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희생층을 사용한 미소구조체 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015075469
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야반도체 집적회로 제작 공정을 기반으로 한 표면 마이크로 머시닝 기술.2. 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제 희생층을 사용한 미소구조체를 제조할시, 희생산화막 제거로 인해 나타나는 미소구조체의 고착 현상을 방지하고자 함.3. 발명의 해결 방법의 요지희생층을 폴리실리콘막 상에 형성하고 희생층을 증기상 식각 방법으로 제거하여, 잔류물의 발생을 방지하는 동시에 희생층 제거로 인한 공간에 상부 구조체가 침몰하여 발생되는 고착현상을 방지한다.4. 발명의 중요한 용도MEMS(micro electro mechanical system) 제작부수HF, 메탄올, 고착
Int. CL H01L 21/20 (2006.01)
CPC H01L 21/3086(2013.01) H01L 21/3086(2013.01) H01L 21/3086(2013.01)
출원번호/일자 1019960041474 (1996.09.21)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0237000-0000 (1999.10.05)
공개번호/일자 10-1998-0022353 (1998.07.06) 문서열기
공고번호/일자 (20000115) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1996.09.21)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정회환 대한민국 대전광역시 서구
2 이종현 대한민국 대전광역시 유성구
3 이창승 대한민국 대전광역시 유성구
4 백종태 대한민국 대전광역시 유성구
5 유형준 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신성특허법인(유한) 대한민국 서울특별시 송파구 중대로 ***, ID타워 ***호 (가락동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원심사청구서
Request for Examination		 1996.09.21 수리 (Accepted) 1-1-1996-0144613-51
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1996.09.21 수리 (Accepted) 1-1-1996-0144612-16
3 특허출원서
Patent Application		 1996.09.21 수리 (Accepted) 1-1-1996-0144611-60
4 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1997.04.04 수리 (Accepted) 1-1-1996-0144614-07
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1999.04.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0137679-49
6 의견서
Written Opinion		 1999.06.17 수리 (Accepted) 1-1-1999-5221587-33
7 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1999.06.17 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-1999-5221588-89
8 등록사정서
Decision to grant		 1999.08.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0264613-93
9 FD제출서
FD Submission		 1999.10.05 수리 (Accepted) 2-1-1999-5167134-08
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

희생층 산화막을 사용하여 미소구조체를 제조하는 마이크로 머시닝 공정에 있어서,

무수 HF와 메탄올 증기를 포함하는 증기상 분위기에서 상기 희생층 산화막을 식각하여 제거하는 것

을 특징으로 하는 희생층 산화막을 사용한 미소구조체 제조 방법

2 2

제 1 항에 있어서,

상기 희생층 산화막의 제거시 식각 잔류물이 발생되는 것을 방지하기 위하여, 상기 희생층 산화막의 하부층에 폴리실리콘막을 형성하고 그 상부에 상기 희생층 산화막을 형성하는 것을 특징으로 하는 희생층 산화막을 사용한 미소구조체 제조 방법

3 3

제 2 항에 있어서,

상기 희생층 산화막은 테트라에틸오쏘실리케이트글래스(Tetraethylorthosilicateglass)막인 것을 특징으로 하는 희생층 산화막을 사용한 미소구조체 제조 방법

4 4

기판 상에서 띄워진 실리콘 미소구조체를 제작하기 위한 마이크로 머시닝 공정에 있어서,

실리콘 기판 상에 최상층을 질화막으로 하는 다층의 절연막을 형성하는 단계;

상기 질화막 상에 제1폴리실리콘막을 형성하는 단계;

상기 제1폴리실리콘막 상에 미소구조체가 띄워지는 공간을 제공하는 희생층으로 테트라에틸오쏘실리케이트글래스막 패턴을 형성하는 단계;

전체구조 상부에 미소구조체의 재료인 제2폴리실리콘막을 형성하는 단계;

상기 제2폴리실리콘막을 선택적으로 식각하여 미소구조체 패턴을 형성하는 단계; 및

무수 HF와 메탄올 증기를 포함하는 증기상 분위기에서 상기 테트라에틸오쏘실리케이트글래스막 패턴을 식각하여 제거하는 단계를 포함하여 이루어진 미소구조체 제조 방법

5 5

제 4 항에 있어서,

상기 제2폴리실리콘막을 선택적으로 식각하여 미소구조체 패턴을 형성하는 단계는,

상기 제2폴리실리콘막 상에 마스크용 산화막을 형성하는 단계;

상기 마스크용 산화막을 리소그래피 공정에 의해 패터닝하는 단계; 및

상기 패터닝된 마스크용 산화막을 식각장벽으로하여 상기 제2폴리실리콘막을 식각하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 미소구조체 제조 방법

6 6

제 5 항에 있어서,

상기 마스크용 산화막은 테트라에틸오쏘실리케이트글래스막 인 것을 특징으로 하는 미소구조체 제조 방법

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2 JP02951922 JP 일본 FAMILY
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1 JP10107339 JP 일본 DOCDBFAMILY
2 JP2951922 JP 일본 DOCDBFAMILY
3 JPH10107339 JP 일본 DOCDBFAMILY
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