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기판 상에 소정두께로 형성된 강유전체 BaTiO3종자층; 및 상기 BaTiO3종자층 상에 형성된 에피택셜(BaxSr1-x)TiO3 박막을 포함하는 것을 특징으로 하는 초고주파 가변 소자용 강유전체 에피택셜 박막
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제 1 항에 있어서 상기 기판은 산화물 MgO 단결정 기판인 것을 특징으로 하는 초고주파 가변 소자용 강유전체 에피택셜 박막
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제 1 항에 있어서상기 에피택셜 (BaxSr1-x)TiO3 박막은, 그 조성이 x가 0
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제 1 항에 있어서상기 BaTiO3종자층 또는 (BaxSr1-x)TiO3 박막은 펄스 레이저 어블레이션, RF 마그네트론 스퍼터링, 화학기상증착 및 원자층증착법 중 하나의 방법에 의해 성장된 에피택셜 박막인 것을 특징으로 하는 초고주파 가변 소자용 강유전체 에피택셜 박막
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제 1 항에 있어서, 상기 BaTiO3종자층은 수Å 내지 수백 Å이고, 상기 BST박막은 0
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기판; 상기 기판 상에 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 하나의 항에 의한 초고주파 가변 소자용 강유전체 에피택셜 박막; 및 상기 강유전체 박막 상에 적어도 하나 형성된 전극들을 포함하는 것을 특징으로 하는 초고주파 가변 소자
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제 7 항에 있어서, 상기 초고주파 가변소자는 주파수 또는 위상가변 소자인 것을 특징으로 하는 초고주파 가변 소자
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제 7 항에 있어서, 상기 전극은 단일 금속막 또는 접착층을 포함하는 다층 금속막으로 구성하는 것을 특징으로 하는 초고주파 가변 소자
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제 9 항에 있어서,상기 다층 금속막은 Au/Cr, Au/Ti, Ag/Cr 및 Ag/Ti 중 하나인 것을 특징으로 하는 초고주파 가변 소자
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