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a) 제 1 실리콘 시료의 소정 깊이에 매몰 산화층을 형성하고 표면에 산화막을 형성하는 단계와, b) 상기 매몰 산화층보다 깊은 깊이의 상기 제 1 실리콘 시료에 수소 주입층을 형성하는 단계와,c) 상기 제 1 실리콘 시료의 산화막과 제 2 실리콘 시료의 상부 표면이 접하도록 상기 제 2 실리콘 시료 위로 상기 제 1 실리콘 시료를 접합하는 단계와, d) 상기 수소 주입층 상부의 실리콘을 제거하는 단계와,e) 상기 매몰 산화층 상부의 실리콘을 제거하는 단계와,f) 상기 매몰 산화층을 제거한 후 노출되는 실리콘을 소정 두께 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 SOI 웨이퍼 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 단계 a)는 상기 제 1 실리콘 시료에 산소 이온을 주입하는 단계와, 상기 제 1 실리콘 시료의 소정 깊이에는 상기 매몰 산화층이 형성되고, 표면에는 상기 산화막이 형성되도록 열처리 및 산화 공정을 실시하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 SOI 웨이퍼 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 제 2 실리콘 시료의 상부 표면에 산화막이 형성된 것을 특징으로 하는 SOI 웨이퍼 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 단계 d)는 300 내지 600℃의 질소 또는 산소 분위기에서 열처리하는 스마트 컷 방법으로 실시되며, 상기 스마트 컷에 의해 상기 수소 주입층 상부의 상기 제 1 실리콘 시료가 제거되는 것을 특징으로 하는 SOI 웨이퍼 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 매몰 산화층 상부의 실리콘은 습식 식각이나 건식식각 방법으로 제거하는 것을 특징으로 하는 SOI 웨이퍼 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 매몰 산화층은 습식 식각으로 제거하는 것을 특징으로 하는 SOI 웨이퍼 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 단계 f)에서 상기 실리콘 상부의 결함층 및 소정의 실리콘을 화학적 기계연마(CMP)공정으로 제거하는 것을 특징으로 하는 SOI 웨이퍼 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 단계 f)에서 상기 실리콘층을 산화 및 습식 식각하여 두께를 조절하는 것을 특징으로 하는 SOI 웨이퍼 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 단계 a)를 실시한 후 상기 산화막을 제거하고, 불순물이 주입된 실리콘 에피막을 증착하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 SOI 웨이퍼 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 단계 a)를 실시한 후 상기 산화막을 제거하고, SiGe 버퍼층, SiGe 완충막 및 스트레인드 실리콘막을 증착하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 SOI 웨이퍼 제조 방법
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제 10 항에 있어서, 상기 스트레인드 실리콘막의 표면을 저온 산화시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 SOI 웨이퍼 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 수소 주입층은 상기 매몰 산화층보다 100~10000nm 깊게 형성하는 것을 특징으로 하는 SOI 웨이퍼 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 수소 주입층은 상기 매몰 산화층 내부 또는 상기 매몰 산화층과 하부의 상기 제 1 실리콘 시료의 경계면에 형성하는 것을 특징으로 하는 SOI 웨이퍼 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 단계 b)는 상기 제 1 실리콘 시료에 수소 이온을 1차 주입하는 단계와, 상기 제 1 실리콘 시료의 표면에 실리콘 에피층이나 SiGe 에피층을 형성하고 표면을 산화시키는 단계와, 상기 제 1 실리콘 시료에 나머지 수소 이온을 2차 주입하여 소정 깊이에 상기 수소 주입층이 형성되도록 하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 SOI 웨이퍼 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 단계 b)는 상기 제 1 실리콘 시료에 수소 이온을 1차 주입하는 단계와, 상기 제 1 실리콘 시료의 표면에 실리콘 에피층이나 SiGe 에피층을 형성하고 표면을 산화시키는 단계와, 상기 제 1 실리콘 시료에 나머지 수소 이온을 2차 주입하여 소정 깊이에 상기 수소 주입층이 형성되도록 하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 SOI 웨이퍼 제조 방법
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