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전계효과 트랜지스터 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015075596
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 전계효과 트랜지스터 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 포화 드레인 전류의 량을 증가시키기 위하여 드레인측의 부도체층을 소오스측보다 얇게 형성하므로써 일정한 게이트 전압 조건하에서의 포화 드레인 전압이 증가될 수 있도록 한 금속-부도체-반도체 전계효과 트랜지스터(Metal-Insulator-Semiconductor Field Effect Transistor)의 구조와 그 제조 공정에 관한 것이다.
Int. CL H01L 21/335 (2006.01)
CPC H01L 29/42368(2013.01) H01L 29/42368(2013.01) H01L 29/42368(2013.01)
출원번호/일자 1019960063142 (1996.12.09)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-1998-0044985 (1998.09.15) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1996.12.09)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박경완 대한민국 대전광역시 유성구
2 이성재 대한민국 서울특별시 서초구
3 신민철 대한민국 대전광역시 중구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신영무 대한민국 서울특별시 강남구 영동대로 ***(대치동) KT&G타워 *층(에스앤엘파트너스)
2 최승민 대한민국 서울특별시 중구 통일로 **, 에이스타워 *층 (순화동)(법무법인 세종)

최종권리자

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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1996.12.09 수리 (Accepted) 1-1-1996-0210854-29
2 출원심사청구서
Request for Examination		 1996.12.09 수리 (Accepted) 1-1-1996-0210856-10
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1996.12.09 수리 (Accepted) 1-1-1996-0210855-75
4 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1997.03.12 수리 (Accepted) 1-1-1996-0210857-66
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1999.02.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0057258-87
6 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1999.04.16 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-1999-5151550-80
7 의견서
Written Opinion		 1999.04.16 수리 (Accepted) 1-1-1999-5151549-33
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1999.06.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0200569-93
9 거절사정서
Decision to Refuse a Patent		 1999.10.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0318926-78
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

소오스 및 드레인이 형성된 반도체 기판과,

상기 소오스 및 드레인 사이의 상기 반도체 기판상에 형성되며 상기 반도체 기판과는 부도체층에 의해 전기적으로 분리되는 게이트로 이루어지는 전계효과 트랜지스터에 있어서,

상기 부도체층의 두께가 불균일하게 형성된 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터

2 2

제 1 항에 있어서,

상기 부도체층은 상기 드레인측보다 상기 소오스측이 두껍게 형성된 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터

3 3

제 1 항에 있어서,

상기 게이트는 금속으로 형성된 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터

4 4

전계효과 트랜지스터 제조 방법에 있어서,

사진 공정을 이용하여 반도체 기판의 소오스와 드레인 영역을 가각 노출시킨 후 노출된 상기 반도체 기판에 불순물 이온 주입하여 소오스 및 드레인을 각각 형성하는 단계와,

상기 반도체 기판상에 저항성 접촉을 위한 금속을 증착한 후 열처리 공정을 실시하는 단계와,

상기 반도체 기판상에 상기 드레인측과 상기 소오스측의 두께가 서로 다른 부도체층을 형성하는 단계와,

상기 소오스 및 드레인간의 상기 반도체 기판상에만 상기 부도체층을 잔류시킨 후 잔류된 상기 부도체층상에 게이트를 형성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터의 제조 방법

5 5

제 4 항에 있어서,

상기 부도체층은 상기 드레인측보다 상기 소오스측이 두껍게 형성된 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터 제조 방법

6 6

제 4 항에 있어서,

상기 부도체층의 두께 차이는 상기 반도체 기판의 부도체 형성 온도차에 의해 발생되는 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터 제조 방법

7 7

제 6 항에 있어서,

상기 반도체 기판의 온도차는 부분적인 적외선 레이져 빔의 조사에 의해 발생되는 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터 제조 방법

8 8

제 7 항에 있어서,

상기 적외선 레이져 빔은 상기 소오스측의 반도체 기판에만 조사되는 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터 제조 방법

9 9

제 6 항에 있어서,

상기 반도체 기판의 온도차는 렌즈에 의해 집적된 적외선 빔의 부분적인 조사에 의해 발생되는 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터 제조 방법

10 10

제 9 항에 있어서,

상기 렌즈에 의해 집적된 적외선 빔은 상기 소오스측의 반도체 기판에만 조사되는 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터 제조 방법

11 11

제 4 항에 있어서,

상기 게이트는 금속으로 형성된 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터 제조 방법

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP10173185 JP 일본 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP10173185 JP 일본 DOCDBFAMILY
2 JPH10173185 JP 일본 DOCDBFAMILY
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