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3-5족 화합물 반도체의 엔형 오믹접촉 형성방법

  • 기술번호 : KST2015076343
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 실리콘을 n형 불순물로 사용하는 3-5족 화합물 반도체의 오믹접촉(ohmic contact)을 형성하는 방법에 관한 것으로, 반도체 표면에 고농도의 실리콘 이온을 주입하여 실리콘 이온주입층을 형성하고, 상기 실리콘 이온주입층위에 팔라듐 박막, 확산 방지막 및 금속 배선막을 차례로 적층한 후, 기판을 열처리하여 상기 실리콘 이온주입층과 팔라듐 박막을 팔라듐 실리사이드화하는 것에 의해 3-5족 화합물 반도체와 금속 배선막사이에 오믹 접촉을 형성한다. 본 발명은 갈륨비소(GaAs), 알루미늄갈륨비소(AlGaAs),인듐갈륨비소(InGaAs), 인듐인(InP), 인듐갈륨인(InGaP) 등 실리콘을 n형 불순물로 사용하는 모든 3-5족 화합물 반도체에 오믹접촉을 형성 하기 위해 적용될 수 있다.
Int. CL H01L 21/265 (2006.01)
CPC H01L 21/26506(2013.01) H01L 21/26506(2013.01) H01L 21/26506(2013.01)
출원번호/일자 1019970061586 (1997.11.20)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0249819-0000 (1999.12.28)
공개번호/일자 10-1999-0041055 (1999.06.15) 문서열기
공고번호/일자 (20000315) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1997.11.20)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박문평 대한민국 대전광역시 유성구
2 염병렬 대한민국 대전광역시 유성구
3 김일호 대한민국 서울특별시 영등포구
4 박성호 대한민국 대전광역시 유성구
5 이태우 대한민국 대전광역시 중구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
2 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원심사청구서
Request for Examination		 1997.11.20 수리 (Accepted) 1-1-1997-0194169-20
2 특허출원서
Patent Application		 1997.11.20 수리 (Accepted) 1-1-1997-0194167-39
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.11.20 수리 (Accepted) 1-1-1997-0194168-85
4 등록사정서
Decision to grant		 1999.12.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0374208-17
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

n형 3-5족 화합물 반도체에 실리콘을 이온주입하여 실리콘 이온주입층을 형성하는 단계와,

상기 실리콘 이온주입층상에 팔라듐 박막, 확산 방지막 및 금속 배선막을 차례로 적층하는 단계와,

기판을 열처리하여 상기 실리콘 이온주입층과 팔라듐 박막을 팔라듐 실리사이드화하여 오믹 접촉을 형성하는 단계를 포함하는 오믹접촉 형성방법

2 2

제 1 항에 있어서,

상기 실리콘 이온주입층은 10∼300keV의 이온에너지로, 1×1011∼1×1015cm-2의 실리콘을 이온주입하여 형성하는 것을 특징으로 하는 오믹접촉 형성방법

3 3

제 1 항에 있어서,

상기 팔라듐 박막은 50∼1000Å의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 오믹접촉 형성방법

4 4

제 1 항에 있어서,

상기 열처리온도는 300∼500℃에서 10초∼10분 동안, 아르곤, 질소 또는 질소와 수소의 혼합가스와 같은 비활성가스 분위기에서 수행하는 것을 특징으로 하는 오믹접촉 형성방법

5 5

제 1 항에 있어서,

상기 확산 방지막은 티타늄, 백금, 몰리브데늄, 바나듐, 텅스텐 중 어느하나 로 형성하는 것을 특징으로 하는 오믹접촉 형성방법

6 6

제 1 항에 있어서,

상기 확산 방지막은 티타늄, 백금, 몰리브데늄, 바나듐, 텅스텐 중 어느하나의 실리사이드 또는 질화막으로 100∼1000Å의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 오믹접촉 형성방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.