맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

재배열 금속배선기술을 적용한 패키징 제조방법

  • 기술번호 : KST2015077579
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체 제조기술에 관한 것으로, 특히 재배열(redistribution) 금속배선기술을 적용한 패키징 제조방법에 관한 것이며, 공정단계 감소에 따라 보다 개선된 재배열 금속배선 기술을 적용한 반도체 소자의 패키징 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다. 상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 재배열금속배선 기술을 적용한 패키징 제조방법은, 소자제조공정 및 본딩패드 형성이 완료된 기판을 준비하는 단계; 상기 기판 상에 상기 본딩패드를 노출시키는 제1절연막을 형성하는 단계; 상기 제1절연막이 형성된 표면을 따라 재배열금속배선시드층을 형성하는 단계; 상기 재배열금속배선시드층 상부에 재배열금속배선 형성 영역을 정의하기 위한 제1감광막패턴을 형성하는 단계; 노출된 상기 재배열금속배선시드층 상부에 전기화학증착법으로 재배열금속배선을 형성하는 단계; 상기 제1감광막패턴을 제거하는 단계; 상기 재배열금속배선 상에 솔더볼패드 형성 영역을 정의하기 위한 제2감광막패턴을 형성하는 단계; 노출된 상기 재배열금속배선 상부에 솔더볼패드를 형성하는 단계; 상기 제2감광막패턴 및 노출된 상기 재배열금속배선시드층을 제거하는 단계; 상기 솔더볼패드가 형성된 전체 구조 상부에 제2절연막을 형성하는 단계; 상기 솔더볼패드 상부가 노출되도록 상기 제2절연막을 화학적기계적연마하는 단계; 및 노출된 상기 솔더볼패드 상부에 솔더볼을 형성하는 단계를 포함한다. 본딩패드, 제1절연막, 재배열금속배선시드층, 전기화학증착법, 솔더볼패드
Int. CL H01L 23/48 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020000002917 (2000.01.21)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0561638-0000 (2006.03.09)
공개번호/일자 10-2001-0075962 (2001.08.11) 문서열기
공고번호/일자 (20060315) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2004.04.07)
심사청구항수 4

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 이영민 대한민국 대전광역시유성구
2 이상복 대한민국 대전광역시유성구
3 주철원 대한민국 대전광역시유성구
4 박성수 대한민국 대전광역시유성구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 신성특허법인(유한) 대한민국 서울특별시 송파구 중대로 ***, ID타워 ***호 (가락동)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2000.01.21 수리 (Accepted) 1-1-2000-0011996-88
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
4 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 2004.04.07 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2004-0142259-34
5 출원심사청구서
Request for Examination		 2004.04.07 수리 (Accepted) 1-1-2004-0142262-72
6 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2006.01.16 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
7 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2006.02.20 수리 (Accepted) 9-1-2006-0012013-83
8 등록결정서
Decision to grant		 2006.02.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0112065-52
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
소자제조공정 및 본딩패드 형성이 완료된 기판을 준비하는 단계; 상기 기판 상에 상기 본딩패드를 노출시키는 제1절연막을 형성하는 단계; 상기 제1절연막이 형성된 표면을 따라 재배열금속배선시드층을 형성하는 단계; 상기 재배열금속배선시드층 상부에 재배열금속배선 형성 영역을 정의하기 위한 제1감광막패턴을 형성하는 단계; 노출된 상기 재배열금속배선시드층 상부에 전기화학증착법으로 재배열금속배선을 형성하는 단계; 상기 제1감광막패턴을 제거하는 단계; 상기 재배열금속배선 상에 솔더볼패드 형성 영역을 정의하기 위한 제2감광막패턴을 형성하는 단계; 노출된 상기 재배열금속배선 상부에 솔더볼패드를 형성하는 단계; 상기 제2감광막패턴 및 노출된 상기 재배열금속배선시드층을 제거하는 단계; 상기 솔더볼패드가 형성된 전체 구조 상부에 제2절연막을 형성하는 단계; 상기 솔더볼패드 상부가 노출되도록 상기 제2절연막을 화학적기계적연마하는 단계; 및 노출된 상기 솔더볼패드 상부에 솔더볼을 형성하는 단계 를 포함하는 반도체 소자의 재배열금속배선 기술을 적용한 패키징 제조방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 재배열금속배선시드층은 Ti/Cu 또는 Cr/Cu를 사용하여 스퍼터링법으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 재배열금속배선 기술을 적용한 패키징 제조방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 제1절연막은 폴리머 계열의 절연막, 산화막, 질화막 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 재배열금속배선 기술을 적용한 패키징 제조방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 제2절연막은 폴리머 계열의 절연막, 산화막, 질화막, 잔류응력을 감소시킬 수 있는 1GPa 이하의 저탄성계수를 갖는 폴리머 재료 중 어느 하나임을 특징으로 하는 반도체 소자의 재배열금속배선 기술을 적용한 패키징 제조방법
5 4
제1항에 있어서, 상기 제2절연막은 폴리머 계열의 절연막, 산화막, 질화막, 잔류응력을 감소시킬 수 있는 1GPa 이하의 저탄성계수를 갖는 폴리머 재료 중 어느 하나임을 특징으로 하는 반도체 소자의 재배열금속배선 기술을 적용한 패키징 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.