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수직구조 캐패시터 및 수직구조 캐패시터의 형성 방법

  • 기술번호 : KST2015097876
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 수직구조 캐패시터 및 수직구조 캐패시터의 형성 방법에 관한 것이다. 수직구조 캐패시터는 반도체 기판의 상부면에 입력 전극과 출력 전극을 형성하고 반도체 기판의 하부면을 식각하여 비아전극들을 형성한 후 상기 비아전극들 사이에 유전체막을 형성하여 수직구조 캐패시터가 기판내에 형성된다. 본 발명에 의하면 수직 구조 캐패시터는 적은 면적에 큰 용량의 캐패시턴스를 갖는 캐패시터를 제작할 수 있다.
Int. CL H01L 27/108 (2006.01) H01L 27/02 (2006.01) H01L 21/8242 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020110125763 (2011.11.29)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2013-0059673 (2013.06.07) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.09.22)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김성일 대한민국 대전광역시 유성구
2 이상흥 대한민국 대전광역시 서구
3 임종원 대한민국 대전광역시 유성구
4 윤형섭 대한민국 대전광역시 유성구
5 이종민 대한민국 대전시 유성구
6 민병규 대한민국 대전광역시 유성구
7 문재경 대한민국 대전광역시 유성구
8 남은수 대한민국 대전광역시 서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 고려 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.11.29 수리 (Accepted) 1-1-2011-0946600-89
2 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2015.01.14 수리 (Accepted) 1-1-2015-0036857-09
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
4 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2016.09.22 수리 (Accepted) 1-1-2016-0919615-13
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2017.08.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0539458-19
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.10.10 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0971413-41
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.10.10 수리 (Accepted) 1-1-2017-0971411-50
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2018.02.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0111586-74
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.03.16 수리 (Accepted) 1-1-2018-0267745-59
10 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2018.03.16 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2018-0267746-05
11 등록결정서
Decision to Grant Registration
2018.03.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0210108-18
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번호 청구항
1 1
기판의 상부면에 서로 이격된 입력 전극과 출력 전극을 형성하는 단계; 상기 기판의 하부면을 식각하여 형성된 제 1 비아홀들 내에 전도성 물질을 형성하여 상기 입력전극과 출력전극에 연결되고, 서로 이격된 비아전극들을 형성하는 단계; 및상기 비아전극들 사이 기판 내의 유전체막을 형성하는 단계를 포함하고,상기 비아전극들 사이에 유전체막을 형성하는 단계는 상기 비아전극들 사이의 상기 기판을 식각하여 형성된 제 2 비아홀 내에 유전물질을 형성하는 단계를 포함하는 수직구조 캐패시터 형성 방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 입력전극과 출력전극은 Ti, Ta, W, TiN, WN, TaSiN, WsiN, Au 중 어느 하나의 물질을 스퍼터링하여 형성되는 것을 특징으로 하는 수직구조 캐패시터 형성 방법
3 3
제 1 항에 있어서,상기 비아전극들은 Ti, Ta, W, Ru, TiN, WN, TaSiN, WsiN 중 어느 하나를 스퍼터링 방법에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 수직구조 캐패시터 형성 방법
4 4
삭제
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 유전체막은 물리기상증착(Physical vapor deposition; PVD) 화학기상증착(chemical vapor deposition; CVD) 또는 원자층증착(Atomic Layer Deposition) 방식으로 형성되는 것을 특징으로 하는 수직구조 캐패시터 형성 방법
6 6
제 5 항에 있어서, 상기 유전체막은 SiO2, Al2O3, Ta2O5, SiON 또는 SiN 물질 중 어느 하나의 유전물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 수직구조 캐패시터 형성 방법
7 7
삭제
8 8
삭제
9 9
삭제
10 10
삭제
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US08853821 US 미국 FAMILY
2 US20130134554 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2013134554 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US8853821 US 미국 DOCDBFAMILY
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