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기판;상기 기판 상에서 회절격자를 갖는 하부 클래드 층;상기 하부 클래드 층 상에서 제 1 방향으로 연장된 활성 도파로;상기 활성 도파로 상의 상부 클래드 층; 상기 상부 클래드 상의 신호 패드; 및상기 제 1 방향에 교차되는 제 2 방향에 대해 상기 활성 도파로, 상기 상부 클래드 층, 및 상기 신호 패드에서 이격되어 상기 하부 클래드 층에 연결(coupling)되는 적어도 하나의 접지 패드를 포함하는 분포 궤환형 레이저 다이오드
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제 1 항에 있어서,상기 상부 클래드 층은 상기 활성 도파로의 전면을 덮는 제 1 상부 클래드 층; 및상기 제 1 상부 클래드 층의 리지 도파로를 형성하는 제 2 상부 클래드 층을 포함하는 분포 궤환형 레이저 다이오드
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제 2 항에 있어서,상기 제 2 상부 클래드 층은 상기 제 2 방향으로 역 삼각형의 리버스 메사 구조를 갖는 분포 궤환형 레이저 다이오드
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제 3 항에 있어서,상기 상부 클래드 층은 상기 제 1 상부 클래드 층과 상기 제 2 상부 클래드 층 사이의 에치 스톱 층을 더 포함하는 분포 궤환형 레이저 다이오드
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제 4 항에 있어서,상기 에지 스톱 층은 상기 리버스 메사 구조의 깊이 또는 두께를 정의하는 분포 궤환형 레이저 다이오드
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제 2 항에 있어서,상기 하부 클래드 층 및 상기 제 1 상부 클래드 층을 덮는 보호막; 및상기 보호막을 관통하여 상기 접지 패드와 상기 하부 클래드 층 사이에 배치된 제 1 콘택 플러그를 더 포함하는 분포 궤환형 레이저 다이오드
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제 6 항에 있어서,상기 보호막은,상기 하부 클래드 층, 상기 상부 클래드 층의 상부 및 측벽 상의 제 1 보호막; 및상기 제 1 보호막을 덮고 상기 상부 클래드 층과 동일한 높이까지 형성된 제 2 보호막을 포함하는 분포 궤환형 레이저 다이오드
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제 2 항에 있어서,상기 제 2 상부 클래드 층과 상기 신호 패드 사이의 오믹 콘택 층 및 제 2 콘택 플러그를 더 포함하는 분포 궤환형 레이저 다이오드
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제 1 항에 있어서,상기 접지 패드와 상기 신호 패드는 상기 제 2 방향에 대해 GSG 구조로 배열된 분포 궤환형 레이저 다이오드
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10
제 1 항에 있어서,상기 활성 도파로는 다중양자우물 구조를 갖는 분포 궤환형 레이저 다이오드
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기판 상에 하부 클래드 층을 형성하는 단계;상기 하부 클래드 층 상에 제 1 방향의 활성 도파로 및 상부 클래드 층을 형성하는 단계;상기 상부 클래드 층 및 상기 하부 클래드 층 상에 형성되고, 상기 상부 클래드 층 및 상기 하부 클래드 층의 일부를 노출하는 콘택 홀들을 갖는 보호막을 형성하는 단계; 및상기 콘택 홀들을 통해 상기 상부 클래드 층 및 상기 하부 클래드 층에 전기적으로 각각 연결되는 신호 패드 및 접지 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 분포 궤환형 레이저 다이오드의 제조방법
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제 11 항에 있어서,상기 활성 도파로 및 상부 클래드 층의 형성 단계는, 상기 하부 클래드 층 상에 활성 도파로를 형성하는 단계;상기 활성 도파로 상에 제 1 상부 클래드 층을 형성하는 단계; 상기 제 1 상부 클래드 층 상에 에치 스톱 층을 형성하는 단계;상기 에치 스톱 층 상에 제 2 상부 클래드 층을 형성하는 단계;상기 제 2 상부 클래드 층 상에 오믹 콘택 층을 형성하는 단계; 및상기 오믹 콘택 층, 상기 제 2 상부 클래드 층, 및 상기 에치 스톱 층을 역 삼각형의 리버스 메사 구조를 갖도록 식각하는 단계를 포함하는 분포 궤환형 레이저 다이오드의 제조방법
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제 12 항에 있어서,상기 리버스 메사 구조의 상기 오믹 콘택 층, 상기 제 2 상부 클래드 층, 및 상기 에치 스톱 층의 식각 단계는 브롬산 또는 염산의 습식 용액에 의해 수행되는 분포 궤환형 레이저 다이오드의 제조방법
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