이온 주입 마스크 층을 이용한 얇은 접합층의 형성과 이중 게이트 구조를 가진 반도체 소자를 형성하기 위하여 실리콘 기판(1) 위에 N 우물 , P 우물 , 필드 산화막(2) , 게이트 산화막(3)과 폴리 실리콘(4) 게이트를 순차로 형성한 제 1 공정과;

상기 구조체를 순차적으로 포토 감광막(5)을 마스크 층으로 사용하고 N 형 및 P 형 불순물을 이온 주입기를 이용하여 저 농도로 주입하는 제 2 공정과;

상기 저농도 이온 주입이 완료된 구조체에 측벽 절연막(6)을 폴리 실리콘(4) 게이트 측벽에 형성하기 위하여 절연막을 증착하고 전면성 건식 식각함으로서 측벽 절연막(6)을 형성하는 제 3 공정과;

상기의 구조체에 고 농도 불순물 이온 주입시 사용 될 마스크 층을 형성하기 위하여 질화막(7)을 증착 한 다음 웨이퍼의 표면을 평탄화하기 위한 SOG (spin on glass)(8)를 도포하는 제 4 공정과;

상기의 구조체에서 폴리 실리콘(4) 게이트 상부의 마스크 층을 제거하기 위하여 SOG 에치-백 식각 공정을 수행하여 폴리 실리콘 게이트 상부를 노출하는 제 5 공정과;

상기의 구조체에 잔류한 SOG(8) 층을 완전히 제거하여 이온 주입시 마스크 층으로 사용될 질화막(7)만을 소오스와 드레인 영역에 잔류토록 하는 제 6 공정과;

상기 형성된 질화막을 이온 주입의 마스크 층으로 사용하고, 순차적으로 포토 감광막(5)을 마스크 층으로 사용하여 N 형 및 P 형 불순물을 이온 주입기를 이용하여 고 농도로 주입하는 제 7 공정과; 및

상기 불순물 이온 주입 후 마스크 층으로 사용된 질화막(7)을 제거하고, 열처리 함으로서 소오스와 드레인 영역에 얇은 접합층을 형성하고 폴리 실리콘(4) 게이트에 고농도의 불순물을 형성토록 하는 제 8 공정을 포함하여 수행하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법

제 1 항에 있어서,

상기 이온 주입 마스크 층을 소오스와 드레인 영역 위에만 형성하기 위하여 질화막과 SOG를 조합하여 평탄화 한 후, 에치-백 공정으로 폴리 실리콘 게이트의 상부에서 이온 주입 마스크 층을 제거하는 방법을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법

제 1 항에 있어서,

상기 이온 주입 마스크 층을 형성하기 위하여 질화막과 SOG, 질화막과 감광막(photo resist)과 같은 유사 물질을 사용하고 에치-백과 같은 전면성 식각 공정에 의하여 평탄화 공정을 수행하여 게이트 상부의 마스크 층을 제거하고 소오스, 드레인 영역 위에만 마스크 층이 잔류토록 하는 특징을 가진 반도체 소자의 제조방법

제 1 항에 있어서,

상기 소오스, 드레인 영역에 얇은 접합층(shallow junction)을 형성하고 게이트 전극의 불순물 농도를 높이기 위하여 선택적인 이온 주입 마스크층을 측벽 절연막과 식각 선택비를 갖는 질화막을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법

제 1 항에 있어서,

상기 이온 주입 마스크 층으로 질화막(7)을 포함하여 사용하고, 접합층의 깊이를 조절하기 위하여 마스크 층의 두께를 임의로 조절하여 증착하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법