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SOI 기판의 단결정 실리콘막 상에 게이트 스택을 형성하는 단계; 상기 게이트 스택의 양측벽에 게이트 스페이서를 형성하는 단계; 상기 게이트 스페이서, 게이트 스택 및 단결정 실리콘막 상에 도전막을 형성하는 단계; 상기 게이트 스택의 양측의 단결정 실리콘막에 소스/드레인을 형성하는 단계; 상기 도전막 상에 HSQ막을 형성하는 단계; 상기 HSQ막을 리플로우하여 상기 게이트 스택 상의 도전막의 상부 표면을 노출시키는 평탄화층을 형성하는 단계; 상기 게이트 스택의 상부 표면 및 게이트 스페이서 상에 형성된 도전막을 선택적으로 식각하여 홀을 형성함과 아울러 상기 소스/드레인 상에 엘리베이티드 소스/드레인을 형성하는 단계; 및 상기 홀을 채우면서 상기 게이트 스택, 게이트 스페이서 및 평탄화층 상에 층간 절연막을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 SOI 모스펫 소자의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 게이트 스택은 SOI 기판의 단결정 실리콘막 상에 게이트 절연막, 게이트 전극 및 하드 마스크 패턴이 순차적으로 형성하여 마련된 것을 특징으로 하는 SOI 모스펫 소자의 제조 방법
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제2항에 있어서, 상기 게이트 전극을 구성하는 도전막은 불순물을 포함하는 실리콘막 또는 금속막으로 형성하는 것을 특징으로 하는 SOI 모스펫 소자의 제조방법
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제3항에 있어서, 상기 게이트 전극을 구성하는 도전막은 n-형 모스펫 소자에 대해서는 일함수가 실리콘 채널층보다 큰 재료로 형성하고, p-형 모스펫 소자에 대해서는 일함수가 실리콘 채널층보다 작은 재료로 형성하는 것을 특징으로 하는 SOI 모스펫 소자의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 도전막은 인시츄(in-situ)로 불순물이 포함된 실리콘막, 실리콘-게르마늄 합금 또는 게르마늄막을 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 SOI 모스펫 소자의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 소스/드레인은 상기 도전막에 포함된 불순물을 열확산시켜 형성하는 것을 특징으로 하는 SOI 모스펫 소자의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 HSQ막의 리플로우는 300 내지 500도의 질소분위기에서 수 분간 열처리하여 수행하는 것을 특징으로 하는 SOI 모스펫 소자의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 도전막의 선택적 식각은 상기 평탄화층과 게이트 스택을 구성하는 하드 마스크 패턴과 식각 선택비를 갖고 상기 도전막을 등방성 식각할 수 있는 식각 용액 또는 식각 가스를 사용하여 수행하는 것을 특징으로 하는 SOI 모스펫 소자의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 엘리베이티드 소스/드레인 및 게이트 스택 상의 층간 절연막에 컨택홀들을 형성하고, 상기 컨택홀들에 전극을 형성하는 것을 특징으로 하는 SOI 모스펫 소자의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 층간 절연막은 HSQ막, 산화막 또는 질화막을 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 SOI 모스펫 소자의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 층간 절연막은 HSQ막, 산화막 또는 질화막을 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 SOI 모스펫 소자의 제조방법
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