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광반응성 유기고분자 게이트 절연막 조성물 및 이를이용한 유기박막 트랜지스터

  • 기술번호 : KST2015080036
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 광반응성 유기고분자 게이트 절연막 조성물 및 이를 이용한 유기박막 트랜지스터를 개시한다. 본 발명에 따른 광반응성 유기고분자 게이트 절연막 조성물은 폴리비닐 페놀과 광반응성 물질을 포함하며, 유기박막 트랜지스터는 상기 조성물로부터 형성된 광반응성 유기고분자 게이트 절연막을 구비한다. 본 발명에 따른 광반응성 유기고분자 게이트 절연막 조성물은 유기 고분자에 광 패터닝 특성을 부여하면서, 전기적 특성이 향상된 막을 형성시킬 수 있다. 폴리비닐 페놀, 리소그라피, 유기박막 트랜지스터
Int. CL H01B 3/44 (2006.01)
CPC H01B 3/44(2013.01) H01B 3/44(2013.01) H01B 3/44(2013.01) H01B 3/44(2013.01)
출원번호/일자 1020040075938 (2004.09.22)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0606655-0000 (2006.07.24)
공개번호/일자 10-2006-0027103 (2006.03.27) 문서열기
공고번호/일자 (20060801) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2004.09.22)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김기현 대한민국 대전광역시 서구
2 윤성민 대한민국 대전 서구
3 서경수 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신영무 대한민국 서울특별시 강남구 영동대로 ***(대치동) KT&G타워 *층(에스앤엘파트너스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2004.09.22 수리 (Accepted) 1-1-2004-0431622-17
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2005.12.29 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2006.01.13 수리 (Accepted) 9-1-2006-0003974-12
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2006.02.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0083313-11
5 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2006.04.12 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0253429-49
6 의견서
Written Opinion		 2006.04.12 수리 (Accepted) 1-1-2006-0253455-26
7 등록결정서
Decision to grant		 2006.07.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0417747-02
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
하기 화학식 (Ⅰ)로 표시되는 폴리비닐 페놀에 가시광선 파장의 광에 의해 활성화되는 광반응성 물질을 폴리비닐 페놀 중량대비 0
2 2
제 1항에 있어서, 광반응성 물질로서는 다음과 같은 물질로 이루어진 군에서 일종 이상 선택되는 것인 유기박막 트랜지스터용 광반응성 유기 고분자 게이트 절연막 조성물:2,6-비스(4-아지도벤질리덴(azidobenzylidene))시클로헥사논;2,6-비스(4-아지도벤질리덴)-4-메틸시클로헥사논;4,4-디아지도스틸벤(diazidostilbene)-2,2'-디술폰산디소디움 염;암모니움 디클로메이트;1-히드록시-시클로헥실-펜틸-키톤(이라카큐어(Irgacure) 907);2-메틸-1[4-(메틸티오)페닐]-2-몰포리노프로판-1-원(이라카큐어 184C);2-히드록시-2-메틸-1-페닐-프로판-1-원(다로큐어(Darocur) 1173),이라가큐어 184C 50 wt%와 벤조페논 50 wt%의 혼합 개시제 (이라카큐어 500);이라가큐어 184C 20 wt%와 다로큐어 1173 80 wt%의 혼합 개시제 (이라카큐어 1000);2-히드록시-1-[4-(2-히드록시에톡시)페닐]-2-메틸-1-프로파논 (이라카큐어 2959);메틸벤조일포메이트(다로큐어 MBF);알파, 알파-디메톡시-알파-페닐아세토페논 (이라카큐어 651);2-벤질-2-(디메틸아미노)-1-[4-(4-몰포리닐) 페닐]-1-부타논 (이라카큐어 369);이라가큐어 369 30 wt%와 이라가큐어 651 70 wt%의 혼합 개시제 (이라카큐어 1300);디페닐 (2,4,6-트리메틸벤조일)-포스핀 옥사이드 (다로큐어 TPO);다로큐어 TPO 50 wt%와 다로큐어 1173 50 wt%의 혼합 개시제 (다로큐어 4265);포스핀 옥사이드;페닐 비스(2,4,6,-트리메틸 벤조일) (이라카큐어 819);이라가큐어 819 5 wt%와 다로큐어 1173 95 wt%의 혼합 개시제 (이라카큐어 2005);이라가큐어 819 10 wt%와 다로큐어 1173 90 wt%의 혼합 개시제 (이라카큐어 2010);이라가큐어 819 20 wt%와 다로큐어 1173 80 wt%의 혼합 개시제 (이라카큐어 2020);비스 (에타5-2,4,-시클로펜타디엔-1-일) 비스[2,6-디플루오르-3-(1H-피롤-1-일)페닐] 티타늄 (이라카큐어 784);벤조페논이 함유된 혼합 개시제(HSP 188); 및이들의 유도체
3 3
기판; 게이트 전극; 제 1항 또는 제 2항에 따른 조성물로 형성된 광반응성 고분자 게이트 절연막; 유기활성막; 및 소스-드레인 전극을 포함하는 유기박막 트랜지스터
4 4
제 3항에 있어서, 상기 유기박막 트랜지스터의 구조는 기판 위에 게이트 전극, 게이트 절연막, 유기활성막 및 소스-드레인 전극이 차례로 적층되어 있는 구조인 유기박막 트랜지스터
5 5
제 3항에 있어서, 상기 유기박막 트랜지스터의 구조는 기판 위에 게이트 전극, 게이트 절연막, 소스-드레인 전극 및 유기활성막이 차례로 적층되어 있는 구조인 유기박막 트랜지스터
6 6
제 3항에 있어서, 상기 게이트 절연막은 리소그라피 공정에 의하여 패턴화되는 것을 특징으로 하는 유기박막 트랜지스터
7 6
제 3항에 있어서, 상기 게이트 절연막은 리소그라피 공정에 의하여 패턴화되는 것을 특징으로 하는 유기박막 트랜지스터
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US07564053 US 미국 FAMILY
2 US20060060841 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2006060841 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US7564053 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.