맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

개선된 전류 감금 구조를 가진 인듐-알미늄-갈륨-아세닉계수직 공진 표면광 레이저 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015077651
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 화합물 반도체 제조 기술에 관한 것으로, 특히 개선된 전류 감금 구조를 가진 InAlGaAs계 수직 공진 표면광 레이저의 구조 및 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은 전류 주입 직경이 감소함에 따라 저항이 급격히 증가하는 문제가 없고, 낮은 임계 전류를 실현할 수 있으며, InAlGaAs, InAlAs, InP로 구성된 1.3 ∼ 1.55 ㎛ 장파장용 수직 공진 표면광 레이저에서 적용할 수 있으며, 제작 공정이 간단하고 안정적이어서 실제 소자의 양산에 적용될 수 있음을 물론, 열 방출 효율을 증대시킬 수 있는 InAlGaAs계 수직 공진 표면광 레이저 및 그 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다. 본 발명은 하부 거울층을 포함하는 하부 구조와, 전류 감금층 및 그 상부에 제공되는 상부 거울층을 포함하는 레이저 기둥을 구비하는 InAlGaAs계 수직 공진 표면광 레이저에 있어서, 상기 하부 구조 최상부에 제1 InP층이 배치되며, 상기 레이저 기둥의 상기 상부 거울층 하부에 제2 InP층이 배치되며, 상기 제1 및 제2 InP층 사이에 배치되는 상기 전류 감금층의 직경이 상기 레이저 기둥의 직경보다 작게 제공되는 것을 특징으로 한다.수직 공진 표면광 레이저, 전류 감금 구조, 레이저 기둥, 저항, 임계 전류
Int. CL H01S 5/18 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020000047840 (2000.08.18)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0340037-0000 (2002.05.27)
공개번호/일자 10-2002-0014508 (2002.02.25) 문서열기
공고번호/일자 (20020615) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2000.08.18)
심사청구항수 9

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 주영구 대한민국 대전광역시유성구
2 권오균 대한민국 대전광역시유성구
3 유병수 대한민국 대전광역시서구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 원석희 대한민국 서울특별시 송파구 중대로 ***, ID타워 ***호 (가락동)(신성특허법인(유한))
2 정지원 대한민국 서울특별시 서초구 반포대로**길**, ***호(서초동,서초빌리지프라자)(특허법인이노(제*분사무소))
3 신성특허법인(유한) 대한민국 서울특별시 송파구 중대로 ***, ID타워 ***호 (가락동)
4 최종식 대한민국 서울특별시 송파구 중대로 ***, ID타워 ***호 (가락동)(신성특허법인(유한))
5 박해천 대한민국 서울특별시 송파구 중대로 ***, ID타워 ***호 (가락동)(신성특허법인(유한))

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2000.08.18 수리 (Accepted) 1-1-2000-0173131-77
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
3 등록결정서
Decision to grant		 2002.04.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2002-0150324-14
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

하부 거울층을 포함하는 하부 구조와, 전류 감금층 및 그 상부에 제공되는 상부 거울층을 포함하는 레이저 기둥을 구비하는 InAlGaAs계 수직 공진 표면광 레이저에 있어서,

상기 하부 구조 최상부에 제1 InP층이 배치되며, 상기 레이저 기둥의 상기 상부 거울층 하부에 제2 InP층이 배치되며, 상기 제1 및 제2 InP층 사이에 배치되는 상기 전류 감금층의 직경이 상기 레이저 기둥의 직경보다 작게 제공되는 것을 특징으로 하는 InAlGaAs계 수직 공진 표면광 레이저

2 2

제1항에 있어서,

상기 레이저 기둥은 상기 전류 감금층이 배치되지 않은 상기 제1 및 제2 InP층 사이에 공기 틈을 포함하는 것을 특징으로 하는 InAlGaAs계 수직 공진 표면광 레이저

3 3

제1항에 있어서,

상기 레이저 기둥은 상기 전류 감금층이 배치되지 않은 상기 제1 및 제2 InP층 사이에 InP 절연층을 포함하는 것을 특징으로 하는 InAlGaAs계 수직 공진 표면광 레이저

4 4

제2항 또는 제3항에 있어서,

상기 하부 구조는 상기 하부 거울층, 능동 매질 및 클래딩층, 상기 제1 InP층의 적층 구조로 이루어지며, 상기 전류 감금층은 InAlGaAs/InAlAs로 이루어진 것을 특징으로 하는 InAlGaAs계 수직 공진 표면광 레이저

5 5

제2항 또는 제3항에 있어서,

상기 하부 구조는 상기 하부 거울층과 상기 제1 InP층의 적층 구조로 이루어지며, 상기 전류 감금층은 그 내부에 능동 매질을 포함하는 것을 특징으로 하는 InAlGaAs계 수직 공진 표면광 레이저

6 6

InP 기판 상부에 하부 반사거울층, 능동 매질 및 클래딩층, 제1 InP 습식 에칭 마스크층, InAlGaAs/InAlAs 전류 감금층, 제2 InP 습식 에칭 마스크층 및 상부 반사거울층을 차례로 형성하는 제1 단계;

적어도 상기 상부 반사거울층 및 상기 제2 InP 습식 에칭 마스크층을 식각하여 레이저 기둥 구조를 형성하는 제2 단계;

적어도 상기 레이저 기둥 구조의 측벽을 덮는 에칭 마스크층을 형성하는 제3 단계; 및

상기 InAlGaAs/InAlAs 전류 감금층을 수평방향으로 일정 부분 습식 식각하여 상기 제1 및 제2 InP 습식 에칭 마스크층 사이에 공기 틈을 형성하는 제4 단계

를 포함하여 이루어진 InAlGaAs계 수직 공진 표면광 레이저 제조방법

7 7

InP 기판 상부에 하부 반사거울층, 제1 InP 습식 에칭 마스크층, 능동 매질층이 포함된 InAlGaAs/InAlAs 전류 감금층, 제2 InP 습식 에칭 마스크층 및 상부 반사거울층을 차례로 형성하는 제1 단계;

적어도 상기 InAlGaAs/InAlAs 상부 반사거울층 및 상기 제2 InP 습식 에칭 마스크층을 식각하여 레이저 기둥 구조를 형성하는 제2 단계;

적어도 상기 레이저 기둥 구조의 측벽을 덮는 에칭 마스크층을 형성하는 제3 단계; 및

상기 능동 매질층을 포함하는 상기 InAlGaAs/InAlAs 전류 감금층을 수평방향으로 일정 부분 습식 식각하여 상기 제1 및 제2 InP 습식 에칭 마스크층 사이에 공기 틈을 형성하는 제4 단계

를 포함하여 이루어진 InAlGaAs계 수직 공진 표면광 레이저 제조방법

8 8

제6항 또는 제7항에 있어서,

상기 공기 틈에 도핑되지 않거나 반부도체 상태의 InP 절연층을 채우는 제5 단계를 더 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 InAlGaAs계 수직 공진 표면광 레이저 제조방법

9 9

제6항 또는 제7항에 있어서,

상기 습식 식각은 H3PO4 또는 H2SO4를 포함하는 에칭 용액을 사용하여 수행하는 것을 특징으로 하는 InAlGaAs계 수직 공진 표면광 레이저 제조방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.