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갈륨아세나이드 헴트 소자 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015075583
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 GaAs HEMT 소자 제조 방법에 관한 것으로, 소자 특성의 균일도가 저하되며 수율이 떨어지는 종래의 선택적 식각 방법의 문제점을 해결하기 위하여 AlGa As층에 도핑을 하고 두께를 증가시킨 에피구조를 사용하며, AlGaAs 및 GaAs에서 에칭속도가 비슷한 인산계 에칭용액을 사용하여 HEMT의 게이트 리세스 에칭을 실시하여 소자 특성의 균일도를 향상시키고 수율을 높일 수 있는 GaAs HEMT 소자 제조 방법이 제시된다.
Int. CL H01L 21/335 (2006.01)
CPC H01L 29/66462(2013.01) H01L 29/66462(2013.01) H01L 29/66462(2013.01)
출원번호/일자 1019960053212 (1996.11.11)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0204579-0000 (1999.03.29)
공개번호/일자 10-1998-0034996 (1998.08.05) 문서열기
공고번호/일자 (19990615) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1996.11.11)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김해천 대한민국 대전광역시 유성구
2 윤광준 대한민국 대전광역시 유성구
3 문재경 대한민국 대전광역시 서구
4 이재진 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신영무 대한민국 서울특별시 강남구 영동대로 ***(대치동) KT&G타워 *층(에스앤엘파트너스)
2 최승민 대한민국 서울특별시 중구 통일로 **, 에이스타워 *층 (순화동)(법무법인 세종)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1996.11.11 수리 (Accepted) 1-1-1996-0180931-09
2 출원심사청구서
Request for Examination		 1996.11.11 수리 (Accepted) 1-1-1996-0180932-44
3 특허출원서
Patent Application		 1996.11.11 수리 (Accepted) 1-1-1996-0180930-53
4 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1997.03.12 수리 (Accepted) 1-1-1996-0180933-90
5 등록사정서
Decision to grant		 1999.01.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0018376-18
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
8 [대리인사임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Resignation of Agent] Report on Agent (Representative)		 2008.11.06 수리 (Accepted) 1-1-2008-5055003-22
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

반절연체 GaAs 기판 상부에 버퍼층을 형성하는 단계와, 상기 버퍼층 상부에 이동전자 공급층을 형성하는 단계와, 상기 이동전자 공급층 상부에 AlGaAs층을 형성하는 단계와, 상기 AlGaAs층 상부에 GaAs 표면층을 형성하는 단계와, 상기 GaAs 표면층 상부에 오옴익 전극층을 형성하는 단계와, 전체 구조 상부에 감광막을 도포한 후 게이트 패턴을 형성하고 게이트 리세스 에칭을 AlGaAs층 안쪽까지 실시하여 그루브를 형성하는 단계와, 상기 그루브에 금속 게이트를 형성하는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 갈륨아세나이드(GaAs) 헴트(HEMT) 소자 제조 방법

2 2

제1항에 있어서, 상기 AlGaAs층은 0

3 3

제1항에 있어서, 상기 AlGaAs층은 40 내지 60nm의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 갈륨아세나이드(GaAs) 헴트(HEMT) 소자 제조 방법

4 4

제1항에 있어서, 상기 게이트 리세스 에칭은 인산 : 과산화수소의 비율이 6 : 1내지 2 : 1인 용액에 물을 100배 내지 400배 사이로 희석한 용액을 에칭 용액으로 사용하여 실시하는 것을 특징으로 하는 갈륨아세나이드(GaAs) 헴트(HEMT) 소자 제조 방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.