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실리콘 관통 홀(ＴＳＶ) 충진용 조성물, ＴＳＶ 충진방법 및 상기 조성물을 이용하여 형성된 ＴＳＶ 충진물을 포함하는 기판

  • 기술번호 : KST2014045157
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 금속 분말; 솔더 분말; 경화성 수지; 환원제; 및 경화제를 포함하는, 실리콘 관통 홀(Through Silicon Via, TSV) 충진용 조성물을 제공한다. 본 발명은 또한 상기 조성물을 이용한 TSV 충진방법 및 상기 조성물로 형성된 TSV 충진물을 포함하는 기판을 제공한다.
Int. CL H01L 23/48 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020100133657 (2010.12.23)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2012-0071921 (2012.07.03) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 취하
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 17

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최광성 대한민국 대전광역시 유성구
2 엄용성 대한민국 대전광역시 유성구
3 배현철 대한민국 대전광역시 유성구
4 문종태 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 무한 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(역삼동,화물재단빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.12.23 수리 (Accepted) 1-1-2010-0853286-41
2 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2013.01.22 수리 (Accepted) 1-1-2013-0063367-92
3 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2013.01.28 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2013-0079716-42
4 서류반려이유통지서
Notice of Reason for Return of Document		 2013.01.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2013-0010493-09
5 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2013.01.30 수리 (Accepted) 1-1-2013-0088939-27
6 [반려요청]서류반려요청(반환신청)서
[Request for Return] Request for Return of Document		 2013.01.30 수리 (Accepted) 1-1-2013-0088941-19
7 서류반려통지서
Notice for Return of Document		 2013.01.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2013-0011757-25
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
금속 분말; 솔더 분말; 경화성 수지; 환원제; 및 경화제를 포함하는, 실리콘 관통 홀(Through Silicon Via, TSV) 충진용 조성물
2 2
제 1 항에 있어서,상기 금속 분말은 융점이 500℃ 이상이고 솔더 분말과 금속간 화합물을 형성할 수 있는 금속 물질인 것을 특징으로 하는 TSV 충진용 조성물
3 3
제 1 항에 있어서,상기 금속 분말은 구리, 니켈, 금, 및 은으로 구성된 군으로부터 선택된 1종 이상의 물질인 것을 특징으로 하는 TSV 충진용 조성물
4 4
제 1 항에 있어서,상기 솔더 분말은 주석(Sn) 및 인듐(In) 중 적어도 하나를 포함하는 물질인 것을 특징으로 하는 TSV 충진용 조성물
5 5
제 1 항에 있어서,상기 솔더 분말은 Sn, In, SnBi, SnAgCu, SnAg, Sn, In, AuSin, 및 InSn로 구성된 군으로부터 선택된 1종 이상의 물질인 것을 특징으로 하는 TSV 충진용 조성물
6 6
제 1 항에 있어서,상기 경화성 수지는 에폭시 수지인 것을 특징으로 하는 TSV 충진용 조성물
7 7
제 1 항에 있어서,상기 환원제는 카복실기(COOH-)를 포함한 산인 것을 특징으로 하는 TSV 충진용 조성물
8 8
제 1 항에 있어서,상기 경화제는 아민(amine)계 경화제 및 무수물(anhydride)계 경화제로 구성된 군으로부터 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 TSV 충진용 조성물
9 9
제 1 항에 있어서,상기 조성물 총 체적을 기준으로 금속 분말은 1 내지 50 체적%, 솔더 분말은 1 내지 50 체적%, 경화성 수지는 50 내지 95 체적%로 포함되고, 상기 환원제는 경화성 수지 대비 중량비 0
10 10
제 1 항에 있어서,실리카 및 세라믹 분말 중에서 선택된 1종 이상의 물질을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 TSV 충진용 조성물
11 11
TSV가 형성된 기판 표면에 제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 따른 조성물을 적용하여 상기 TSV 내부에 상기 조성물을 채우는 단계; 및상기 기판을 솔더 분말의 융점 이상에서 가열하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 TSV 충진방법
12 12
제 11 항에 있어서,상기 조성물을 채우는 단계는 상온 또는 솔더 분말의 융점 이상에서 스크린 프린팅(screen printing), 금속 마스크 프린팅(metal mask printing) 또는 코팅 공정을 이용하여 상기 기판 표면에 상기 조성물을 적용한 다음 TSV 내부의 압력을 변화시키면서 TSV 내부에 조성물을 채우는 것을 특징으로 하는 TSV 충진방법
13 13
제 11 항에 있어서,상기 TSV는 관통 홀(through via) 또는 블라인드 홀(blind via)인 것을 특징으로 하는 TSV 충진방법
14 14
제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 따른 조성물로 형성된 TSV 충진물을 포함하는 기판
15 15
제 14 항에 있어서,상기 TSV 충진물은 상기 조성물의 금속 분말과 솔더 분말에 의해 형성된 금속간 화합물, TSV 내부의 시드층과 솔더 분말에 의해 형성된 금속간 화합물, 상기 금속간 화합물과 금속 분말에 의해 형성된 다공성 매트릭스 및 상기 매트릭스의 기공내에 채워진 경화된 수지를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판
16 16
제 14 항에 있어서,상기 기판은 실리콘 웨이퍼, 유리(glass) 기판, 또는 인쇄회로기판(PCB)인 것을 특징으로 하는 기판
17 17
제 14 항에 있어서,상기 기판은 삼차원 적층 실리콘 칩 또는 실리콘 인터포저용 웨이퍼인 것을 특징으로 하는 기판
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN102543953 CN 중국 FAMILY
2 US20120161326 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN102543953 CN 중국 DOCDBFAMILY
2 US2012161326 US 미국 DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 한국과학기술원 정보통신산업원천기술개발사업 wafer level 3D IC 설계 및 집적 기술 개발(본과제 : 웨이퍼레벨 3차원 IC 설계 및 집적기술 )