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전계효과 트랜지스터 및 그 제조 방법

기술번호 : KST2015079983
담당센터 : 대전기술혁신센터
전화번호 : 042-610-2279

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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본 발명은 전계효과 트랜지스터 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 측벽 스페이서(sidewall spacer) 형성 기술을 이용하고 박막의 증착 두께 조절을 통해 초미세 채널 길이를 가지는 전계효과 트랜지스터를 형성한다. 본 발명의 전계효과 트랜지스터는 소스와 드레인의 접합 깊이가 얕고, 소스와 게이트 그리고 드레인과 게이트의 중첩이 방지되어 기생저항이 낮다. 또한, 게이트 전계가 드레인 확장영역에 쉽게 유기되기 때문에 드레인측 채널에서의 캐리어 농도가 효과적으로 제어되며, 특히 드레인 확장영역이 소스 접합보다 얕게 형성되기 때문에 단채널 특성이 우수하다. 트랜지스터, 스페이서, 소스, 드레인, 확장영역, 기생저항
Int. CL	H01L 21/28 (2006.01) H01L 21/336 (2006.01) H01L 21/22 (2006.01) H01L 21/31 (2006.01)
CPC
출원번호/일자	1020040077206 (2004.09.24)
출원인	한국전자통신연구원
등록번호/일자	10-0574297-0000 (2006.04.20)
공개번호/일자	10-2006-0028158 (2006.03.29) 문서열기
공고번호/일자	(20060427) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	소멸
심사진행상태	수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2004.09.24)
심사청구항수	11

출원인

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번호	이름	국적	주소
1	한국전자통신연구원	대한민국	대전광역시 유성구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	조원주	대한민국	대전광역시 유성구
2	안창근	대한민국	대전광역시 유성구
3	임기주	대한민국	대전광역시 서구
4	양종헌	대한민국	대전 유성구
5	백인복	대한민국	대전 유성구
6	이성재	대한민국	대전광역시 유성구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	신영무	대한민국	서울특별시 강남구 영동대로 **(대치동) KT&G타워 층(에스앤엘파트너스)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
1	펜드래건 일렉트로닉스 앤드 텔레커뮤니케이션즈 리서치 엘엘씨		미국 워싱턴 ***** 커클랜드 캐럴란 포인트 *

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	특허출원서 Patent Application	2004.09.24	수리 (Accepted)	1-1-2004-0439314-35
2	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2006.01.13	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2006-0018590-27
3	의견서 Written Opinion	2006.03.06	수리 (Accepted)	1-1-2006-0158505-60
4	명세서등보정서 Amendment to Description, etc.	2006.03.06	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2006-0158495-91
5	등록결정서 Decision to grant	2006.04.19	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2006-0219828-13
6	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2009.08.04	수리 (Accepted)	4-1-2009-5150899-36
7	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2015.02.02	수리 (Accepted)	4-1-2015-0006137-44

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 기판, 상기 기판 상에 형성되며, 게이트 절연막에 의해 상기 기판과 절연되는 게이트 전극, 상기 게이트 전극 일측의 상기 기판 상에 형성된 소스층, 상기 게이트 전극 다른 일측의 상기 기판 상에 형성된 드레인층, 상기 게이트 전극과 상기 소스층 사이에 형성된 제 1 절연층, 상기 게이트 전극과 상기 드레인층 사이에 형성된 제 2 및 제 3 절연층, 상기 제 1 절연층 및 상기 소스층 하부의 상기 기판에 형성된 소스 접합, 상기 드레인층 하부의 상기 기판에 형성된 드레인 접합, 상기 제 2 절연층 하부의 상기 기판에 상기 드레인 접합보다 얕게 형성된 확장영역을 포함하는 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터
2	2 제 1 항에 있어서, 상기 기판은 벌크 실리콘 기판 또는 SOI 기판인 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터
3	3 제 1 항에 있어서, 상기 소스층 및 드레인층은 도핑된 폴리실리콘층으로 이루어진 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터
4	4 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 절연층 및 제 3 절연층은 산화막이며, 상기 제 2 절연층은 고유전 절연막인 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터
5	5 제 4 항에 있어서, 상기 고유전 절연막은 Al2O3, ZrSixOy, HfSixOy, HfAlxOy, LaSixOy, ZrAlxOy, ZrNxOy, ZrO2 , HfO2, La2O3, Pr2O3, Ta2O5 또는 이들의 혼합물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터
6	6 기판 상에 도핑된 폴리실리콘 패턴을 형성하는 단계, 상기 폴리실리콘 패턴의 측벽에 제 1 절연막 스페이서를 형성하는 단계, 상기 폴리실리콘 패턴의 도핑된 불순물을 확산시켜 상기 폴리실리콘 패턴과 상기 제 1 절연막 스페이서 하부의 상기 기판에 소스 접합을 형성하는 단계, 전체 상부면에 게이트 절연막을 형성하는 단계, 상기 제 1 절연막 스페이서 측벽의 상기 게이트 절연막 상에 전도층 스페이서를 형성하는 단계, 상기 전도층 스페이서 측벽에 제 2 절연막 스페이서를 형성하는 단계, 상기 제 2 절연막 스페이서 측벽에 제 3 절연막 스페이서를 형성하는 단계, 상기 제 3 절연막 스페이서 하부 및 노출된 상기 기판에 드레인 확장영역을 형성하는 단계, 전체 상부면에 도핑된 폴리실리콘층을 형성한 후 평탄화하여 상기 전도층 스페이서로 이루어지는 게이트 전극, 상기 폴리실리콘 패턴으로 이루어지는 소스층 및 상기 폴리실리콘층으로 이루어지는 드레인층을 형성하는 단계, 상기 드레인층에 도핑된 불순물을 하부 확산시켜 상기 기판에 드레인 접합을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터의 제조 방법
7	7 제 6 항에 있어서, 상기 제 1 절연막 스페이서 및 제 3 절연막 스페이서는 산화막으로 형성하며, 상기 제 2 절연막 스페이서는 고유전율의 절연막으로 형성하는 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터의 제조 방법
8	8 제 7 항에 있어서, 상기 고유전 절연막은 Al2O3, ZrSixOy, HfSixOy, HfAlxOy, LaSixOy, ZrAlxOy, ZrNxOy, ZrO2 , HfO2, La2O3, Pr2O3, Ta2O5 또는 이들의 혼합물질로 형성하는 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터의 제조 방법
9	9 제 6 항에 있어서, 상기 드레인 확장영역은 이온 주입 공정으로 형성하는 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터의 제조 방법
10	10 제 6 항에 있어서, 상기 드레인 접합을 상기 소스 접합보다 얕게 형성하는 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터의 제조 방법
11	11 제 6 항에 있어서, 상기 기판에 드레인 접합을 형성하는 단계에서 불순물의 확산은 열처리 공정에 의해 확산되는 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터의 제조 방법
12	11 제 6 항에 있어서, 상기 기판에 드레인 접합을 형성하는 단계에서 불순물의 확산은 열처리 공정에 의해 확산되는 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터의 제조 방법

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순번	패밀리번호	국가코드	국가명	종류
1	US07060580	US	미국	FAMILY
2	US07750378	US	미국	FAMILY
3	US20060079057	US	미국	FAMILY
4	US20060180867	US	미국	FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번	패밀리번호	국가코드	국가명	종류
1	US2006079057	US	미국	DOCDBFAMILY
2	US2006180867	US	미국	DOCDBFAMILY
3	US7060580	US	미국	DOCDBFAMILY
4	US7750378	US	미국	DOCDBFAMILY

본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.

이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허 등록번호 표입니다.
특허 등록번호	10-0574297-0000

권리란

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표시번호	사항
1	출원 연월일 : 20040924 출원 번호 : 1020040077206 공고 연월일 : 20060427 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20060419 청구범위의 항수 : 11 유별 : H01L 21/336 발명의 명칭 : 전계효과 트랜지스터 및 그 제조 방법 존속기간(예정)만료일 : 20130421

특허권자란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허권자란 표입니다.
순위번호	사항
1	(권리자) 한국전자통신연구원 대전광역시 유성구...
2	(의무자) 한국전자통신연구원 대전광역시 유성구...
2	(권리자) 아이피지 일렉트로닉스 502 리미티드 영국, 지와이* 큐엘 건지, 세인트 피터 포트, 레 방케스, 트라팔가 코트, 피. 오. 박스 **
3	(의무자) 아이피지 일렉트로닉스 502 리미티드 영국, 지와이* *큐엘 건지, 세인트 피...
3	(의무자) 한국전자통신연구원 대전광역시 유성구...
3	(권리자) 펜드래건 일렉트로닉스 앤드 텔레커뮤니케이션즈 리서치 엘엘씨 미국 워싱턴 *** 커클랜드 캐럴란 포인트 **

등록료란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 등록료란 표입니다.
제 1 - 3 년분	금 액	337,500 원	2006년 04월 21일	납입
제 4 년분	금 액	282,000 원	2009년 04월 10일	납입
제 5 년분	금 액	282,000 원	2010년 04월 21일	납입
제 6 년분	금 액	282,000 원	2011년 04월 04일	납입
제 7 년분	금 액	518,000 원	2012년 04월 16일	납입

본 '원본보기 서비스'는 참고용이므로, 일부 오류 및 누락이 발생할 수 있습니다.
정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	특허출원서	2004.09.24	수리 (Accepted)	1-1-2004-0439314-35
2	의견제출통지서	2006.01.13	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2006-0018590-27
3	의견서	2006.03.06	수리 (Accepted)	1-1-2006-0158505-60
4	명세서등보정서	2006.03.06	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2006-0158495-91
5	등록결정서	2006.04.19	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2006-0219828-13
6	출원인정보변경(경정)신고서	2009.08.04	수리 (Accepted)	4-1-2009-5150899-36
7	출원인정보변경(경정)신고서	2015.02.02	수리 (Accepted)	4-1-2015-0006137-44


과제고유번호	1440001346
세부과제번호	2400060001000357000002
연구과제명	100Gbps급집적형광배선모듈
성과구분	등록
부처명	지식경제부
연구관리전문기관명	정보통신연구진흥원
연구주관기관명	한국전자통신연구원
성과제출연도	2002
연구기간	200211~200310
기여율	1
연구개발단계명	개발연구
6T분류명	IT(정보기술)

특허성과

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