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전력 소자용 갈륨비소 에피택셜 기판

  • 기술번호 : KST2015076040
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 낮은 무릅전압과 출력 컨덕턴스, 높은 항복전압과 트랜스 컨덕턴스를 갖도록하여 출력 및 효율 특성이 우수하여 저전압 구동의 이동통신용 전력소자에 적합한 갈륨비소 MESFET의 에피택셜 기판 구조에 관한 것으로서, 도핑되지 않은 갈륨비소 버퍼층과 상기 버퍼층의 중간 부분에 AlXGa1-XAs/GaAs의 초격자층을 각각의 두께가 3 nm로 수십층을 형성하고, 상기 도핑되지 않은 갈륨비소 버퍼층 위에 중간 농도로 도핑된 채널층과 저농도로 도핑된 채널층을 차례로 적층하고, 그 위에 도핑되지 않은 갈륨비소층을 표면층으로 형성한 것이다.
Int. CL H01L 29/778 (2006.01) H01L 29/812 (2006.01)
CPC H01L 21/02395(2013.01) H01L 21/02395(2013.01)
출원번호/일자 1019970047556 (1997.09.18)
출원인 한국전자통신연구원, 주식회사 케이티
등록번호/일자 10-0243681-0000 (1999.11.17)
공개번호/일자 10-1999-0025780 (1999.04.06) 문서열기
공고번호/일자 (20000201) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1997.09.18)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 문재경 대한민국 대전광역시 서구
2 이재진 대한민국 대전광역시 유성구
3 김해천 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신성특허법인(유한) 대한민국 서울특별시 송파구 중대로 ***, ID타워 ***호 (가락동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원심사청구서
Request for Examination		 1997.09.18 수리 (Accepted) 1-1-1997-0150852-87
2 특허출원서
Patent Application		 1997.09.18 수리 (Accepted) 1-1-1997-0150850-96
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.09.18 수리 (Accepted) 1-1-1997-0150851-31
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.20 수리 (Accepted) 4-1-1999-0010652-29
5 등록사정서
Decision to grant		 1999.10.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0312809-05
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2000-0005008-66
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.04.09 수리 (Accepted) 4-1-2002-0032774-13
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.03.13 수리 (Accepted) 4-1-2009-5047686-24
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2010-5068437-23
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2012-5005621-98
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.03.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5058926-38
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.08 수리 (Accepted) 4-1-2012-5122434-12
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2013-5106568-91
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018159-78
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

반절연체의 갈륨비소 기판 상에 제1 갈륨비소 버퍼층, AlXGa1-XAs/GaAs의 초격자층, 제2 갈륨비소 버퍼층, 제1농도로 도핑된 갈륨비소 채널층, 제2농도로 도핑된 갈륨비소 채널층(207), 및 도핑되지 않은 표면층(208)이 차례로 적층된 에피택셜 구조를 갖는 갈륨비소 전력소자의 에피택셜 기판

2 2

제1항에 있어서,

상기 AlXGa1-XAs/GaAs의 초격자층은 각각의 두께가 약 3nm인 다수의 층으로 구성되는 갈륨비소 전력소자의 에피택셜 기판

3 3

제1항 또는 제2항에 있어서,

상기 초격자층의 한 주기가 2 ~ 10 nm이고, 전체 초격자의 두께가 100 ~ 500 nm인 갈륨비소 전력소자의 에피택셜 기판

4 4

제1항에 있어서,

상기 제1농도로 도핑된 채널층의 농도가 3×1017 ~ 8×1017이고, 두께가 20 ~ 50 nm인 갈륨비소 전력소자의 에피택셜 기판

5 5

제1항에 있어서,

상기 제2농도로 도핑된 채널층의 농도가 4×1016 ~ 1×1017이고, 두께가 100 ~ 200 nm인 갈륨비소 전력소자의 에피택셜 기판

6 6

제1항에 있어서,

상기 도핑되지 않은 표면층의 두께가 30 ~ 60 nm인 갈륨비소 전력소자의 에피택셜 기판

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.