맞춤기술찾기
이전대상기술
티형 또는 감마형 게이트 전극의 제조방법
- 기술번호 : KST2015080996
- 담당센터 : 대전기술혁신센터
- 전화번호 : 042-610-2279
| 요약 | 본 발명은 서로 다른 감도를 가지는 다층의 감광막을 이용한 리소그라피 공정과 절연막 증착 및 식각 공정을 통한 미세한 티형 또는 감마형 게이트 전극을 제작하는 제조방법을 제공한다. 본 발명에 따른 티형 또는 감마형 게이트 전극 형성방법은 반도체 기판 상에 제 1 절연막을 증착하는 제 1 단계; 상기 제 1 절연막상에 서로 다른 감도를 가지는 적어도 2 개이상의 감광막을 코팅하고, 상기 적어도 2 개 이상의 감광막이 서로 상이한 크기의 개구부를 가지도록 패터닝하는 제 2 단계; 상기 감광막들을 식각마스크로 이용하면서 상기 제 1 절연막을 식각하여 상기 기판측 부분이 상부보다 더 좁은 계단형 홀을 형성하고, 상기 감광막들을 제거하는 제 3 단계;상기 제 1 절연막 상에 감광막을 형성한 후, 상기 감광막이 티형 또는 감마형 게이트 머리패턴을 가지도록 개구부를 형성하는 제 4 단계; 상기 게이트 패턴에 게이트 리쎄스 공정을 수행하는 제 5 단계; 및 상기 게이트 패턴에 게이트 금속을 증착하고, 상기 감광막들을 제거하는 제 6 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.절연막, 감광막, 감도, 식각선택비, 티형 게이트, 감마형 게이트 |
|---|---|
| Int. CL | H01L 21/336 (2006.01) |
| CPC | H01L 21/28114(2013.01) H01L 21/28114(2013.01) H01L 21/28114(2013.01) H01L 21/28114(2013.01) |
| 출원번호/일자 | 1020050114565 (2005.11.29) |
| 출원인 | 한국전자통신연구원 |
| 등록번호/일자 | 10-0647459-0000 (2006.11.13) |
| 공개번호/일자 | |
| 공고번호/일자 | (20061123) 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 소멸 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (2005.11.29) |
| 심사청구항수 | 12 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 한국전자통신연구원 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 안호균 | 대한민국 | 대전 유성구 |
| 2 | 임종원 | 대한민국 | 대전 유성구 |
| 3 | 문재경 | 대한민국 | 대전 유성구 |
| 4 | 장우진 | 대한민국 | 대전 서구 |
| 5 | 지홍구 | 대한민국 | 대전 유성구 |
| 6 | 김해천 | 대한민국 | 대전 유성구 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 신영무 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 영동대로 ***(대치동) KT&G타워 *층(에스앤엘파트너스) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 한국전자통신연구원 | 대한민국 | 대전 유성구 |
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 특허출원서 Patent Application |
2005.11.29 | 수리 (Accepted) | 1-1-2005-0692625-87 |
| 2 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2006.10.12 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 3 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2006.11.08 | 수리 (Accepted) | 9-1-2006-0070574-12 |
| 4 | 등록결정서 Decision to grant |
2006.11.09 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2006-0661041-99 |
| 5 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2009.08.04 | 수리 (Accepted) | 4-1-2009-5150899-36 |
| 6 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2015.02.02 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-0006137-44 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 반도체 기판 상에 제 1 절연막을 증착하는 제 1 단계;상기 제 1 절연막상에 서로 다른 감도를 가지는 적어도 2 개이상의 감광막을 코팅하고, 상기 적어도 2 개 이상의 감광막이 서로 상이한 크기의 개구부를 가지도록 패터닝하는 제 2 단계;상기 감광막들을 식각마스크로 이용하면서 상기 제 1 절연막을 식각하여 상기 기판측 부분이 상부보다 더 좁은 계단형홀을 형성하고, 상기 감광막들을 제거하는 제 3 단계;상기 제 1 절연막 상에 감광막을 형성한 후, 상기 감광막이 티형 또는 감마형 게이트 머리패턴을 가지도록 개구부를 형성하는 제 4 단계; 상기 게이트 패턴에 게이트 리쎄스 공정을 수행하는 제 5 단계; 및상기 게이트 패턴에 게이트 금속을 증착하고, 상기 감광막들을 제거하는 제 6 단계;를 포함하는 티형 또는 감마형 게이트 전극 형성방법 |
| 2 |
2 제 1 항에 있어서,상기 제 1 절연막의 두께를 조절함으로써, 상기 게이트 다리의 높이를 조절하는 것을 특징으로 하는 티형 또는 감마형 게이트 전극 형성방법 |
| 3 |
3 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 절연막은 적어도 한 층 이상인 것을 특징으로 하는 티형 또는 감마형 게이트 전극 형성방법 |
| 4 |
4 제 1 항에 있어서,상기 제 2 단계에서 코팅되는 감광막은 제 1 및 제 2 감광막을 포함하고, 상기 제 1 절연막에 접한 상기 제 1 감광막은 PMMA 또는 ZEP이고, 상기 제 1 감광막에서 접한 상기 제 2 감광막은 MMA-MAA 또는 PMGI인 것을 특징으로 하는 티형 또는 감마형 게이트 전극 형성방법 |
| 5 |
5 제 4 항에 있어서, 상기 제 1 감광막과 상기 제 2 감광막의 개구부의 비율은 1:1 |
| 6 |
6 제 4 항에 있어서,상기 계단형 홀의 하부 폭은 상기 제 1 감광막의 개구부와 동일하고 , 상기 홀의 상부폭은 상기 제 2 감광막의 개구부와 동일한 것을 특징으로 하는 티형 또는 감마형 게이트 전극 형성방법 |
| 7 |
7 제 1 항에 있어서,상기 제 2 단계에서 코팅되는 감광막은 제 1 및 제 2 감광막을 포함하고, 상기 제 1 절연막에 접한 상기 제 1 감광막은 MMA-MAA 또는 PMGI이고, 상기 제 1 감광막에서 접한 상기 제 2 감광막은 PMMA 또는 ZEP인 것을 특징으로 하는 티형 또는 감마형 게이트 전극 형성방법 |
| 8 |
8 제 7 항에 있어서,상기 제 1 감광막과 상기 제 2 감광막의 개구부의 비율은 1:0 |
| 9 |
9 제 7 항에 있어서,상기 계단형 홀의 하부 폭은 상기 제 2 감광막의 개구부와 동일하고 , 상기 홀의 상부폭은 상기 제 1 감광막의 개구부와 동일한 것을 특징으로 하는 티형 또는 감마형 게이트 전극 형성방법 |
| 10 |
10 제 1 항에 있어서, 제 4 단계에서의 감광막은,적어도 하나의 막으로 형성되어, 일자형 게이트 머리패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 티형 또는 감마형 게이트 전극 형성방법 |
| 11 |
11 제 1 항에 있어서, 제 4 단계에서의 감광막은,적어도 두 개 이상의 막으로 형성되고, 하층의 감광막의 개구부가 상층의 감광막의 개구부보다 작게 형성되어, 상부의 폭이 넓고 하부의 폭이 좁은 티형 또는 감마형 게이트 머리패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 티형 또는 감마형 게이트 전극 형성방법 |
| 12 |
12 제 1 항에 있어서, 제 3 단계 후,상기 제 1 절연막 상에 제 2 절연막을 증착하고, 상기 반도체 기판의 일부를 노출시키면서 상기 계단형 홀의 벽면에 상기 제 2 절연막이 잔류되도록 되식각하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 티형 또는 감마형 게이트 전극 형성방법 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| 패밀리 정보가 없습니다 | ||||
DOCDB 패밀리 정보
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | CN100446185 | CN | 중국 | DOCDBFAMILY |
| 2 | CN101005019 | CN | 중국 | DOCDBFAMILY |
| 국가 R&D 정보가 없습니다. |
|---|
| 공개전문 정보가 없습니다 |
|---|
- 본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
- 데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
- 법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.
| 특허 등록번호 | 10-0647459-0000 |
|---|
권리란
| 표시번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
출원 연월일 : 20051129 출원 번호 : 1020050114565 공고 연월일 : 20061123 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20061109 청구범위의 항수 : 12 유별 : H01L 21/336 발명의 명칭 : 티형 또는 감마형 게이트 전극의 제조방법 존속기간(예정)만료일 : 20091114 |
특허권자란
| 순위번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
(권리자) 한국전자통신연구원 대전 유성구... |
등록료란
| 제 1 - 3 년분 | 금 액 | 364,500 원 | 2006년 11월 13일 | 납입 |
- 본 '원본보기 서비스'는 참고용이므로, 일부 오류 및 누락이 발생할 수 있습니다.
- 정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
- 해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 특허출원서 | 2005.11.29 | 수리 (Accepted) | 1-1-2005-0692625-87 |
| 2 | 선행기술조사의뢰서 | 2006.10.12 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 3 | 선행기술조사보고서 | 2006.11.08 | 수리 (Accepted) | 9-1-2006-0070574-12 |
| 4 | 등록결정서 | 2006.11.09 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2006-0661041-99 |
| 5 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2009.08.04 | 수리 (Accepted) | 4-1-2009-5150899-36 |
| 6 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2015.02.02 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-0006137-44 |
| 기술정보가 없습니다 |
|---|
| 과제고유번호 | 1440000914 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 2004-S-064 |
| 연구과제명 | 60GHzPicoCell통신용SoP |
| 성과구분 | 등록 |
| 부처명 | 지식경제부 |
| 연구관리전문기관명 | 정보통신연구진흥원 |
| 연구주관기관명 | 한국전자통신연구원 |
| 성과제출연도 | 2005 |
| 연구기간 | 200301~200712 |
| 기여율 | 1 |
| 연구개발단계명 | 응용연구 |
| 6T분류명 | IT(정보기술) |
특허성과
| [1020070037444] | 차량간 통신에 있어 진행 방향에 따른 채널할당 장치 및방법 | 새창보기 |
|---|---|---|
| [1020070025080] | 밀리미터파 대역 전송특성을 향상시키기 위한 변환기가구비된 초고주파 모듈 | 새창보기 |
| [1020070021795] | 부정형 고 전자 이동도 트랜지스터 제조방법 | 새창보기 |
| [1020060123892] | 밀리미터파 대역용 신호 전송로 | 새창보기 |
| [1020060121675] | 무선 실시간 위치 확인 시스템을 위한 순환 반복성 검사방법과 그 장치 | 새창보기 |
| [1020060091984] | ＯＦＤＭ 통신망에 있어 이웃 시퀀스간 곱의 자기 상관성이좋은 프리앰블을 이용한 시간 동기 방법 및 이를 이용한주파수 옵셋 추정 방법 | 새창보기 |
| [1020060077474] | ＲｏＦ 통신 시스템에 사용되는 광 송수신기 | 새창보기 |
| [1020060074926] | 직접 시퀀스 대역 확산 방식의 무선 피코셀 통신시스템에서의 위상 추적 장치 및 그 방법 | 새창보기 |
| [1020060074925] | 직접 시퀀스 대역 확산 방식의 무선 피코셀 통신시스템에서의 채널계수 추정 장치 및 그 방법 | 새창보기 |
| [1020060069956] | 지상파 ＤＭＢ용 대화형 콘텐츠 제공 시스템 | 새창보기 |
| [1020060067057] | 직접 시퀀스 대역 확산 방식의 무선 피코셀 통신시스템에서의 샘플 타이밍 추적 장치 및 그 방법 | 새창보기 |
| [1020060065107] | 씨모스형 가변이득 증폭 장치 | 새창보기 |
| [1020060060388] | ＴＦＭＳ(Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｍｉｃｒｏ Ｓｔｉｐ)라인을이용한 발진기 | 새창보기 |
| [1020060059467] | 주차장 내 차량 위치 확인 시스템 및 그 방법 | 새창보기 |
| [1020060052758] | 모션 블러가 심한 영상의 카메라 자동보정 장치 및 그방법과, 그를 이용한 증강현실 시스템 | 새창보기 |
| [1020060052554] | 무선랜 시스템에서 데이터 전송률에 따라 프레임간시간간격을 가변적으로 변동시켜 데이터를 전송하는 방법 | 새창보기 |
| [1020060050225] | 다중 도파로 구조를 이용한 대역 신호 전송기 | 새창보기 |
| [1020060049271] | 품질보장 서비스 제공을 위한 접근성 제어 장치 및 방법 | 새창보기 |
| [1020060047744] | 다중입력 다중출력 시스템의 검파방법 | 새창보기 |
| [1020060046987] | 센서망 환경에서의 전력소모 최소화를 위한 위치인식 장치및 방법 | 새창보기 |
| [1020060044929] | 전기도금법에 의한 골드 범프 및 그 제조 방법 | 새창보기 |
| [1020060041854] | 리액턴스 성분을 보상한 연결 구조를 갖는 전력소자 | 새창보기 |
| [1020060040129] | 노면 설치용 교통정체정보 제공 장치 및 그 방법 | 새창보기 |
| [1020060038330] | ＴＯＥ를 이용한 ｉＳＣＳＩ 타겟 시스템 상의 하드웨어가속 장치 및 그 장치를 이용한 읽기/쓰기 명령 수행방법 | 새창보기 |
| [1020060033299] | 차량용 문자 메시지 전송 장치 | 새창보기 |
| [1020060033298] | 방향선택 입력기를 이용한 키입력 장치 및 그 방법 | 새창보기 |
| [1020060032480] | 개인 무선통신 네트워크에서 비콘 전송시점 결정 방법 | 새창보기 |
| [1020060026535] | 무승산기 ＦＩＲ 디지털 필터 및 그 설계 방법 | 새창보기 |
| [1020060016336] | ＲＦＩＤ 리더기의 동작방법 | 새창보기 |
| [1020060014685] | 광증폭 듀플렉서 | 새창보기 |
| [1020050120171] | 이종 접합 바이폴라 트랜지스터 및 그 제조방법 | 새창보기 |
| [1020050114565] | 티형 또는 감마형 게이트 전극의 제조방법 | 새창보기 |
| [1020050113486] | 교차결합을 갖는 유전체 도파관 필터 | 새창보기 |
| [1020050109804] | 마이크로파 및 밀리미터파용 유전체 세라믹 조성물 및 그의제조방법 | 새창보기 |
| [1020050104958] | 전계효과 트랜지스터 및 그의 제조 방법 | 새창보기 |
| [1020050100343] | 구동전압 제어 모듈 | 새창보기 |
| [1020050098482] | 밀리미터파 대역 광대역 마이크로스트립-도파관 변환 장치 | 새창보기 |
| [1020050084755] | 부정형 고 전자 이동도 트랜지스터의 제조 방법 | 새창보기 |
| [1020050078708] | 광 모듈 및 광 모듈 패키지 | 새창보기 |
| [1020050061301] | 반도체 소자의 트랜지스터 및 그 제조방법 | 새창보기 |
| [1020040100421] | 전계효과 트랜지스터의 제조방법 | 새창보기 |
| [1020040099920] | 밀리미터파 대역 평면형 필터용 에어 캐비티 모듈 | 새창보기 |
| [1020040093330] | 반도체 소자의 트랜지스터 및 그 제조방법 | 새창보기 |
| [1020040089452] | 반도체 소자의 티형 게이트 제조방법 | 새창보기 |
| [1020040083337] | 마이크로스트립형 대역통과필터 | 새창보기 |
| [1020040083336] | 광섬유 회절격자를 이용한 밀리미터파 발진기 | 새창보기 |
| [1020030096309] | 비대칭 주파수 특성을 갖는 마이크로스트립 교차결합대역통과필터 | 새창보기 |
| [1020030090549] | 마이크로파 및 밀리미터파용 포스테라이트계 유전체세라믹 조성물 및 그 제조 방법 | 새창보기 |
| [1020030087994] | 화합물 반도체 고주파 스위치 소자 | 새창보기 |
중요키워드
| [KST2015082729][한국전자통신연구원] | 화합물 반도체소자의 제작방법 | 새창보기 |
|---|---|---|
| [KST2016012466][한국전자통신연구원] | 반도체 장치 및 그 제조 방법(SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THEREOF) | 새창보기 |
| [KST2015073827][한국전자통신연구원] | 에스오아이모스소자의격리제조방법 | 새창보기 |
| [KST2015087598][한국전자통신연구원] | 반도체 소자 및 그 제조방법 | 새창보기 |
| [KST2015090923][한국전자통신연구원] | 자기 정렬 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법 | 새창보기 |
| [KST2015096976][한국전자통신연구원] | 반도체 소자의 제조 방법 | 새창보기 |
| [KST2014066747][한국전자통신연구원] | 질화갈륨 기반 내부정합형 전력증폭 모듈 기술 | 새창보기 |
| [KST2014045230][한국전자통신연구원] | 전계효과 트랜지스터 및 그 제조 방법 | 새창보기 |
| [KST2015064290][한국전자통신연구원] | 박막트랜지스터 및 그의 제조방법 | 새창보기 |
| [KST2015090700][한국전자통신연구원] | 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법 | 새창보기 |
| [KST2015098448][한국전자통신연구원] | 트랜지스터의 제조방법 | 새창보기 |
| [KST2015097056][한국전자통신연구원] | ＳＯＩ 기판을 이용한 반도체 소자 및 그 제조 방법 | 새창보기 |
| [KST2015097224][한국전자통신연구원] | 박막 트랜지스터 | 새창보기 |
| [KST2016005223][한국전자통신연구원] | 반도체 소자 및 그 제작 방법(SEMICONDUCTOR DEVICE AND FABRICATION METHOD THEREOF) | 새창보기 |
| [KST2015065272][한국전자통신연구원] | 빛과 전압 스트레스에 강한 산화물 박막 트랜지스터 및 그의 제조 방법 | 새창보기 |
| [KST2015090751][한국전자통신연구원] | 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법 | 새창보기 |
| [KST2015087637][한국전자통신연구원] | 스트레인드 베리드 채널을 구비하는 광소자 | 새창보기 |
| [KST2015067634][한국전자통신연구원] | 박막 트랜지스터 | 새창보기 |
| [KST2015090785][한국전자통신연구원] | 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법 | 새창보기 |
| [KST2015079983][한국전자통신연구원] | 전계효과 트랜지스터 및 그 제조 방법 | 새창보기 |
| [KST2015081646][한국전자통신연구원] | 반도체 소자 제조 방법 | 새창보기 |
| [KST2015078264][한국전자통신연구원] | 티(Ｔ)형 게이트 형성 방법 | 새창보기 |
| [KST2015070596][한국전자통신연구원] | 산화물 박막 트랜지스터의 제조 방법 | 새창보기 |
| [KST2015090719][한국전자통신연구원] | 트랜지스터 제조방법 | 새창보기 |
| [KST2015069848][한국전자통신연구원] | 산화물 반도체막의 형성 방법 | 새창보기 |
| [KST2014067235][한국전자통신연구원] | X-band 3W급 GaN 전력소자 기술 | 새창보기 |
| [KST2015080003][한국전자통신연구원] | 다중 게이트 모스 트랜지스터 및 그 제조 방법 | 새창보기 |
| [KST2015080144][한국전자통신연구원] | 반도체 소자의 티형 게이트 제조방법 | 새창보기 |
| [KST2015074920][한국전자통신연구원] | T형게이트와자기정렬LDD구조를갖는전계효과트랜지스터의제조방법 | 새창보기 |
| [KST2015076500][한국전자통신연구원] | 실리콘 양자점 형성방법 | 새창보기 |
| 심판사항 정보가 없습니다 |
|---|