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전기광학효과를 이용하여 편광 제어가 가능한 수직공진표면방출형 반도체 레이저

  • 기술번호 : KST2015077543
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 공진기 거울 부분에 전압을 인가함으로써 안정된 출력편광을 얻을 뿐만 아니라 인가되는 전압의 방향을 변경함으로써 출력편광의 방향을 효과적으로 제어할 수 있는 수직공진 표면방출 반도체 레이저 장치에 관한 것으로, 화합물 반도체 기판, 상기 화합물 반도체 기판 상에 형성된 제1 공진기 거울, 상기 제1 공진기 거울 상에 형성된 제1 클레딩 층, 상기 제1 클레딩층 상에 형성된 이득매질 층, 상기 전류통로층 상에 형성된 저항물질층 및 상기 저항물질층 상에 형성된 제2 공진기 거울을 포함하는 수직공진 표면방출 반도체 레이저를 제공한다.전기광학효과, 선택산화, 편광제어, 출력편광, 공진기 거울, 이득매질, 복굴절
Int. CL H01S 5/18 (2006.01)
CPC H01S 5/187(2013.01) H01S 5/187(2013.01) H01S 5/187(2013.01)
출원번호/일자 1019990061981 (1999.12.24)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0319762-0000 (2001.12.21)
공개번호/일자 10-2001-0063877 (2001.07.09) 문서열기
공고번호/일자 (20020105) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1999.12.24)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 송현우 대한민국 대전광역시서구
2 장동훈 대한민국 대전광역시유성구
3 남은수 대한민국 대전광역시서구
4 이중기 대한민국 대전광역시서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 정지원 대한민국 서울특별시 서초구 반포대로**길**, ***호(서초동,서초빌리지프라자)(특허법인이노(제*분사무소))
2 신성특허법인(유한) 대한민국 서울특별시 송파구 중대로 ***, ID타워 ***호 (가락동)
3 최종식 대한민국 서울특별시 송파구 중대로 ***, ID타워 ***호 (가락동)(신성특허법인(유한))

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1999.12.24 수리 (Accepted) 1-1-1999-0181062-19
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
3 등록결정서
Decision to grant		 2001.11.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2001-0336924-71
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

수직공진 표면방출 반도체 레이저에 있어서,

화합물 반도체 기판;

상기 화합물 반도체 기판 상에 형성된 제1 공진기 거울;

상기 제1 공진기 거울 상에 형성된 제1 클레딩층;

상기 제1 클레딩층 상에 형성된 이득매질층;

상기 이득매질층 상에 형성된 제2 클레딩층;

상기 제2 클레딩층 상에 형성된 저항물질층;

상기 저항물질층 상에 형성된 제2 공진기 거울; 및

상기 제2 공진기 거울에 접하여 전기광학효과를 유도하는 전극

을 포함하는 수직공진 표면방출 반도체 레이저

2 2

제 1 항에 있어서,

상기 이득매질층 상에 형성되며 전원의 제1 단에 연결되는 제1 전극; 및

상기 기판 하부에 형성되며 상기 전원의 제2 단에 연결되는 제2 전극을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 수직공진 표면방출 반도체 레이저

3 3

제 1 항에 있어서,

상기 이득매질층 및 그 주변에 빛이나 전류의 감금 구조를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 수직공진 표면방출 반도체 레이저

4 4

제 1 항에 있어서,

상기 제2 공진기 거울은,

Al이 첨가된 반도체 박막을 선택적으로 산화시켜 형성된 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 수직공진 표면방출 반도체 레이저

5 5

제 1 항에 있어서,

상기 제1 공진기 거울에 접하여 전기광학효과를 유도하는 전극을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 수직공진 표면방출 반도체 레이저

6 6

제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,

상기 제1 공진기 거울 또는 제2 공진기 거울에 각각 접하는 전기광학물질 층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 수직공진 표면방출 반도체 레이저

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.