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에스 오 아이 광도파로를 이용한 하이브리드 광집적회로용 기판 제조방법

  • 기술번호 : KST2015076878
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체 기술에 관한 것으로, 특히 광도파로(optical waveguide), 발광소자(light emitting device) 및 수광소자(light receiving device)와 같은 광소자(optical device), 그리고 광섬유 등이 동일한 기판에 실장되는 하이브리드 광집적회로용 기판 제조방법에 관한 것이며, SOI 광도파로의 리브 영역과 광소자용의 정렬 마크 그리고 광섬유 정렬용 V-홈 패턴 사이의 사진전사 정렬 오차를 최소화하며, 다른 부분에 나쁜 영향을 미치지 않으면서 SOI 광도파로의 단면에 최적화된 반사방지막을 구비한 하이브리드 광집적회로용 기판 제조방법을 제공하고자 한다. 본 발명은 SOI 광도파로의 리브 영역과 광소자용의 정렬 마크 그리고 광섬유 정렬용 V-홈 패턴을 자기정렬 방식으로 형성하여 그들 사이의 사진전사 정렬 오차를 최소화한다. 즉, 광소자의 정렬방법으로 기계적인 구조물을 사용치 않고 마크에 의한 인덱스 정렬을 이용할 수 있도록 기판을 형성함으로써 정밀한 광소자의 가공이 필요치 않고 광섬유 정렬용의 V-홈과 SOI 광도파로 그리고 광소자 정렬용의 마크들 간의 정렬정밀도가 우수하여 높은 광결합 효율을 얻을 수 있다. 또한, 본 발명은 SOI 광도파로와 광섬유 및 광소자 정렬용 구조체를 제조하는 과정에서 다른 부분에 나쁜 영향을 미치지 않으면서 SOI 광도파로의 단면에 특성이 우수한 반사방지막을 도포할 수 있도록 한다.
Int. CL H01L 31/00 (2006.01) H01L 27/12 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1019980037714 (1998.09.12)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0277695-0000 (2000.10.12)
공개번호/일자 10-2000-0019557 (2000.04.15) 문서열기
공고번호/일자 (20010201) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1998.09.12)
심사청구항수 15

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이상환 대한민국 대전광역시 유성구
2 주관종 대한민국 대전광역시 유성구
3 황남 대한민국 대전광역시 중구
4 송민규 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신성특허법인(유한) 대한민국 서울특별시 송파구 중대로 ***, ID타워 ***호 (가락동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 펜드래건 일렉트로닉스 앤드 텔레커뮤니케이션즈 리서치 엘엘씨 미국 워싱턴 ***** 커클랜드 캐럴란 포인트 *
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원심사청구서
Request for Examination		 1998.09.12 수리 (Accepted) 1-1-1998-0114191-17
2 특허출원서
Patent Application		 1998.09.12 수리 (Accepted) 1-1-1998-0114189-14
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1998.09.12 수리 (Accepted) 1-1-1998-0114190-61
4 등록사정서
Decision to grant		 2000.09.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2000-0237846-28
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

실리콘 기판, 매몰 절연막 및 단결정실리콘층으로 이루어진 SOI 웨이퍼의 상기 단결정실리콘층을 선택 식각하여 SOI 슬랩을 형성하는 제1 단계;

상기 SOI 웨이퍼 전체구조 상부에 저압화학기상증착(LPCVD) 실리콘질화막 및 식각방지막을 형성하는 제2 단계;

상기 식각방지막 및 상기 LPCVD 실리콘질화막을 선택 식각하여 리브 영역을 제외한 상기 SOI 슬랩의 상기 단결정실리콘을 노출시키고, 동시에 광섬유 정렬용 V-홈 식각창 및 광소자 정렬용 마크를 형성하는 제3 단계;

상기 SOI 슬랩 상부의 노출된 상기 단결정실리콘층을 선택 식각하여 SOI 리브를 형성하는 제4 단계;

상기 SOI 리브 상부의 상기 식각방지막 및 상기 LPCVD 실리콘질화막을 선택 제거하는 제5 단계;

상기 SOI 리브를 포함한 상기 SOI 슬랩 표면에 광도파로의 클래딩층을 형성하는 제6 단계;

광섬유 정렬용 V-홈 식각창에 노출된 상기 실리콘 기판을 이방성 식각하여 광섬유 정렬용 V-홈을 형성하는 제7 단계; 및

상기 SOI 슬랩 양 끝면에 인접한 영역의 상기 식각방지막을 선택 제거하여 상기 LPCVD 실리콘질화막을 노출시키는 제8 단계

를 포함하여 이루어진 하이브리드 광집적회로용 기판 제조방법

2 2

제 1 항에 있어서,

상기 제8 단계 수행후, 상기 SOI 슬랩 끝면에 인접하여 상기 광섬유 정렬용 V-홈을 가로지르는 트랜치 채널을 형성하는 제9 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 하이브리드 광집적회로용 기판 제조방법

3 3

제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,

상기 제6 단계 수행후,

상기 SOI 웨이퍼 표면에 광소자의 전기적 연결을 위한 금속패드 및 솔더범프용 금속패드를 형성하는 제10 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 하이브리드 광집적회로용 기판 제조방법

4 4

제 3 항에 있어서,

상기 제10 단계 수행후, 솔더범프를 형성하는 제11 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 하이브리드 광집적회로용 기판 제조방법

5 5

제 1 항에 있어서,

상기 SOI 슬랩이 직선형 또는 Y-브랜치형인 것을 특징으로 하는 하이브리드 광집적회로용 기판 제조방법

6 6

제 1 항에 있어서,

상기 SOI 리브가 테이퍼드형인 것을 특징으로 하는 하이브리드 광집적회로용 기판 제조방법

7 7

제 1 항에 있어서,

상기 제3 단계에서, 광가이드용 V-홈 식각창이 더 형성되는 것을 특징으로 하는 하이브리드 광집적회로용 기판 제조방법

8 8

제 7 항에 있어서,

상기 제7 단계에서, 광가이드용 V-홈이 더 형성되는 것을 특징으로 하는 하이브리드 광집적회로용 기판 제조방법

9 9

제 1 항에 있어서,

상기 식각방지막이 플라즈마 화학기상증착(PECVD) 실리콘질화막 또는 실리콘산화막인 것을 특징으로 하는 하이브리드 광집적회로용 기판 제조방법

10 10

제 1 항에 있어서,

상기 LPCVD 실리콘질화막이 광파장의 1/4의 정수 배의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 하이브리드 광집적회로용 기판 제조방법

11 11

제 1 항에 있어서,

상기 단결정실리콘층의 두께가 2 내지 10㎛인 것을 특징으로 하는 하이브리드 광집적회로용 기판 제조방법

12 12

제 1 항에 있어서,

상기 클래딩층이 열산화 방식의 실리콘산화막인 것을 특징으로 하는 하이브리드 광집적회로용 기판 제조방법

13 13

제 1 항에 있어서,

상기 제4 단계에서, 상기 SOI 리브의 높이와 상기 단결정실리콘층의 두께의 비율과, 상기 SOI 리브의 높이와 상기 SOI 리브의 폭의 비율은 광파장에 대해서 수직 및 수평방향으로 단지 하나의 기본모드만이 전송 가능하도록 조절하는 것을 특징으로 하는 하이브리드 광집적회로용 기판 제조방법

14 14

제 1 항에 있어서,

상기 실리콘 기판의 결정방향이 <110> 방향인 것을 특징으로 하는 하이브리드 광집적회로용 기판 제조방법

15 15

제 14 항에 있어서,

상기 SOI 리브와 상기 광섬유 정렬용 V-홈 식각창이 상기 <110> 방향과 나란하게 정렬되어 상기 광섬유 정렬용 V-홈이 실리콘의 (111) 결정면으로 이루어지는 측벽을 가지는 것을 특징으로 하는 하이브리드 광집적회로용 기판 제조방법

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1 JP03062884 JP 일본 FAMILY
2 JP12089054 JP 일본 FAMILY
3 US06316281 US 미국 FAMILY

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP2000089054 JP 일본 DOCDBFAMILY
2 JP3062884 JP 일본 DOCDBFAMILY
3 US6316281 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.