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기계적인 지지를 위한 기판층 위에 형성되고 상면에 홈을 가지는 매립 절연 산화막; 상기 홈 위를 가로지르는 매우 얇은 SOI(Silicon On Insulator)층; 상기 홈 위 SOI층 부분을 둘러싸는 절연막; 상기 절연막 위에 상기 홈보다 넓게 형성된 게이트; 상기 게이트 양측으로 상기 SOI층 안에 위치하고, 실리사이드로 이루어지며, 바닥이 상기 매립 절연 산화막에 닿아 있는 소오스/드레인; 및 상기 홈을 채우는 도전막을 포함하는 것을 특징으로 하는 쇼트키 장벽 관통 트랜지스터
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제1항에 있어서, 상기 SOI층의 두께가 약 50nm 이하인 것을 특징으로 하는 쇼트키 장벽 관통 트랜지스터
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제1항에 있어서, 상기 도전막과 게이트는 도프트 폴리실리콘으로 이루어진 것을 특징으로 하는 쇼트키 장벽 관통 트랜지스터
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제1항에 있어서, 상기 도전막은 도프트 폴리실리콘으로 이루어지고, 상기 게이트는 실리사이드로 이루어진 것을 특징으로 하는 쇼트키 장벽 관통 트랜지스터
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제1항에 있어서, 상기 게이트 측벽에 절연막 스페이서를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 쇼트키 장벽 관통 트랜지스터
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제1항에 있어서, 상기 게이트 위에 하드마스크막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 쇼트키 장벽 관통 트랜지스터
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기계적인 지지를 위한 기판층, 매립 절연 산화막 및 매우 얇은 SOI(Silicon On Insulator)층을 포함하는 기판을 제공하는 단계; 상기 SOI층을 패터닝하여 두 개의 넓은 소오스/드레인 예정 영역과 그 사이의 좁은 채널 영역을 남기는 단계; 상기 채널 영역 아래의 매립 절연 산화막을 일부 제거하여 홈을 형성하는 단계; 남아 있는 SOI층을 열산화시켜 상기 채널 영역을 둘러싸는 절연막을 형성하는 단계; 상기 절연막 위에 게이트용 도전물질을 증착하면서 상기 홈도 채우는 단계; 상기 도전물질과 절연막을 패터닝하여 상기 홈보다 넓게 상기 채널 영역을 가로지르는 게이트와 게이트 산화막을 형성하는 단계; 및 상기 소오스/드레인 예정 영역에 실리사이드로 이루어진 소오스/드레인을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 쇼트키 장벽 관통 트랜지스터의 제조방법
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제8항에 있어서, 상기 SOI층은 상기 게이트가 제어하는 전계가 채널을 완전히 조절할 수 있는 정도의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 쇼트키 장벽 관통 트랜지스터의 제조방법
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제8항에 있어서, 상기 홈을 형성하는 단계는, 상기 남아 있는 SOI층 위에 포토레지스트를 형성하는 단계; 상기 포토레지스트를 노광 및 현상하여 상기 채널 영역보다 넓게 오프닝을 형성하는 단계; 상기 오프닝으로 드러난 부위의 매립 절연 산화막을 상기 SOI층에 대해 선택비있게 소정 두께 제거하는 단계; 및 상기 포토레지스트를 전부 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 쇼트키 장벽 관통 트랜지스터의 제조방법
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제8항에 있어서, 상기 게이트용 도전물질로는 도프트 폴리실리콘을 사용하는 것을 특징으로 하는 쇼트키 장벽 관통 트랜지스터의 제조방법
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제8항에 있어서, 상기 게이트와 게이트 산화막을 형성하는 단계는, 상기 도전물질 위에 상기 홈보다 넓게 상기 채널 영역을 가로지르는 하드마스크막을 형성하는 단계; 및 상기 하드마스크막을 이용하여 상기 도전물질과 절연막을 패터닝하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 쇼트키 장벽 관통 트랜지스터의 제조방법
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제8항에 있어서, 상기 게이트와 게이트 산화막을 형성하는 단계 이후, 상기 게이트 측벽에 절연막 스페이서를 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 쇼트키 장벽 관통 트랜지스터의 제조방법
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제8항에 있어서, 상기 소오스/드레인을 형성하는 단계는, 상기 게이트가 형성된 결과물 상에 고융점 금속을 증착하는 단계; 및 상기 기판을 열처리하여 상기 고융점 금속과 상기 소오스/드레인 예정 영역의 실리콘을 반응시켜 자기정렬적인 실리사이드를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 쇼트키 장벽 관통 트랜지스터의 제조방법
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제8항에 있어서, 상기 소오스/드레인의 바닥이 상기 매립 절연 산화막에 닿도록 형성하는 것을 특징으로 하는 쇼트키 장벽 관통 트랜지스터의 제조방법
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제8항에 있어서, 상기 소오스/드레인의 바닥이 상기 매립 절연 산화막에 닿도록 형성하는 것을 특징으로 하는 쇼트키 장벽 관통 트랜지스터의 제조방법
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