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이동 전하를 이용한 비휘발성 메모리 소자의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015080617
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 이동 전하를 이용한 비휘발성 메모리 소자 제조 방법을 제시한다. 본 발명에 따르면, 반도체 기판 상에 게이트 유전막을 형성하는 단계, 상기 게이트 유전막 상에 소스 플라즈마(source plasma)를 도입하여 상기 플라스마 내의 양전하를 가지는 이온 또는 수소 이온을 상기 게이트 유전막 내로 플라즈마 도핑(doping)시켜 상기 게이트 유전막 내에 이동 이온 전하들을 분포시키는 단계, 상기 게이트 유전막 상에 문턱 전압의 조절을 위해 상기 이동 이온 전하들의 상기 게이트 유전막 내의 분포를 제어하는 제어 전압이 인가될 게이트를 형성하는 단계, 및 상기 게이트에 인근하는 상기 반도체 기판 부분에 소스/드레인 영역들을 형성하는 단계를 포함하는 비휘발성 메모리 소자 제조 방법을 제시한다. MOSFET, 비휘발성 메모리, 이동 전하, 플라즈마 도핑, 게이트 유전막
Int. CL H01L 27/115 (2006.01)
CPC H01L 21/28185(2013.01) H01L 21/28185(2013.01) H01L 21/28185(2013.01) H01L 21/28185(2013.01) H01L 21/28185(2013.01) H01L 21/28185(2013.01) H01L 21/28185(2013.01) H01L 21/28185(2013.01)
출원번호/일자 1020050034911 (2005.04.27)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0656346-0000 (2006.12.05)
공개번호/일자 10-2006-0064456 (2006.06.13) 문서열기
공고번호/일자 (20061211) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020040102959   |   2004.12.08
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2005.04.27)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 양종헌 대한민국 대전 유성구
2 백인복 대한민국 대전 유성구
3 임기주 대한민국 대전광역시 서구
4 안창근 대한민국 대전 유성구
5 조원주 대한민국 대전 유성구
6 이성재 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)
2 이해영 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)(리앤목특허법인)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2005.04.27 수리 (Accepted) 1-1-2005-0219969-50
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2006.06.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0374561-64
3 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2006.08.11 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0575472-66
4 의견서
Written Opinion		 2006.08.11 수리 (Accepted) 1-1-2006-0575471-10
5 등록결정서
Decision to grant		 2006.11.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0713803-26
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
반도체 기판 상에 게이트 유전막을 형성하는 단계;상기 게이트 유전막 상에 소스 플라즈마(source plasma)를 도입하여 상기 플라스마 내의 양전하를 가지는 이온 또는 수소 이온을 상기 게이트 유전막 내로 플라즈마 도핑(doping)시켜 상기 게이트 유전막 내에 이동 이온 전하들을 분포시키는 단계;상기 게이트 유전막 상에 문턱 전압의 조절을 위해 상기 이동 이온 전하들의 상기 게이트 유전막 내의 분포를 제어하는 제어 전압이 인가될 게이트를 형성하는 단계; 및상기 게이트에 인근하는 상기 반도체 기판 부분에 소스/드레인 영역들을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자 제조 방법
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서, 상기 플라즈마 도핑을 수행할 때 상기 게이트 유전막 내에 상기 이온이 주입되도록 유도하기 위해 상기 이온을 가속하는 가속 전압을 상기 소스 플라즈마에 인가하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자 제조 방법
4 4
반도체 기판 상에 게이트 유전막을 형성하는 단계;상기 게이트 유전막 상에 소스 플라즈마(source plasma)를 도입하여 상기 플라스마 내의 양전하를 가지는 이온 또는 수소 이온을 상기 게이트 유전막 내로 플라즈마 도핑(doping)시켜 상기 게이트 유전막 내에 이동 이온 전하들을 분포시키는 단계;상기 게이트 유전막 상에 문턱 전압의 조절을 위해 상기 이동 이온 전하들의 상기 게이트 유전막 내의 분포를 제어하는 제어 전압이 인가될 게이트를 형성하는 단계;상기 게이트에 노출된 상기 게이트 유전막 부분에 소스 플라즈마(source plasma)를 도입하여 상기 플라스마 내의 양전하를 가지는 이온 또는 수소 이온을 상기 게이트 유전막 내로 제2플라즈마 도핑(doping)시키는 단계; 및상기 게이트에 인근하는 상기 반도체 기판 부분에 소스/드레인 영역들을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자 제조 방법
5 5
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6 6
삭제
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US20060121661 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2006121661 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.