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제 4 항에 있어서, 상기 메모리 스위치 제어 신호 발생부(442)는, "활성모드"와 "대기모드"와 "대기모듈읽기"와 "메모리 읽기"의 비트값이, "활성모드"만 셋팅되고 나머지는 클리어일 경우, 상기 활성 모듈 메모리 스위치(410)와 상기 동시 쓰기 메모리 스위치(420)와 1차 메모리 버스 스위치(430)를 모두 인에이블시키고, 메모리쓰기 신호를 발생시켜 활성모드에서 동시쓰기를 수행하게 하고; "활성모드"와 "대기모듈읽기"만 셋팅되고 나머지는 클리어일 경우, 상기 활성 모듈 메모리 스위치(410)와 상기 동시 쓰기 메모리 스위치(420)만 인에이블시켜 활성모드에서 대기 모듈 메모리 읽기를 수행하게 하고; "활성모드"와 "메모리읽기"만 셋팅되고 나머지는 클리어일 경우, 상기 활성 모듈 메모리 스위치(410)와 상기 제 1차 메모리 버스 스위치(430)만 인에이블시켜 활성모드에서 메모리 읽기를 수행하게 하고; "활성모드"와 "대기모드"만 셋팅되고 나머지는 클리어일 경우, 상기 활성 모듈 메모리 스위치(410)와 상기 제 1차 메모리 버스 스위치(430)에만 인에이블시키고, 메모리쓰기 신호를 발생시켜 비이중화모드에서 메모리쓰기를 수행하게 하고; "대기모드"만 클리어되고 나머지는 셋팅될 경우, 상기 활성 모듈 메모리 스위치(410)와 상기 제 1차 메모리 버스 스위치(430)에만 인에이블시켜서 비이중화모드에서 메모리 읽기를 수행하도록 구성된 것을 특징으로 하는 밀결합 결함 허용 시스템에서 메모리 버스 확장에 의한 동시 쓰기 이중화 장치
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