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고밀도 및 고종횡비를 갖는 배선용 범프 형성 방법

  • 기술번호 : KST2015077981
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 플립 칩(Flip chip) 방식의 반도체 소자의 접속단자인 범프를 형성하는 방법에 관한 것으로, 입출력패드가 형성된 반도체칩 상에 보호막을 형성하는 단계, 상기 보호막을 선택적으로 식각하여 상기 입출력패드의 표면을 노출시키는 단계, 상기 노출된 입출력패드를 포함한 상기 보호막 상에 금속기저층을 형성하는 단계, 상기 금속기저층 상에 도금법을 이용하여 도금층을 형성하는 단계, 상기 도금층 상에 감광막을 도포하고 선택적으로 패터닝하여 감광막패턴을 형성하는 단계, 상기 감광막패턴을 식각 마스크로 이용하여 상기 도금층과 금속기저층을 순차적으로 식각하는 단계, 및 상기 도금층에 열을 가하여 상기 금속기저층 상에 상기 도금층으로 된 범프를 형성하는 단계를 포함한다.웨이퍼, 범프, 솔더, 리플로우, UBM, 감광막
Int. CL H01L 21/60 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020010030893 (2001.06.01)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0417126-0000 (2004.01.19)
공개번호/일자 10-2002-0092041 (2002.12.11) 문서열기
공고번호/일자 (20040205) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2001.06.01)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김성진 대한민국 대전광역시 유성구
2 주철원 대한민국 대전광역시 유성구
3 백규하 대한민국 대전광역시 유성구
4 박성수 대한민국 대전광역시 유성구
5 이희태 대한민국 대전광역시 유성구
6 송민규 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신성특허법인(유한) 대한민국 서울특별시 송파구 중대로 ***, ID타워 ***호 (가락동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2001.06.01 수리 (Accepted) 1-1-2001-0131842-82
2 서지사항보정서
Amendment to Bibliographic items		 2001.06.25 수리 (Accepted) 1-1-2001-5179158-12
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2003.04.18 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2003.05.19 수리 (Accepted) 9-1-2003-0019030-53
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2003.05.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2003-0181279-18
7 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 2003.07.21 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2003-0264303-49
8 의견서
Written Opinion		 2003.07.21 수리 (Accepted) 1-1-2003-0264306-86
9 등록결정서
Decision to grant		 2004.01.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0013439-11
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

범프의 형성 방법에 있어서,

입출력패드가 형성된 반도체칩 상에 보호막을 형성하는 단계;

상기 보호막을 선택적으로 식각하여 상기 입출력패드의 표면을 노출시키는 단계;

상기 노출된 입출력패드를 포함한 상기 보호막 상에 금속기저층을 형성하는 단계;

상기 금속기저층 상에 도금법을 이용하여 도금층을 형성하는 단계;

상기 도금층 상에 감광막을 도포하고 선택적으로 패터닝하여 감광막패턴을 형성하는 단계;

상기 감광막패턴을 식각 마스크로 이용하여 상기 도금층과 금속기저층을 순차적으로 식각하는 단계; 및

상기 도금층에 열을 가하여 상기 금속기저층 상에 상기 도금층으로 된 범프를 형성하는 단계

를 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 범프의 형성 방법

2 2

제 1 항에 있어서,

상기 도금층, 금속기저층을 순차적으로 식각하는 단계는,

스프레이 방식의 습식 식각 또는 건식 식각 중 어느 한 방법을 적용하거나, 또는 이들을 혼합하여 적용하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 범프의 형성 방법

3 3

제 1 항에 있어서,

상기 도금층은 구리와 솔더의 2층 금속막을 포함함을 특징으로 하는 범프의 형성 방법

4 4

제 1 항에 있어서,

상기 금속기저층은 구리와 티타늄의 2층 적층막을 포함함을 특징으로 하는 범프의 형성 방법

5 5

제 1 항에 있어서,

상기 도금층에 열을 가하는 단계는,

상기 도금층상에 레진플럭스를 도포하는 단계; 및

상기 레진플럭스를 질소분위기에서 리플로우시키는 단계

를 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 범프의 형성 방법

6 6

제 1 항에 있어서,

상기 감광막을 도포하는 단계에서,

상기 감광막은 점성이 낮은 감광막을 이용함을 특징으로 하는 범프의 형성 방법

7 7

제 1 항에 있어서,

상기 금속기저층을 형성하기 전에,

상기 입출력패드가 형성된 반도체칩상에 보호막을 형성하는 단계;

상기 보호막상에 감광막을 도포하고 선택적으로 패터닝하는 단계; 및

상기 패터닝된 감광막을 마스크로 이용하여 상기 입출력패드를 노출시키는 콘택홀을 형성하는 단계

를 더 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 범프의 형성 방법

8 8

제 1 항에 있어서,

상기 금속기저층을 형성한 후,

정렬키를 확보하기 위해 상기 금속기저층을 리프트오프시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 범프의 형성 방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.