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GaAs 반절연 기판 상에 AlGaAs/GaAs 초격자 버퍼층, 제1 Si 면도핑층, 도핑되지 않은 제1 AlGaAs 스페이서, 도핑되지 않은 InGaAs층, 도핑되지 않은 제2 AlGaAs 스페이서, 상기 제1 Si 면도핑층보다 큰 도핑 농도를 가지는 제2 Si 면도핑층 및 도핑되지 않은 GaAs/AlGaAs 캡층이 차례로 적층된 에피 기판; 상기 도핑되지 않은 GaAs/AlGaAs 캡층 위에 형성되어 상기 도핑되지 않은 GaAs/AlGaAs 캡층과 오믹 콘택을 형성하는 소오스 전극 및 드레인 전극; 및 상기 소오스 전극 및 드레인 전극 사이에 형성되어 상기 도핑되지 않은 GaAs/AlGaAs 캡층과 쇼트키 콘택을 형성하는 게이트 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 고주파 스위치 소자
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제1항에 있어서, 상기 제2 Si 면도핑층에서의 도핑 농도는 상기 제1 Si 면도핑층에서의 도핑 농도의 약 4배인 것을 특징으로 하는 고주파 스위치 소자
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제1항에 있어서, 상기 제2 Si 면도핑층의 도핑 농도는 2×1012cm-2 ∼ 8× 1012cm-2이고, 상기 제1 Si 면도핑층의 도핑 농도는 0
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제1항에 있어서, 상기 제2 Si 면도핑층은 상기 제1 Si 면도핑층보다 4배 이상 큰 도핑 농도를 가지는 것을 특징으로 하는 고주파 스위치 소자
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제1항에 있어서, 상기 제2 AlGaAs 스페이서는 상기 제1 AlGaAs 스페이서보다 2배 이상 두꺼운 것을 특징으로 하는 고주파 스위치 소자
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제1항에 있어서, 상기 게이트 전극은 T형 게이트 전극인 것을 특징으로 하는 고주파 스위치 소자
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7
제1항에 있어서, 상기 게이트 전극과 상기 소오스 전극간의 거리가 상기 게이트 전극과 상기 드레인 전극간의 거리와 동일한 것을 특징으로 하는 고주파 스위치 소자
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제1항에 있어서, 상기 AlGaAs/GaAs 초격자 버퍼층은 20∼50Å AlGaAs층과 20∼50Å GaAs층을 20∼50의 주기로 반복된 것이고, 상기 제1 AlGaAs 스페이서는 1∼5nm, 상기 도핑되지 않은 InGaAs층은 10∼20nm, 상기 제2 AlGaAs 스페이서는 2∼10nm 두께를 가지며, 상기 도핑되지 않은 GaAs/AlGaAs 캡층은 20∼50nm GaAs층과 20∼50nm AlGaAs층이 적층된 것임을 특징으로 하는 고주파 스위치 소자
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제1항에 있어서, 상기 AlGaAs/GaAs 초격자 버퍼층 중의 AlGaAs층, 상기 제1 AlGaAs 스페이서, 상기 제2 AlGaAs 스페이서, 및 상기 도핑되지 않은 GaAs/AlGaAs 캡층 중의 AlGaAs층에서, Al의 조성비는 Ga의 조성비보다 작은 것을 특징으로 하는 고주파 스위치 소자
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제9항에 있어서, 상기 Al의 조성비는 0
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11
제1항에 있어서, 상기 도핑되지 않은 InGaAs층에서 In의 조성비는 Ga의 조성비보다 작은 것을 특징으로 하는 고주파 스위치 소자
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제11항에 있어서, 상기 In의 조성비는 0
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GaAs 반절연 기판 상에 AlGaAs/GaAs 초격자 버퍼층, 제1 Si 면도핑층, 도핑되지 않은 제1 AlGaAs 스페이서, 도핑되지 않은 InGaAs층, 상기 제1 AlGaAs 스페이서보다 2배 이상 두꺼운 도핑되지 않은 제2 AlGaAs 스페이서, 상기 제1 Si 면도핑층보다 4배 이상 큰 도핑 농도를 가지는 제2 Si 면도핑층 및 도핑되지 않은 GaAs/AlGaAs 캡층이 차례로 적층된 에피 기판; 상기 도핑되지 않은 GaAs/AlGaAs 캡층 위에 형성되어 상기 도핑되지 않은 GaAs/AlGaAs 캡층과 오믹 콘택을 형성하는 소오스 전극 및 드레인 전극; 및 상기 소오스 전극 및 드레인 전극 사이에 형성되어 상기 도핑되지 않은 GaAs/AlGaAs 캡층과 쇼트키 콘택을 형성하는 게이트 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 고주파 스위치 소자
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GaAs 반절연 기판 상에 AlGaAs/GaAs 초격자 버퍼층, 제1 Si 면도핑층, 도핑되지 않은 제1 AlGaAs 스페이서, 도핑되지 않은 InGaAs층, 상기 제1 AlGaAs 스페이서보다 2배 이상 두꺼운 도핑되지 않은 제2 AlGaAs 스페이서, 상기 제1 Si 면도핑층보다 4배 이상 큰 도핑 농도를 가지는 제2 Si 면도핑층 및 도핑되지 않은 GaAs/AlGaAs 캡층이 차례로 적층된 에피 기판; 상기 도핑되지 않은 GaAs/AlGaAs 캡층 위에 형성되어 상기 도핑되지 않은 GaAs/AlGaAs 캡층과 오믹 콘택을 형성하는 소오스 전극 및 드레인 전극; 및 상기 소오스 전극 및 드레인 전극 사이에 형성되어 상기 도핑되지 않은 GaAs/AlGaAs 캡층과 쇼트키 콘택을 형성하는 게이트 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 고주파 스위치 소자
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