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장파장 수직 공진 표면광 레이저의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015077647
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 장파장 통신용 광원으로 주목 받고 있는 수직 공진 표면광 레이저의 제조 방법에 관한 것으로, 실리콘(Si) 이온과 같이 무거운 이온을 주입하여 표면 가까이에 저항이 큰 층을 형성함으로써 양성자 주입과는 달리 최소 전류 주입 직경이 아주 작게 형성되도록 하며, 실리콘(Si) 이온 주입 후 결정을 재성장시켜 전류가 에피면에 평행하게 잘 흐르도록 함으로써 전극으로부터 실리콘(Si) 이온에 의해 형성된 전류 주입구까지의 저항이 크게 감소되도록 한다. 따라서 전류 주입 직경을 효과적으로 감소시킬 뿐만 아니라 소자의 저항을 크게 줄일 수 있어 열 발생을 감소시키고, 또한 재성장 시 InP를 사용함으로써 열 발산을 더욱 향상시켜 소자의 전반적인 성능 향상을 이룬다.표면광 레이저, InP층, InAlGaAs층, 전류 감금층, 열 퍼짐층
Int. CL H01S 5/18 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020020002494 (2002.01.16)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0427583-0000 (2004.04.06)
공개번호/일자 10-2003-0062073 (2003.07.23) 문서열기
공고번호/일자 (20040428) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2002.01.16)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 주영구 대한민국 대전광역시유성구
2 한원석 대한민국 대전광역시유성구
3 권오균 대한민국 대전광역시유성구
4 신재헌 대한민국 대전광역시유성구
5 유병수 대한민국 대전광역시서구
6 노정래 대한민국 대전광역시서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신영무 대한민국 서울특별시 강남구 영동대로 ***(대치동) KT&G타워 *층(에스앤엘파트너스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2002.01.16 수리 (Accepted) 1-1-2002-0013013-59
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2003.10.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2003.11.20 수리 (Accepted) 9-1-2003-0058851-79
5 등록결정서
Decision to grant		 2004.03.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0123714-64
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

공진기의 두께를 고려하여 하부 분산 브라그 반사경, 레이저 능동 매질, 열 퍼짐층을 순차적으로 성장시키는 단계와,

상기 열 퍼짐층 상에 포토레지스트로 마스크를 형성한 후 노출된 부분의 상기 열 퍼짐층에 이온을 주입하여 전류 감금층을 형성하는 단계와,

상기 포토레지스트 마스크를 제거하고 상기 전류 감금층을 포함하는 상기 열퍼짐층 상에 Inp층 및 전류 퍼짐층을 순차적으로 재성장시키는 단계와,

상기 전류 퍼짐층 상에 전극을 형성한 후 상부 분산 브라그 반사경을 적층시키는 단계와,

상기 상부 분산 브라그 반사경의 표면에 Au 반사경을 형성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 장파장 수직 공진 표면광 레이저의 제조 방법

2 2

제 1 항에 있어서,

상기 열 퍼짐층은 InP로 이루어진 것을 특징으로 하는 장파장 수직 공진 표면광 레이저의 제조 방법

3 3

제 1 항에 있어서,

상기 이온은 실리콘(Si)인 것을 특징으로 하는 장파장 수직 공진 표면광 레이저의 제조 방법

4 4

제 1 항에 있어서,

상기 이온은 50 내지 500KeV의 에너지로 주입되는 것을 특징으로 하는 장파장 수직 공진 표면광 레이저의 제조 방법

5 5

제 1 항에 있어서,

상기 전류 퍼짐층은 InAlGaAs로 이루어진 것을 특징으로 하는 장파장 수직 공진 표면광 레이저의 제조 방법

6 6

제 1 항에 있어서,

상기 상부 분산 브라그 반사경은 유전체 박막으로 이루어지거나 유전체 박막과 금속으로 이루어진 것을 특징으로 하는 장파장 수직 공진 표면광 레이저의 제조 방법

7 7

제 1 항에 있어서,

상기 Inp층 및 전류 퍼짐층은 450 내지 600℃의 온도에서 재성장되는 것을 특징으로 하는 장파장 수직 공진 표면광 레이저의 제조 방법

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1 US2003134448 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US6727109 US 미국 DOCDBFAMILY
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