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기판 상에 바닥층 및 마스크 박막을 순차적으로 형성하는 단계와, 상기 마스크 박막의 소정 부분에 캔티레베 팁을 위치시킨 후 바이어스 전압을 인가하여 상기 캔티레베 팁이 접촉된 부분의 상기 마스크 박막에 국부적으로 포어 형태의 산화패턴이 형성되도록 하는 단계와, 상기 산화패턴을 선택적으로 제거하여 상기 마스크 박막에 포어가 형성되도록 하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 포어 형성 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 바닥층은 SiO2, Si, Pt, Ti, Cr, Al, Au, Ag 및 ITO 중 어느 하나의 물질로 형성하는 것을 특징으로 하는 나노 포어 형성 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 마스크 박막은 Si, GaAs, Ti, Zr, Al 및 Cr 중 어느 하나의 물질로 형성하는 것을 특징으로 하는 나노 포어 형성 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 캔티레버 팁으로 원자현미경의 캔티레버 팁을 이용하는 것을 특징으로 하는 나노 포어 형성 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 캔티레버 팁은 W2C, Ti 및 Pt 중 어느 하나의 금속으로 코팅된 것을 특징으로 하는 나노 포어 형성 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 산화패턴은 HF 또는 BOE 를 이용한 습식 식각으로 제거하는 것을 특징으로 하는 나노 포어 형성 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 산화패턴은 불소 계열의 가스에 CH4 또는 H2 가스가 혼합된 가스를 이용한 건식 식각으로 제거하는 것을 특징으로 하는 나노 포어 형성 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 포어를 형성한 후 세정하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 포어 형성 방법
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제 8 항에 있어서, 상기 세정은 플라즈마를 이용한 식각 방법으로 실시하는 것을 특징으로 하는 나노 포어 형성 방법
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제 8 항에 있어서, 상기 세정은 플라즈마를 이용한 식각 방법으로 실시하는 것을 특징으로 하는 나노 포어 형성 방법
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