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다영역 DFB 레이저 다이오드

  • 기술번호 : KST2015078958
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 자발적 펄스를 발생하는 다영역 DFB 레이저 다이오드에 굴절 변화층을 부가시켜 이들 굴절 변화층의 유효 굴절율의 차이에 의해 두 DFB 영역의 브라그 파장에 차이를 쉽게 조절함과 동시에 변조지수의 향상을 도모하는 것이다. 펄스 레이저, 반도체 레이저 다이오드, 광클럭 재생
Int. CL H01S 5/18 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020020079599 (2002.12.13)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0526999-0000 (2005.11.01)
공개번호/일자 10-2004-0051905 (2004.06.19) 문서열기
공고번호/일자 (20051108) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2002.12.13)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박경현 대한민국 대전광역시유성구
2 임영안 대한민국 대전광역시유성구
3 이대수 대한민국 서울특별시관악구
4 김동철 대한민국 서울특별시관악구
5 김성복 대한민국 대전광역시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 유미특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 서림빌딩 **층 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2002.12.13 수리 (Accepted) 1-1-2002-0414550-05
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2004.09.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2004.10.18 수리 (Accepted) 9-1-2004-0062022-20
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2005.03.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0150942-24
5 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period
2005.05.31 수리 (Accepted) 1-1-2005-0288817-25
6 의견서
Written Opinion
2005.06.29 수리 (Accepted) 1-1-2005-0349383-76
7 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2005.06.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2005-0349386-13
8 등록결정서
Decision to grant
2005.10.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0526748-36
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판, 상기 기판위에 순차적으로 n-InP층, 활성층, p형 크레드층, 전극층을 포함하는 적층구조로서, 위상조절영역 및 증폭영역을 포함하는 공진기와 DFB 레이저 영역을 포함하여 자발적 펄스를 발생하는 다영역 DFB 레이저 다이오드에 있어서, 상기 p형 크레드층은 식각홈에 의해 상기 전극층과 함께 절연 구획되는 굴절변화층을 포함하고, 제1 DFB 레이저 영역 및 제2 DFB 레이저 영역과 위상조절영역을 포함하여, 국소영역의 유효굴절률 변화로 두 DFB 레이저 영역들의 상호 모드간의 위치 및 모드비 조정으로 DFB 레이저의 발진 주파수 천이를 유도 및 제어하는다영역 DFB 레이저 다이오드
2 2
제1항에 있어서, 상기 굴절 변화층은 서로 다른 유효 굴절율을 갖도록 설정된 다영역 DFB 레이저 다이오드
3 3
제2항에 있어서,상기 기판은 InP로 조성되고,상기 n-InP층은 회절격자를 포함하는 다영역 DFB 레이저 다이오드
4 4
제3항에 있어서,상기 활성층은 InGaAsP로 조성되고,상기 활성층의 상면에는 크레드층으로서 p-InP층이 적층되는 다영역 DFB 레이저 다이오드
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US07012945 US 미국 FAMILY
2 US20040125845 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2004125845 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US7012945 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.