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제1 실리콘 기판 상에 제1 절연막을 증착하고, 상기 제1 절연막 상에 제2 실리콘 기판을 증착하여 SOI 기판을 형성하는 제1 단계; 상기 제2 실리콘 기판의 깊이 방향으로 다수의 1차 트랜치를 형성하는 제2 단계; 상기 다수의 1차 트랜치 각각에 가스를 주입하는 제3 단계; 이웃하는 두 개의 트랜치와 상기 두 개의 트랜치 사이의 실리콘을 열처리하여 하나의 산화막 막대를 형성하는 제4 단계; 상기 제4 단계에 의해 생성된 다수의 산화막 막대 모두가 포함되도록 2개의 2차 트랜치를 상기 제2 실리콘 기판의 깊이 방향으로 형성하는 제5 단계; 상기 2차 트랜치 내부에 전자기파 차폐용 물질로 채우는 제6 단계; 및 상기 제2 실리콘 기판상에 제2 절연막을 증착한 후, 제1 코일, 자성막, 제2 코일 순서로 형성하여 박막 인덕터를 형성하는 제7 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 인덕터 제작방법
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제3항에 있어서, 상기 가스는 수소, 산소 및 질소를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 인덕터 제작방법
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제3항에 있어서, 상기 제1 코일, 상기 자성막, 상기 제2 코일을 에워싸는 금속박막을 형성하는 제8 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 인덕터 제작방법
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제3항 또는 제5항에 있어서, 상기 제6 단계는, 상기 2차 트랜치의 내면에 금속을 증착시키는 단계, 상기 금속 증착면에 자기차폐물질을 증착시키는 단계와, 상기 자기차폐물질의 잔여 공간에 산화막 혹은 절연물질을 채우는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 인덕터 제작방법
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제6항에 있어서, 상기 자기차폐물질은 Fe, Co, Ni, Ti, W, TiN, Zr, Ta 중의 하나 혹은 둘 이상의 합금인 것을 특징으로 하는 박막 인덕터 제작방법
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제6항에 있어서, 상기 절연물질은 저 유전율의 폴리이미드인 것을 특징으로 하는 박막 인덕터 제작방법
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제7항에 있어서, 상기 2차 트랜치의 내면에 증착되는 금속은 Al, AlSi, AlSiCu, Cu, Pt, Ti, TiW, W, TiN 중의 하나인 것을 특징으로 하는 박막 인덕터 제작방법
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제3항에 있어서, 상기 자성막은 층면이 마주보는 위, 아래 가장자리를 톱니파형 모양으로 형성하는 것을 특징으로 하는 박막 인덕터 제작방법
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