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４방향 게이트에 의해 조절되는 수평형 접합전계효과트랜지스터

기술번호 : KST2015081166
담당센터 : 대전기술혁신센터
전화번호 : 042-610-2279

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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본 발명은 4방향 게이트에 의해 수직방향과 수평방향으로 동시에 공핍영역이 조절되는 수평형 접합전계효과 트랜지스터에 관한 것이다. 본 발명에 따른 수평형 접합전계효과 트랜지스터는 수직방향으로의 공핍을 제어하는 상부 및 하부 게이트와, 수평방향으로의 공핍을 제어하는 측면 게이트를 포함하며, 4방향의 게이트와 직교하는 수평방향으로 전도성 캐리어들이 흐르도록 설계된다. 여기서 측면 게이트는 주된 게이트 역할을 하고, 상부 및 하부 게이트는 보조 게이트 역할을 한다. 본 발명에 의하면, 측면 게이트에서 공정 변화에 따른 채널의 폭 및 캐리어 농도 변화가 심하지 않기 때문에 문턱전압 및 흐르는 전류의 균일도가 우수하며, 온-오프 스위치 특성이 우수한 수평형 접합전계효과 트랜지스터 소자를 구현할 수 있다.JFET(Junction FET), 수평형(Lateral), 공핍, 수평, 측면, 4방향, 게이트
Int. CL	H01L 21/335 (2006.01)
CPC	H01L 29/66893(2013.01) H01L 29/66893(2013.01) H01L 29/66893(2013.01) H01L 29/66893(2013.01)
출원번호/일자	1020050119222 (2005.12.08)
출원인	한국전자통신연구원
등록번호/일자	10-0712078-0000 (2007.04.20)
공개번호/일자
공고번호/일자	(20070502) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	소멸
심사진행상태	수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2005.12.08)
심사청구항수	15

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	한국전자통신연구원	대한민국	대전광역시 유성구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	박건식	대한민국	대전 유성구
2	박종문	대한민국	대전 유성구
3	유성욱	대한민국	대구 수성구
4	윤용선	대한민국	대전 유성구
5	김상기	대한민국	대전 유성구
6	구진근	대한민국	대전 유성구
7	김보우	대한민국	대전 유성구
8	노광수	대한민국	대전 유성구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	신영무	대한민국	서울특별시 강남구 영동대로 **(대치동) KT&G타워 층(에스앤엘파트너스)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
1	한국전자통신연구원	대한민국	대전광역시 유성구

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	특허출원서 Patent Application	2005.12.08	수리 (Accepted)	1-1-2005-0716446-63
2	선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search	2006.09.07	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search	2006.10.16	수리 (Accepted)	9-1-2006-0065619-61
4	등록결정서 Decision to grant	2006.10.27	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2006-0628850-90
5	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2009.08.04	수리 (Accepted)	4-1-2009-5150899-36
6	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2015.02.02	수리 (Accepted)	4-1-2015-0006137-44

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 제1 도전형 반도체 기판;상기 기판 상에 위치하며, 채널 형성을 위한 제2 도전형 불순물을 포함한 반도체층;상기 반도체층 상에 소정 간격을 두고 서로 떨어져서 위치하며, 상기 반도체층의 불순물 농도보다 높은 불순물 농도의 상기 제2 도전형 불순물을 포함한 소스/드레인 영역;상기 반도체층 내의 상기 소스/드레인 영역 사이에 위치하며, 상기 반도체층보다 높은 불순물 농도의 상기 제1 도전형 불순물을 포함하고, 상기 채널의 수평 방향의 공핍을 조절하는 측면 게이트; 및상기 반도체층 상부에 위치하며, 상기 반도체층보다 높은 불순물 농도의 상기 제1 도전형 불순물을 포함하고, 상기 채널의 수직 방향의 공핍을 조절하는 상부 게이트를 포함하는 수평형 접합전계효과 트랜지스터
2	2 제 1 항에 있어서, 상기 측면 게이트의 하부면은 상기 반도체 기판까지 연장되는 것을 특징으로 하는 수평형 접합전계효과 트랜지스터
3	3 제 1 항에 있어서, 상기 측면 게이트의 하부면은 상기 반도체 기판의 상부에 위치하며, 오프상태에서 상기 측면 게이트 하부의 상기 채널을 공핍시키는 것을 특징으로 하는 수평형 접합전계효과 트랜지스터
4	4 제 1 항에 있어서, 상기 측면 게이트의 폭은 상기 상부 게이트의 폭보다 작은 것을 특징으로 하는 수평형 접합전계효과 트랜지스터
5	5 제 1 항에 있어서, 상기 측면 게이트의 폭은 상기 상부 게이트의 폭과 같거나 큰 것을 특징으로 하는 수평형 접합전계효과 트랜지스터
6	6 제 1 항에 있어서, 상기 채널의 폭은 상기 반도체층 표면으로부터 상기 반도체 기판 측으로 갈수록 넓어지는 것을 특징으로 하는 수평형 접합전계효과 트랜지스터
7	7 제 6 항에 있어서, 상기 측면 게이트의 폭은 상기 반도체층 표면으로부터 상기 반도체 기판 측으로 갈수록 좁아지는 것을 특징으로 하는 수평형 접합전계효과 트랜지스터
8	8 제1 도전형 반도체 기판;상기 기판 상에 위치하며, 채널 형성을 위한 제2 도전형 불순물을 포함한 반도체층;상기 반도체층 내에 소정 간격을 두고 서로 떨어져서 위치하며, 상기 반도체층의 불순물 농도보다도 높은 불순물 농도의 상기 제2 도전형 불순물을 포함한 소스/드레인 영역;상기 반도체층 내의 상기 소스/드레인 영역 사이에 위치하는 트랜치;상기 트랜치의 측면에 위치하며, 상기 반도체층보다 높은 불순물 농도의 상기 제1 도전형 불순물을 포함하고, 상기 채널의 수평 방향의 공핍을 조절하는 측면 게이트; 및상기 반도체층 상부에 위치하며, 상기 반도체층보다 높은 불순물 농도의 상기 제1 도전형 불순물을 포함하고, 상기 채널의 수직 방향의 공핍을 조절하는 상부 게이트를 포함하는 수평형 접합전계효과 트랜지스터
9	9 제 8 항에 있어서, 상기 트랜치 하부면은 상기 기판까지 연장되는 것을 특징으로 하는 수평형 접합전계효과 트랜지스터
10	10 제 8 항에 있어서, 상기 트랜치 하부면은 상기 기판 상부에 위치하며, 오프상태에서 상기 측면 게이트 하부의 상기 채널을 공핍시키는 것을 특징으로 하는 수평형 접합전계효과 트랜지스터
11	11 제 8 항에 있어서, 상기 트랜치의 폭은 상기 상부 게이트의 폭보다 작은 것을 특징으로 하는 수평형 접합전계효과 트랜지스터
12	12 제 8 항에 있어서, 상기 트랜치의 폭은 상기 상부 게이트의 폭과 같거나 큰 것을 특징으로 하는 수평형 접합전계효과 트랜지스터
13	13 제 8 항에 있어서, 상기 채널의 폭은 반도체 표면으로부터 상기 반도체 기판 측으로 갈수록 넓어지는 것을 특징으로 하는 수평형 접합전계효과 트랜지스터
14	14 제 13 항에 있어서, 상기 트랜치의 폭은 상기 반도체 표면으로부터 상기 반도체 기판 측으로 갈수록 좁아지는 것을 특징으로 하는 수평형 접합전계효과 트랜지스터
15	15 제 8 항에 있어서, 상기 트랜치는 절연막 또는 전도성 물질로 채워지는 것을 특징으로 하는 수평형 접합전계효과 트랜지스터

본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.

이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허 등록번호 표입니다.
특허 등록번호	10-0712078-0000

권리란

표시번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 권리란 표입니다.
표시번호	사항
1	출원 연월일 : 20051208 출원 번호 : 1020050119222 공고 연월일 : 20070502 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20061027 청구범위의 항수 : 15 유별 : H01L 21/335 발명의 명칭 : ４방향 게이트에 의해 조절되는 수평형 접합전계효과트랜지스터 존속기간(예정)만료일 : 20120421

특허권자란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허권자란 표입니다.
순위번호	사항
1	(권리자) 한국전자통신연구원 대전광역시 유성구...

등록료란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 등록료란 표입니다.
제 1 - 3 년분	금 액	891,000 원	2007년 04월 23일	납입
제 4 년분	금 액	370,000 원	2010년 04월 01일	납입
제 5 년분	금 액	370,000 원	2011년 04월 11일	납입

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정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	특허출원서	2005.12.08	수리 (Accepted)	1-1-2005-0716446-63
2	선행기술조사의뢰서	2006.09.07	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서	2006.10.16	수리 (Accepted)	9-1-2006-0065619-61
4	등록결정서	2006.10.27	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2006-0628850-90
5	출원인정보변경(경정)신고서	2009.08.04	수리 (Accepted)	4-1-2009-5150899-36
6	출원인정보변경(경정)신고서	2015.02.02	수리 (Accepted)	4-1-2015-0006137-44


과제고유번호	1355052566
세부과제번호	07ZB1100
연구과제명	반도체foundry운영사업
성과구분	등록
부처명	지식경제부
연구관리전문기관명	과학기술부
연구주관기관명	한국전자통신연구원
성과제출연도	2007
연구기간	200701~200712
기여율	1
연구개발단계명	개발연구
6T분류명	IT(정보기술)

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