| 요약 |
본 발명은 반도체 소자에 관한 것으로, 특히, 화합물 반도체 소자 제조용 에피택셜 기판 및 화합물 반도체 소자의 완충층 형성방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 화합물 반도체 소자 제조용 에피택셜 기판은, 에피택시 방법에 의해 제조되며, 기판, 완충층 및 채널층을 포함하는, 화합물 반도체 소자 제조용 에피택셜 기판에 있어서, 상기한 완충층은, 도핑하지 않은 인듐 알루미늄 갈륨 비소의 4원소 화합물로 이루어진 것을 특징으로 하며, 본 발명에 따른 화합물 반도체 완충층 형성 방법은, 화합물 반도체 소자 제조시 에피택시 방법에 의해, 채널층과 기판 사이에 완충층을 형성하는 방법에 있어서, 상기한 기판 상에, 도핑하지 않은 인듐 알루미늄 갈륨 비소의 4원소 화합물로 이루어진 완충층을 500~1,500Å의 두께로 형성하는 과정을 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에서와 같이, 화합물 반도체 소자제조시 4원소 화합물로 완충층을 형성하거나, 4원소 화합물의 조성비를 선형적으로 변화시켜 완충층을 형성하게 되면, 이동도를 대폭적으로 향상시킬 수 있어, 화합물 반도체 소자의 고속 특성과 저잡음 특성을 향상시킬 수 있다.
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