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플라즈마 인가 원자층 증착법을 통한 질소첨가 산화물박막의 형성방법

  • 기술번호 : KST2015078811
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 플라즈마 인가 원자층 증착법을 통한 질소첨가 산화물 박막의 형성방법에 관한 것이다. 본 발명의 박막 형성방법에서는 금속 원료 화합물과 산소 가스의 시분할 조합을 주기적으로 반복하여 반응기에 공급함으로써 기판 상에 금속 산화물 박막을 증착하되, 산소 가스의 공급주기와 동기하여 이를 활성화시키기 위한 플라즈마를 발생시키며, 질소 함유 가스를 더 조합하여 공급하되 질소 함유 가스의 공급주기와 동기하여 이를 활성화시키기 위한 플라즈마를 발생시킨다. 이러한 방법에 따르면 치밀하고 균일한 박막을 빠르게 증착할 수 있고, 증착되는 박막에 인-시튜(in-situ)로 미량의 질소 원자를 첨가할 수 있기 때문에 종래보다 우수한 파괴전압 특성을 가진 박막을 형성할 수 있다.
Int. CL H01L 21/20 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020020064524 (2002.10.22)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0460841-0000 (2004.12.01)
공개번호/일자 10-2004-0035393 (2004.04.29) 문서열기
공고번호/일자 (20041209) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2002.10.22)
심사청구항수 17

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 임정욱 대한민국 대전광역시유성구
2 윤선진 대한민국 대전광역시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이영필 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)(리앤목특허법인)
2 이해영 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)(리앤목특허법인)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2002.10.22 수리 (Accepted) 1-1-2002-0346194-14
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2004.07.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2004.08.18 수리 (Accepted) 9-1-2004-0049668-43
4 등록결정서
Decision to grant		 2004.11.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0497780-83
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

금속 원료 화합물과 산소 가스의 시분할 조합을 주기적으로 반복하여 반응기에 공급함으로써 기판 상에 금속 산화물 박막을 형성하는 방법에 있어서,

상기 산소 가스의 공급주기와 동기하여 이를 활성화시키기 위한 플라즈마를 상기 기판 위에서 발생시키며, 상기 시분할 조합에 질소 함유 가스를 더 조합하여 공급하되 상기 질소 함유 가스의 공급주기와 동기하여 이를 활성화시키기 위한 플라즈마를 상기 기판 위에서 발생시키는 것을 특징으로 하는 박막 형성방법

2 2

제 1 항에 있어서, 상기 산소 가스와 질소 함유 가스는 동시에 같은 주기로 공급하는 것을 특징으로 하는 박막 형성방법

3 3

제 1 항에 있어서, 상기 산소 가스를 공급한 다음에 상기 질소 함유 가스를 공급하는 것을 특징으로 하는 박막 형성방법

4 4

제 1 항에 있어서, 상기 질소 함유 가스를 공급한 다음에 상기 산소 가스를 공급하는 것을 특징으로 하는 박막 형성방법

5 5

제 1 항에 있어서, 상기 질소 함유 가스는 N2, NH3, NO2, N2O 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 박막 형성방법

6 6

제 1 항에 있어서, 상기 금속 화합물, 산소 가스 및 질소 함유 가스 중의 적어도 어느 하나는 불활성 캐리어 가스에 희석시켜 공급하는 것을 특징으로 하는 박막 형성방법

7 7

제 6 항에 있어서, 상기 금속 화합물, 산소 가스 및 질소 함유 가스를 공급하는 사이마다 상기 불활성 캐리어 가스는 지속적으로 공급하여, 반응하지 않고 남아있는 가스를 제거하도록 하는 것을 특징으로 하는 박막 형성방법

8 8

제 1 항에 있어서, 상기 질소 함유 가스를 공급함에 따라, 형성된 금속 산화물 박막에 질소 원자가 개재되는 것을 특징으로 하는 박막 형성방법

9 9

제 1 항에 있어서, 상기 기판으로는 제2의 금속 원료 화합물과 산소 가스의 시분할 조합을 주기적으로 반복하여 반응기에 공급함으로써 형성한 제2의 금속 산화물 박막이 미리 형성되어 있는 기판을 이용하는 것을 특징으로 하는 박막 형성방법

10 10

제 1 항에 있어서, 상기 금속 산화물 박막을 형성한 이후에, 상기 반응기에 제2의 금속 원료 화합물과 산소 가스의 시분할 조합을 주기적으로 반복하여 공급함으로써 제2의 금속 산화물 박막을 더 형성하는 것을 특징으로 하는 박막 형성방법

11 11

제 9 항 또는 제 10 항에 있어서, 상기 제2의 금속 원료 화합물과 금속 원료 화합물은 동일한 물질을 사용하는 것을 특징으로 하는 박막 형성방법

12 12

제 11 항에 있어서, 상기 제2의 금속 원료 화합물과 금속 원료 화합물은 트리메틸알루미늄인 것을 특징으로 하는 박막 형성방법

13 13

금속 원료 화합물과 반응 가스의 시분할 조합을 주기적으로 반복하여 반응기에 공급함으로써 기판 상에 박막을 형성하는 방법에 있어서,

상기 반응 가스의 공급주기와 동기하여 이를 활성화시키기 위한 플라즈마를 상기 기판 위에서 발생시키며, 상기 반응 가스로는 질소 원자와 산소 원자를 동시에 함유하고 있는 가스를 사용하는 것을 특징으로 하는 박막 형성방법

14 14

제 13 항에 있어서, 상기 질소 함유 가스는 NO2, N2O 또는 이들의 조합인 것을 특징으로 하는 박막 형성방법

15 15

제 13 항에 있어서, 상기 기판으로는 제2의 금속 원료 화합물과 산소 가스의 시분할 조합을 주기적으로 반복하여 반응기에 공급함으로써 형성한 제2의 금속 산화물 박막이 미리 형성되어 있는 기판을 이용하는 것을 특징으로 하는 박막 형성방법

16 16

제 13 항에 있어서, 상기 금속 산화물 박막을 형성한 이후에, 상기 반응기에 제2의 금속 원료 화합물과 산소 가스의 시분할 조합을 주기적으로 반복하여 공급함으로써 제2의 금속 산화물 박막을 더 형성하는 것을 특징으로 하는 박막 형성방법

17 17

제 15 항 또는 제 16 항에 있어서, 상기 제2의 금속 원료 화합물과 금속 원료 화합물은 동일한 물질을 사용하는 것을 특징으로 하는 박막 형성방법

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1 US2004077182 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US6723642 US 미국 DOCDBFAMILY
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