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선택성 식각층을 이용한 고 효율의 광변조기집적 단일파장 레이저 소자 제작 방법

  • 기술번호 : KST2015075987
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에서 제안한 광변조기 집적 단일파장 레이저 소자의 제작에 있어서 레이저 부분과 광변조소자 부분을 전기적으로 격리시킬 영역을 형성할 때 식각용액의 종류에 대해서 식각 선택성이 있는 초박막의 InGaAsP층을 성장하여 최적 구조의 격리구조를 형성하면 소광비를 크게하고 광손실을 줄이며 선폭확대계수를 최소로 조절할수 있는 광변조 집적소자를 제작 가능하게되어 우수한 특성을 갖는 파장 다중화 광통신용 광원의 제작방법에 관한 내용이다.
Int. CL H01S 5/026 (2006.01)
CPC H01S 5/0265(2013.01) H01S 5/0265(2013.01)
출원번호/일자 1019960069824 (1996.12.21)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0228396-0000 (1999.08.10)
공개번호/일자 10-1998-0050976 (1998.09.15) 문서열기
공고번호/일자 (19991101) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1996.12.21)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 남은수 대한민국 대전광역시 서구
2 이승원 대한민국 대전광역시 유성구
3 김홍만 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신성특허법인(유한) 대한민국 서울특별시 송파구 중대로 ***, ID타워 ***호 (가락동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1996.12.21 수리 (Accepted) 1-1-1996-0231300-95
2 출원심사청구서
Request for Examination		 1996.12.21 수리 (Accepted) 1-1-1996-0231302-86
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1996.12.21 수리 (Accepted) 1-1-1996-0231301-30
4 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1997.04.15 수리 (Accepted) 1-1-1996-0231303-21
5 등록사정서
Decision to grant		 1999.05.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0168837-83
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

동일한 하나의 제1 InP-클래드층 상부의 일부에 레이저 소자 및 광변조 소자가 형성되어 상기 레이저 소자와 상기 광변조 소자를 집적화 시키는 반도체 소자 제조방법에 있어서, 상기 제 1클래드층 상부에 InGaAsP층을 형성하는 단계; 상기 InGaAsP층 상에 제2 InP-클래드층을 형성하는 단계; 상기 InGaAsP층이 노출될때까지 상기 광변조소자 부위의 상기 제2 InP-클래드층을 식각하는 단계; 및 노출된 상기 InGaAsP층을 식각하여 제거하는 단계를 포함하여 이루어지는 반도체 소자 제조 방법

2 2

제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2 클래드층은 InP층인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조방법

3 3

제2항에 있어서, 상기 제2 클래드층의 식각 용액은 HCl+5H3PO4 용액인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법

4 4

제2항에 있어서, 상기 InGaAsP층의 식각 용액은 3H2SO4+H2O2+H2O 용액인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법

5 5

제2항에 있어서, 상기 제2 클래드층은 InGaAs의 오믹저항층을 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법

6 6

제1항에 있어서, 상기 광변조 소자 부분에 형성되는 InGaAsP층의 두께는 저전압 동작에서 높은 소광비를 갖도록 상기 레이저 소자 부위에 형성되는 InGaAsP층의 두께보다 얇은 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.