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고품위 지에이에이에스(GAAS) 양자점의 성장방법

  • 기술번호 : KST2015076465
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 별도의 리소그래피 공정을 이용하지 않으므로써 식각 공정에서 야기되는 결함(defect) 및 격자 불일치 물질의 응력을 이용함에 따른 물질의 구조 결함의 생성을 근본적으로 방지할 수 있는 고품위 GaAs 양자점을 CBE(Chemical Beam Epitaxy) 성장장치를 이용하여 성장하는 방법이 개시된다. 본 발명은 화합물반도체 기판상에 CBE 성장법을 이용하여 Ga의 원료물질을 과잉으로 공급하여 초미세 크기의 액상 Ga 상태인 Ga droplet을 형성하고, As의 원료물질인 AsH3 (arsine)을 공급하여 상기 Ga droplet과 사전에 열 분해되어 공급된 상기 AsH3 과의 화학반응을 통하여 화합물반도체 기판 상에 초 미세 단결정인 GaAs 양자점을 제작한다. 본 발명은 양자효과를 이용하는 반도체 레이저, 광 검출기, 고속소자 등의 제작에 매우 유용하게 사용할 수 있다.
Int. CL H01L 21/20 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1019970062773 (1997.11.25)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0249774-0000 (1999.12.28)
공개번호/일자 10-1999-0042070 (1999.06.15) 문서열기
공고번호/일자 (20000315) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1997.11.25)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 노정래 대한민국 대전광역시 유성구
2 이일항 대한민국 대전광역시 유성구
3 김성복 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
2 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.11.25 수리 (Accepted) 1-1-1997-0197665-80
2 특허출원서
Patent Application		 1997.11.25 수리 (Accepted) 1-1-1997-0197664-34
3 출원심사청구서
Request for Examination		 1997.11.25 수리 (Accepted) 1-1-1997-0197666-25
4 등록사정서
Decision to grant		 1999.12.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0382829-82
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

고품위 GaAs 양자 점 (Quantum Dots)을 성장하는 방법에 있어서,

양자 점 형성을 원하는 적어도 하나의 층을 구비한 화합물반도체 기판상에 CBE (Chemical Beam Epitaxy) 성장법을 이용하여 Ga의 원료물질을 과잉으로 공급하여 초미세 크기의 액상 Ga 상태인 Ga droplet을 형성하는 공정; 및

상기 CBE 성장실내에 잔류하는 Ga의 원료물질을 배기시킨 후, As의 원료물질인 AsH3 (arsine)을 공급하는 공정을 구비하여,

상기 Ga droplet과 사전에 열 분해되어 공급된 상기 AsH3 과의 화학반응을 통하여 화합물반도체 기판 상에 초 미세 단결정인 GaAs 양자점을 성장하는 것을 특징으로 하는 고품위 GaAs 양자점의 성장방법

2 2

제 1 항에 있어서,

상기 Ga의 원료물질이,

TEGa (triethylgallium) 으로 이루어진 것을 특징으로 하는 GaAa 고품위 양자 점의 성장방법

3 3

제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,

상기 Ga droplet을 기판상에 균일한 분포로 밀집시키기 위하여,

상기 TEGa의 공급 시간을 20∼30 sec의 범위로 설정하는 것을 특징으로 하는 GaAs 양자점의 성장방법

4 4

제 1 항에 있어서,

상기 Ga droplet을 기판상에 균일한 분포로 밀집시키기 위하여,

상기 TEGa의 분압(beam equivalent pressure)이 1×10-4∼5×10-4 범위인 것을 특징으로 하는 GaAs 양자점의 성장방법

5 5

제 1 항에 있어서,

상기 Ga droplet을 기판상에 균일한 분포로 밀집시키기 위하여,

상기 기판의 성장 온도는 약 450∼470℃ 범위를 갖는 것을 특징으로 하는 GaAs 양자점의 성장방법

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1 US6033972 US 미국 DOCDBFAMILY
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