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양자세선 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015076118
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 양자세선 제조 방법에 관한 것으로, 특히 알루미늄비소(AlAs)층과 갈륨비소(GaAs)층이 교대로 적층된 구조에서 갈륨비소(GaAs)층에 V자형 홈을 만들고, 이를 이용하여 양자세선을 제조하는 방법에 관한 것이다.양자세선의 제조는 전자빔 리소그라피법으로 형성된, 양자 효과를 가지는 서브 마이크로미터 이하 크기의 패턴을 이용한 방법으로 제조된다. 그러나 전자빔의 크기에 대한 한계와 리소그라피 공정에서 발생하는 결함으로 인해 양자 효율을 떨어뜨릴 뿐아니라, 제조 공정 상의 안정성, 재현성 및 고가의 비용이 문제시 되고 있다.본 발명에서는 갈륨비소(GaAs) 기판을 이용하여 알루미늄비소(AlAs)층과 갈륨비소(GaAs)층을 교대로 성장시키고, 알루미늄(Al)의 자연 물성인 안정된 산화막을 이용하여 수 나노미터 크기의 마스크를 형성함으로써 갈륨비소(GaAs)층에 V자형 홈을 만들어, 저비용으로 고효율의 양자세선을 제조하는 방법을 제시한다.
Int. CL H01L 21/20 (2011.01) B82Y 40/00 (2011.01)
CPC H01L 21/02395(2013.01) H01L 21/02395(2013.01) H01L 21/02395(2013.01) H01L 21/02395(2013.01) H01L 21/02395(2013.01) H01L 21/02395(2013.01)
출원번호/일자 1019970046100 (1997.09.08)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-1999-0024760 (1999.04.06) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1997.09.08)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 노정래 대한민국 대전광역시 유성구
2 이일항 대한민국 대전광역시 유성구
3 김성복 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신영무 대한민국 서울특별시 강남구 영동대로 ***(대치동) KT&G타워 *층(에스앤엘파트너스)
2 최승민 대한민국 서울특별시 중구 통일로 **, 에이스타워 *층 (순화동)(법무법인 세종)

최종권리자

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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.09.08 수리 (Accepted) 1-1-1997-0146316-87
2 출원심사청구서
Request for Examination		 1997.09.08 수리 (Accepted) 1-1-1997-0146317-22
3 특허출원서
Patent Application		 1997.09.08 수리 (Accepted) 1-1-1997-0146315-31
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1999.12.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0382817-34
5 의견서
Written Opinion		 2000.01.24 수리 (Accepted) 1-1-2000-5022142-11
6 거절사정서
Decision to Refuse a Patent		 2000.06.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2000-0136918-26
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

갈륨비소(GaAs) 단결정 기판의 (011)면 상부에 갈륨비소(GaAs) 완충층을 성장시키는 단계와,

상기 갈륨비소(GaAs) 완충층 상부에 마스크용 알루미늄비소(AlAs) 및 양자세선 기판용 갈륨비소(GaAs)층을 교대로 성장시켜, 각 알루미늄비소(AlAs)층 사이에 각 갈륨비소(GaAs)층이 적층되도록 구조층을 형성시키는 단계와,

상기 구조층의 최상부에 성장된 알루미늄비소(AlAs)층 상부에 갈륨비소(GaAs) 뚜껑층을 성장시키는 단계와,

상기 갈륨비소(GaAs) 뚜껑층을 포함하여 (011) 방향으로 성장된 전체 구조를, (100)면이 노출되도록 (011) 방향에 수직한 방향으로 절단하는 단계와,

상기 (100)면이 노출되도록 절단한 전체 구조에 열처리를 실시하여, 상기 각 알루미늄비소(AlAs)층의 노출된 부분에 산화막이 형성되도록 하는 단계와,

상기 산화막을 마스크로 이용한 화학 식각으로 각 갈륨비소(GaAs)층의 (111)면이 노출되도록 V자형 홈을 형성하는 단계와,

상기 V자형 홈에 양자세선을 성장시키는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 양자세선 제조 방법

2 2

제 1 항에 있어서,

상기 갈륨비소(GaAs) 완충층의 두께는 500 ㎚ 이하이고, 알루미늄비소(AlAs)층의 두께는 수 ㎚ 내지 수 ㎛, 갈륨비소(GaAs)층의 두께는 수 ㎛가 되도록 제어하는 것을 특징으로 하는 양자세선 제조 방법

3 3

제 1 항에 있어서,

상기 구조층은 원하는 양자세선의 개수 만큼 갈륨비소(GaAs)층이 적층되어있는 것을 특징으로 하는 양자세선 제조 방법

4 4

제 1 항에 있어서,

상기 화학 식각에 사용되는 식각 용액은 황산(H2SO4), 과산화수소수(H2O2) 및 순수(H2O)가 각각 1 대 8 대 40의 비율, 또는 각각 2 대 1 대 1의 비율로 혼합된 것을 특징으로 하는 양자세선 제조 방법

5 5

제 1 항에 있어서,

상기 양자세선의 우물층 및 장벽층은 각각 갈륨비소(GaAs) 및 알루미늄갈륨비소(AlGaAs)인 것, 또는 각각 인듐갈륨비소(AlGaAs) 및 갈륨비소(GaAs)인 것을 특징으로 하는 양자세선 제조 방법

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1 US06242275 US 미국 FAMILY

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1 US6242275 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.