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반절연성 갈륨비소 기판(1)위에 제1 완충층(2)과; 이 위에 상기 기판(1)을 통한 누설전류를 방지하기 위한 초격자 장벽층(3)과; 초격자층과 채널층과의 격자정합성을 향상시키기 위한 제2 완충층(4)과; 이 위에 N-형 불순물을 1×1017∼1×1018/cm3의 농도로 1000∼3000Å 두께로 형성되는 활성층(5)과 ; 상기 활성층(5) 위에 항복전압의 향상을 위하여 표면층에 도핑되지 않은 갈륨비소 캡층(6)으로 형성된 E-MESFET 및 D-MESFET 제조용 기판 구조에 있어서, 상기 활성층(5)은 균일도핑된 단일층, 기울기 도핑된 단일층, 계단형으로 도핑된 2중층 또는 그 이상의 층으로 형성된 채널층을 갖고, 상기 활성층(5)사이사이에 10∼100Å두께로 도핑되지 않은 적어도 하나 이상의 식각 멈춤층이 삽입된 것을 특징으로 하는 E-MESFET 및 D-MESFET 제조용 기판 구조
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제1항에 있어서, 상기 식각 멈춤층은 알루미늄갈륨비소(AlxGa1-xAs)이고, 그 알루미늄(Al)의 조성 x 가 0
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반절연성 갈륨비소 기판(1) 위에 MBE 방법으로 도핑되지 않은 제1완충층(2)을 소정두께로 성장하는 제1공정과; 이 위에 상기 기판(1)을 통한 누설전류를 방지하기 위한 초격자 장벽층(3)을 형성하는 제2공정과; 상기 초격자 장벽층(3) 위에 초격자층과 채널층과의 격자 정합성을 향상시키기 위해 도핑되지 않은 제2완충층(4)을 성장시키는 제3공정과; 이 위에 N-형 불순물을 소정 농도로 일정 두께로 활성층(5)을 형성하는 제4공정과; 상기 활성층(5) 위에 항복전압의 향상을 위해 표면층에 도핑되지 않은 갈륨비소 캡층(6)을 형성하는 제5공정으로 이루어진 E-MESFET 및 D-MESFET 제조용 기판 제조 방법에 있어서, 상기 제4공정은 상기 활성층(5) 사이 사이에 식각 멈춤층을 적어도 하나 이상의 층으로 삽입하고 선택적 식각법을 사용하여 소자의 특성을 조절하는 것을 특징으로 하는 E-MESFET 및 D-MESFET 제조용 기판 제조 방법
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제3항에 있어서, 상기 제4공정은 E-MESFET가 형성되는 깊이에 도핑되지 않은 제2 식각 멈춤층(15)을 삽입하고, 이와 동시에 D-MESFET가 형성되는 깊이에 상기 제1식각 멈춤층(16)을 삽입하여 성장시키는 것을 특징으로 하는 E-MESFET 및 D-MESFET 제조용 기판 제조방법
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제4항에 있어서, 상기 제1 및 제2 식각 멈춤층(16,15)은 동일한 알루미늄갈륨비소(AlxGa1-xAs)(x=0
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제3항에 있어서, 상기 식각 멈춤층을 삽입하여 식각과정에서 선택성을 이용하여 상기 활성층(5)의 두께를 조절하는 것을 특징으로 하는 E-MESFET 및 D-MESFET 제조용 기판 제조 방법
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