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제 1 절연 막위에 제 1 금속 배선으로 알루미늄 막을 증착한 후, 알루미늄 막을 패터닝하고, 제 2 절연 막, 제 3 절연 막을 순차 증착하는 제 1 공정; 상기 제 2 절연 막, 제 3 절연 막을 패터닝하여 비아 콘택을 만들고, 콘택을 알루미늄이나 텅스텐으로 충진하는 제 2 공정; 상기 비아 콘택을 포함하는 전체 면 위에 제 4 절연 막을 증착한 후, 패터닝하여 나선형 홈을 만드는 제 3 공정; 형성된 나선형 홈에 제 2 금속 배선으로 은 또는 은 합금을 스퍼터링이나 전기도금법을 사용하여 증착하는 제 4 공정; 및 인덕터를 기계적인 힘이나 화학 반응을 일으키는 물질로부터 보호하는 제 5 절연 막을 증착하는 제 5 공정을 포함하여, 인덕터 자체의 직렬저항을 줄이고 양호도를 향상시키는 것을 특징으로 하는 은을 이용한 인덕터 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 제 4 공정은, 제 2 금속 배선인 은 또는 은 합금을 증착하기 이전에, 형성된 나선형 홈에 제 2 금속 배선으로 이용되는 은 또는 은 합금의 확산을 방지하기 위한 확산 방지막과, 은 또는 은 합금의 증착을 용이하게 하는 씨앗 층을 순차 증착하는 공정을 포함하며, 순차 형성된 확산 방지막, 씨앗 층 및 은 또는 은 합금 박막으로 구성되는 다층 박막을 인덕터의 금속 선으로 하는 것을 특징으로 하는 은을 이용한 인덕터 제조 방법
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제2항에 있어서, 상기 확산 방지막으로 티타늄(Ti)/티타늄 질화물(TiN) 또는 티타늄(Ti)/티타늄 텅스텐 합금(TiW)을 사용하는 것을 특징으로 하는 은을 이용한 인덕터 제조 방법
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제2항에 있어서, 상기 씨앗 층은 은 또는 팔라듐을 사용하는 것을 특징으로 하는 은을 이용한 인덕터 제조 방법
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제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제 4 공정에서 전기도금법으로 은 또는 은 합금을 증착하는 경우, 제 5 공정을 수행하기 이전에 은 또는 은 합금 박막 증착 후에 다른 소자에 영향을 미치지 않는 온도 범위에서 열처리 공정(리플로우 공정)을 수행하여 홈 위에 증착함에 따른 결함과 전기도금에 의하여 발생하는 금속 선 내의 결함을 제거하는 것을 특징으로 하는 은을 이용한 인덕터 제조 방법
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제5항에 있어서, 상기 열처리 공정의 온도는 300 ℃ ∼ 500 ℃ 범위인 것을 특징으로 하는 은을 이용한 인덕터 제조 방법
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제5항에 있어서, 상기 열처리 공정은 산소 또는 할로겐 기체 분위기에서 수행되는 것을 특징으로 하는 은을 이용한 인덕터 제조 방법
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제7항에 있어서, 상기 열처리 공정 후에, 은 또는 은 합금 박막 내에 존재하는 산소 또는 할로겐 원자를 제거하기 위하여 수소 기체를 흘려주면서 열처리하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 은을 이용한 인덕터 제조 방법
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