| 1 |
1
스터드범프를 이용하여 반도체칩을 기판에 본딩하는 플립칩 본딩 방법에 있어서,상기 기판 및 반도체칩 상에, 금속층을 형성하는 제1 단계;상기 금속층 상면에 솔더층을 형성하는 제2 단계;상기 기판 또는 상기 반도체칩 상에 형성된 솔더층의 상면에 스터드범프를 형성하는 제3 단계;상기 기판 또는 반도체칩 상면에 형성된 스터드범프를 코인잉(coining)하는 제4 단계;상기 코인잉된 스터드범프가 형성된 기판 또는 반도체칩의 스터드범프와, 스터드범프가 형성되지 않은 반도체칩 또는 기판의 솔더층이 접촉되도록 정밀 정렬하는 제5 단계; 및 상기 정밀 정렬된 상태에서 상기 솔더층이 용융될 수 있는 소정의 온도로 가열하면서 압력을 인가하여 상기 기판과 상기 반도체칩을 고정시키는 제6 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 플립칩 본딩방법
|
| 2 |
2
제1항에 있어서, 제1 단계에서, 상기 금속층은 상기 기판 또는 상기 반도체칩의 상면에 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 백금(Pt) 또는 텅스텐(W) 중 적어도 하나를 이용하여 단일층 또는 복합층으로 형성되는 것을 특징으로 하는 플립칩 본딩방법
|
| 3 |
3
제1항에 있어서, 제2 단계는, 상기 금속층 위에 주석(Sn), 인듐(In), 게르마늄(Ge) 또는 실리콘(Si) 중 적어도 하나를 이용하여 하부 솔더층을 형성하는 단계; 및상기 하부 솔더층의 상면에, 표면산화방지 및 솔더층의 기능을 제공하도록 금(Au)을 이용하여 상부 솔더층을 형성시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플립칩 본딩방법
|
| 4 |
4
제1항에 있어서, 상기 스터드범프는, 금, 알루미늄, 구리 및 은 중 적어도 하나를 이용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 플립칩 본딩방법
|
| 5 |
5
제1항에 있어서, 상기 기판에는 V 자 형으로 식각된 V홈이 형성되고, 상기 V홈 상에는 상기 반도체칩과 광신호를 입력 또는 출력하도록 광섬유가 배열되는 것을 특징으로 하는 플립칩 본딩 방법
|
| 6 |
6
제1항 내제 제5항 중 어느 한 항에 따라 제조되는 광모듈
|
