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동일평면상에 PNP/NPN 화합물 반도체 HBT의 에피층을 형성하는방법

  • 기술번호 : KST2015075708
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본원 발명은 동일평면상에 PNP/NPN 화합물반도체 HBT의 에피층을 형성하는 방법에 관한 것으로, 감광막을 마스크로 하여 PNP 화합물반도체 HBT가 형성되는 영역 이외의 갈륨비소 기판(100)을 식각하여 돌출부를 형성하는 공정과, 상기 갈륨비소 기판 전면에 PNP 화합물반도체 HBT의 에피층을 성장시키는 공정과, 상기 PNP 화합물반도체 HBT의 에피층 전면에 NPN 화합물반도체 HBT의 에피층을 성장시키는 공정과, 상기 돌출부 상의 PNP 화합물반도체 HBT의 에피층 상에 성장된 NPN 화합물반도체 HBT의 에피층을 식각하는 공정을 포함하는 동일평면 상에 PNP/NPN 화합물반도체 HBT의 에피층을 성장시킴으로써, 에미터 상층구조 NPN/PNP 화합물반도체 HBT를 동일 평면상에 제작할 수 있으므로, NPN 화합물반도체 HBT 만으로 제작이 곤란했던 능동부하(active loads), 전류원(current sources)및 푸시풀 증폭기(push-pull amplifier)를 제작하는 것이 가능한 효과를 가진다.
Int. CL H01L 21/20 (2006.01)
CPC H01L 21/02546(2013.01) H01L 21/02546(2013.01) H01L 21/02546(2013.01) H01L 21/02546(2013.01) H01L 21/02546(2013.01)
출원번호/일자 1019960064707 (1996.12.12)
출원인 한국전자통신연구원, 주식회사 케이티
등록번호/일자 10-0243409-0000 (1999.11.16)
공개번호/일자 10-1998-0046382 (1998.09.15) 문서열기
공고번호/일자 (20000201) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1996.12.12)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박문평 대한민국 대전광역시 유성구
2 이태우 대한민국 대전광역시 서구
3 박성호 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
3 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원심사청구서
Request for Examination		 1996.12.12 수리 (Accepted) 1-1-1996-0215629-24
2 특허출원서
Patent Application		 1996.12.12 수리 (Accepted) 1-1-1996-0215627-33
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1996.12.12 수리 (Accepted) 1-1-1996-0215628-89
4 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1997.03.24 수리 (Accepted) 1-1-1996-0215630-71
5 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.08.27 수리 (Accepted) 1-1-1996-0215631-16
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.20 수리 (Accepted) 4-1-1999-0010652-29
7 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent		 1999.03.12 수리 (Accepted) 1-1-1999-5109411-12
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1999.06.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0206198-97
9 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1999.08.30 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-1999-5313327-60
10 의견서
Written Opinion		 1999.08.30 수리 (Accepted) 1-1-1999-5313322-32
11 등록사정서
Decision to grant		 1999.10.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0326160-44
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2000-0005008-66
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.04.09 수리 (Accepted) 4-1-2002-0032774-13
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.03.13 수리 (Accepted) 4-1-2009-5047686-24
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2010-5068437-23
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2012-5005621-98
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.03.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5058926-38
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.08 수리 (Accepted) 4-1-2012-5122434-12
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2013-5106568-91
23 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018159-78
24 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

감광막을 마스크로 하여 PNP 화합물반도체 HBT가 형성되는 영역 이외의 갈륨비소 기판(100)을 식각하여 돌출부를 형성하는 공정과, 상기 갈륨비소 기판 전면 PNP 화합물반도체 HBT의 에피층을 성장시키는 공정과, 상기 PNP 화합물반도체 HBT의 에피층 전면에 NPN 화합물반도체 HBT의 에피층을 성장시키는 공정과, 상기 돌출부 상의 PNP 화합물반도체 HBT의 에피층 상에 성장된 NPN 화합물반도체 HBT의 에피층을 식각하는 공정을 포함하는 동일평면 상에 PNP/NPN 화합물반도체 HBT의 에피층을 성장시키는 것을 특징으로 하는 동일평면상에 PNP/NPN 화합물반도체 HBT의 에피층을 형성하는 방법

2 2

제1항에 있어서, 상기 PNP 화합물반도체 HBT의 에피층은 p+-GaAs 부콜렉터층(11), p-GaAs 콜렉터층(12), n+-GaAs 베이스층(13), P-AlGaAs 에미터층(14) 및 p+-GaAs 에미터캡층(15)을 순차적으로 성장시켜 구성하는 것을 특징으로 하는 동일평면 상에 PNP/NPN 화합물반도체 HBT의 에피층을 성장시키는 방법

3 3

제1항에 있어서, 상기 NPN 화합물반도체 HBT의 에피층은 n+-GaAs 부콜렉터층(21), n-GaAs 콜렉터층(22), p+-GaAs 베이스층(23), N-AlGaAs 에미터층(24) 및 n+-GaAs 에미터캡층(25)을 순차적으로 성장시켜 구성하는 것을 특징으로 하는 동일평면 상에 PNP/NPN 화합물반도체 HBT의 에피층을 성장시키는 방법

4 4

제1항에 있어서, 상기 PNP 화합물반도체 HBT의 에피층은 불순물 도핑농도가 5×1018 1㎝-3, 두께가 0

5 5

제1항에 있어서, NPN 화합물반도체 HBT의 에피층은 불순물 도핑농도가 5×1018 1㎝-3, 두께가 0

6 6

제1항에 있어서, 상기 갈륨비소 기판 돌출부의 PNP 화합물반도체 HBT의 에피층 상에 성장시킨 NPN 화합물반도체 HBT의 에피층 및 PNP 화합물반도체 HBT의 측벽에 얇게 성장된 Npn 화합물반도체 HBT의 에피층을 감광막을 마스크로 식각하여 PNP/NPN 화합물반도체 HBT가 전기적으로 분리된 것을 특징으로 하는 동일평면 상에 PNP/NPN 화합물반도체 HBT의 에피층을 성장시키는 방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.