant		 1999.02.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0061431-29
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
8 [대리인사임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Resignation of Agent] Report on Agent (Representative)		 2008.11.06 수리 (Accepted) 1-1-2008-5055003-22
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

광 펌핑으로 동작되는 장파장 레이저 칩을 전기적으로 작동되는 단파장 표면방출 레이저 칩과 적합하여 단파장 표면방출 레이저 칩에서 발진되는 레이저 빔으로 장파장 레이저 빔을 광 펌핑으로 발진시키도록 구성된 것을 특징으로 하는 장파장 표면방출 레이저 칩

2 2

제1항에 있어서, 상기 장파장 레이저 칩은 단파장 무반사막과, 상기 단파장 무반사막 상부에 형성된 유전체 DBR 거울층과, 상기 유전체 DBR 거울층 상부에 형성된 활성층과, 상기 활성층 상부에 형성된 반도체 DBR 거울층과, 상기 DBR 거울층 상부에 형성된 InP 기판과, 상기 InP 기판 상부에 형성된 장파장 무반사막으로 구성된 것을 특징으로 하는 장파장 표면방출 레이저 칩

3 3

제1항에 있어서, 상기 단파장 표면방출 레이저 칩의 빛이 나오는 면 위에 렌즈를 만들어 단파장 레이저 빔이 장파장 레이저 칩의 활성층에 초점이 맞게 조사되는 것을 특징으로 하는 장파장 표면방출 레이저 칩

4 4

제1항에 있어서, 상기 장파장 레이저 칩의 기판 뒷면을 위로 향하게 뒤집어 단파장 표면방출 레이저 칩에 접합함으로서 광 펌핑후 잔류된 단파장 레이저가 장파장 레이저 칩의 기판에서 흡수되도록 한 것을 특징으로 하는 장파장 표면방출 레이저 칩

5 5

InP 기판 상에 반도체 DBR 거울층을 형성하는 단계와, 상기 반도체 DBR 거울층 상부에 활성층을 형성하는 단계와, 상기 활성층 상부에 유전체 DBR 거울층을 형성하는 단계와, 상기 유전체 DBR 거울층 상부와 InP 기판 밑면에 각각 단파장 무반사막과 장파장 무반사막을 형성하는 단계와, 상기 단파장 무반사막을 단파장 표면방출 레이저의 단파장 무반사막과 접합부로 연결시키는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 장파장 표면방출 레이저 칩 제조 방법

6 6

제5항에 있어서, 상기 반도체 DBR 거울층은 InP에 격자 정합되는 In0

7 7

제5항에 있어서, 상기 활성층은 In1-xGaxAs/InP(0

8 8

제5항에 있어서, 상기 유전체 DBR 거울층은 거울층 매질로 사용되는 유전체 박막으로 형성 한 것을 특징으로 하는 장파장 표면방출 레이저 칩 제조 방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.